双配体材料提高CsPbIBr2多晶膜质量以降低CsPbIBr2探测器暗电流的方法

    公开(公告)号:CN113299800B

    公开(公告)日:2022-07-08

    申请号:CN202110312954.6

    申请日:2021-03-24

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种双配体材料提高CsPbIBr2多晶膜质量以降低CsPbIBr2探测器暗电流的方法,特别的是,通过双配体材料在相对湿度低于60%的大气环境下制备出结构稳定、表面平整的CsPbIBr2多晶膜,成功降低其探测器暗电流。基于本发明制备的CsPbIBr2多晶膜适用于紫外光电探测技术领域,并有望进一步应用于X射线探测器技术领域。本发明利用两种配体材料,通过对两种配体材料在钙钛矿前驱体混合溶液中的比例调控以及采用制备多晶膜的喷涂法,在大气环境下制备出结构稳定、表面平整的CsPbIBr2多晶膜,降低了其探测器的暗电流并提高了光响应。本发明方法工艺简单,操作方便,成本低廉,适于工业生产。

    双配体材料提高CsPbIBr2多晶膜质量以降低CsPbIBr2探测器暗电流的方法

    公开(公告)号:CN113299800A

    公开(公告)日:2021-08-24

    申请号:CN202110312954.6

    申请日:2021-03-24

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种双配体材料提高CsPbIBr2多晶膜质量以降低CsPbIBr2探测器暗电流的方法,特别的是,通过双配体材料在相对湿度低于60%的大气环境下制备出结构稳定、表面平整的CsPbIBr2多晶膜,成功降低其探测器暗电流。基于本发明制备的CsPbIBr2多晶膜适用于紫外光电探测技术领域,并有望进一步应用于X射线探测器技术领域。本发明利用两种配体材料,通过对两种配体材料在钙钛矿前驱体混合溶液中的比例调控以及采用制备多晶膜的喷涂法,在大气环境下制备出结构稳定、表面平整的CsPbIBr2多晶膜,降低了其探测器的暗电流并提高了光响应。本发明方法工艺简单,操作方便,成本低廉,适于工业生产。

    一种叠加喷涂工艺制备钙钛矿厚膜的方法以及一种直接式X射线探测器

    公开(公告)号:CN117677256A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202311662742.6

    申请日:2023-12-06

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种X射线探测器,具体涉及一种叠加喷涂工艺制备钙钛矿厚膜的方法以及一种直接式X射线探测器,包括如下步骤:采用气动喷涂法通过叠加喷涂工艺在衬底上形成钙钛矿厚膜;叠加喷涂工艺:一次喷涂:衬底喷涂前驱液,形成膜厚不超过30μm,表面活化处理;二次喷涂:在上次喷涂的表面喷涂前驱液,形成膜厚不超过30μm,表面活化处理;实施二次喷涂至少一次至总厚度达目标厚度。与现有技术相比,本发明解决气动喷涂法的厚膜不呈线性增长且质量差的问题,实现表面形貌致密、结晶度高的(100)择优生长的钙钛矿厚膜制备,实现了2670μC·Gyair‑1·cm‑2的高灵敏度探测性能,是α‑Se商用X射线探测器的133倍。

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