公开(公告)号：CN101587913A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200910053877.6

申请日：2009-06-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 马忠权 ,  何波 ,  赵磊

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种新型SINP结构硅蓝紫光电池及其制备方法。本发明采用热扩散磷形成浅结、低温热氧化生长超薄SiO 2 层、射频磁控溅射ITO减反射/收集电极膜制备了一种新型ITO/SiO 2 /np蓝紫光增强型SINP硅光电池。本发明的制备方法是：选用P型、晶向为(100)、电阻率为2Ω·cm、厚度220μm的硅单晶片为衬底。经常规化学清洗及制绒后，用POCl 3 液态源热扩散形成n区(本文采用不同热扩散工艺制作两块新型SINP光电池，其中一块是发射区方块电阻10Ω/□，结深1μm的(深结)常规SINP光电池；另一块为发射区方块电阻37Ω/□，结深0.4μm的(浅结)SINP硅蓝紫光电池)。去除正面的磷硅玻璃(HF∶H 2 O＝1∶10)；然后在硅片背面蒸Al；将硅片在400～500℃，N 2 ∶O 2 ＝4∶1条件下热氧化15～30分钟生长一层15～20超薄SiO 2 层，背面Al合金化同时进行。继而射频磁控溅射高透光率、高导电率的ITO减反射/收集电极膜(ITO薄膜也被沉积在玻璃上以研究其光电特性)，通过金属掩模版直流磁控溅射Cu栅指电极。最后用金刚石外圆下切割/划片机切去电池片边缘部分，防止光电池边缘短路。

公开(公告)号：CN102034902A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010529610.2

申请日：2010-11-03

Applicant: 上海大学

Inventor： 马忠权 ,  何波 ,  赵磊

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种直流磁控溅射AZO/SiO2/p-SiSIS异质结光电器件的制备方法，属硅基异质结光电器件制备方法技术领域。本发明采用低温热氧化生长超薄SiO2层、直流磁控溅射AZO发射极、减反射、收集电极膜，成功制备了一种新型AZO/SiO2/p-SiSIS紫外—可见—近红外广谱异质结光电器件。所制新型AZO/SiO2/p-SiSIS异质结I—V曲线具有很好的整流特性，反向暗电流很小，这说明AZO与p-Si之间形成良好的异质结二极管。在AM1.5光照条件下，开路电压VOC高达230mV，光电转换效率η为0.025%，具有明显的光生伏特效应。SIS异质结结合AZO宽带隙和Si材料相对窄带隙的不同特性相互补充，不仅可以开发成为低成本的太阳电池，而且可以成为性能优良的紫外—可见—近红外增强型广谱光电探测器。

公开(公告)号：CN101587913B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200910053877.6

申请日：2009-06-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 马忠权 ,  何波 ,  赵磊

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种新型SINP结构硅蓝紫光电池及其制备方法。本发明采用热扩散磷形成浅结、低温热氧化生长超薄SiO2层、射频磁控溅射ITO减反射/收集电极膜制备了一种新型ITO/SiO2/np蓝紫光增强型SINP硅光电池。本发明的制备方法是：选用P型、晶向为(100)、电阻率为2Ω·cm、厚度220μm的硅单晶片为衬底。经常规化学清洗及制绒后，用POCl3液态源热扩散形成n区(本文采用不同热扩散工艺制作两块新型SINP光电池，其中一块是发射区方块电阻10Ω/□，结深1μm的(深结)常规SINP光电池；另一块为发射区方块电阻37Ω/□，结深0.4μm的(浅结)SINP硅蓝紫光电池)。去除正面的磷硅玻璃(HF∶H2O＝1∶10)；然后在硅片背面蒸Al；将硅片在400～500℃，N2∶O2＝4∶1条件下热氧化15～30分钟生长一层15～20超薄SiO2层，背面Al合金化同时进行。继而射频磁控溅射高透光率、高导电率的ITO减反射/收集电极膜(ITO薄膜也被沉积在玻璃上以研究其光电特性)，通过金属掩模版直流磁控溅射Cu栅指电极。最后用金刚石外圆下切割/划片机切去电池片边缘部分，防止光电池边缘短路。