公开(公告)号：CN114959605A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210387779.1

申请日：2022-04-13

Applicant: 上海大学

Inventor： 马忠权 ,  兰自轩 ,  赵磊 ,  王艺琳 ,  徐飞

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  H01L31/0216

Abstract: 本发明公开了一种缺氮的亚氮化钛薄膜、其制备方法及其在制备单晶硅太阳能电池器件中的应用，将基底清洗干净；将基底放入样品架上，以纯Ti靶为原材料，采用直流反应磁控溅射制备工艺；在溅射过程中腔室内通入高纯N2气；起辉后将溅射压强调整到低压下制备TiNx薄膜。本发明拓展了TiNx薄膜的制备方法和单晶硅太阳能电池背部钝化接触层的选择，得到的TiNx薄膜具有高电子浓度和非化学配比的特性。本发明将SiOy/TiNx复合薄膜应用于晶硅太阳能电池，起到很好的辅助钝化接触效果，取决于它的电子结构与荷电的“正离子中心”。缺N的TiNx薄层与n‑Si衬底之间的势垒，有效地降低了少数载流子(空穴)的复合率，大大提高太阳能电池的开路电压，进而达到增强光电转换效率的目的。

公开(公告)号：CN113564468A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110798218.6

申请日：2021-07-15

Applicant: 振石集团东方特钢有限公司 ,  芜湖美的厨卫电器制造有限公司 ,  上海大学

Inventor： 赵磊 ,  刘晓亚 ,  颜海涛 ,  李谋成 ,  辛森森 ,  王明 ,  马伟杰

IPC: C22C38/02 ,  C22C38/04 ,  C22C38/44 ,  C22C38/58 ,  C21D8/02 ,  C22C33/04

Abstract: 本发明涉及一种节镍型热水器加热管用不锈钢及其制备工艺，其按质量百分比由以下化学成分组成：C：≤0.05%；Si：0.30~0.80%；Mn：1.0~2.0%；P：≤0.040%；S：≤0.005%；Cr：22.0~23.0%；Ni：14.0~15.0%；N：0.08~0.16%；Mo：1.8~2.5%；余量为Fe及不可避免的杂质；其制备工艺流程为：真空中频感应炉冶炼→铸锭模浇铸→铸锭扒皮→铸锭锻造→热轧→抛丸→酸洗→冷轧→保护气氛退火→钢带分条。与现有的310S不锈钢相比，本节镍型热水器加热管用不锈钢的平均腐蚀速率大大降低，因此具有很好的耐腐蚀性，更加适用于高温多离子水环境条件，并且在满足焊管、扩管等多道材料形变加工后还具有良好的焊接耐腐蚀性。

公开(公告)号：CN111884588A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN202010736268.7

申请日：2020-07-28

Applicant: 上海大学

Inventor： 马忠权 ,  吴康敬 ,  李勇 ,  高明 ,  赵磊 ,  徐飞

IPC: H02S50/10

Abstract: 本发明公开了一种硅基特定光伏器件界面态的测量方法，能准确评估硅基异质结光伏器件界面态密度，待测的器件的钝化隧穿介质为超薄准绝缘SiOx层，其厚度≤2.0nm，且内部含有少量金属元素。通常采用深能级瞬态谱方法测量具有较厚氧化物和氮化硅绝缘层的异质结器件界面态密度，然而针对界面层为超薄准绝缘SiOx层时，DLTS等常规方法在正偏压稍高的情况下，易产生电容溢出现象，难以获得界面态信号。因此针对该类异质结器件界面区电子结构的特殊性，本发明采用不低于1.0MHz的高频光注入方式测量器件在黑暗和光照下C-V特性，结合二极管电容近似和数值计算模型，从上述两种C-V曲线中提取与界面态相关信息，间接测量得到该类异质结器件的界面态密度。

公开(公告)号：CN108878570B

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201810557220.2

申请日：2018-06-01

Applicant: 上海大学

Inventor： 马忠权 ,  高明 ,  陈东运 ,  韩百超 ,  赵磊

IPC: H01L31/074 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种空穴选择型MoOx/SiOx(Mo)/n‑Si异质结、太阳电池器件及其制备方法，用单晶硅片为衬底沉积MoOx薄膜，再通过热蒸发使蒸汽流中MoO3分子团、Mo、O原子与单晶硅片浅层硅原子发生固相反应形成超薄SiOx(Mo)层；形成界面复合太阳电池器件功能层结构体，再制备ITO薄膜、电极，得到太阳电池片。本发明结合晶硅表面清洗工艺、热蒸发沉积MoOx薄膜工艺、低能蒸汽流固相反应方法、射频磁控溅射沉积ITO薄膜工艺、硝酸氧化工艺、常压化学气相沉积薄膜工艺和热蒸发金属电极工艺，制备MoOx/SiOx(Mo)/n‑Si异质结太阳电池，具有较好稳定性能和较高光电转换效率。

公开(公告)号：CN106833644B

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201710031094.2

申请日：2017-01-17

Applicant: 上海大学

Inventor： 孙丽宁 ,  施利毅 ,  李海宏 ,  魏若艳 ,  赵磊 ,  刘金亮

IPC: C09K11/85

Abstract: 本发明公开了一种基于柱芳烃和上转换纳米晶自组装的纳米材料及其制备方法与应用，其采用柱芳烃和上转换纳米晶自组装而成，所述上转换纳米晶的表面包裹有惰性NaGdF4层或惰性NaNdF4层，并且惰性NaGdF4层或惰性NaNdF4层表面还经过羧基改性的十六烷基三甲基溴化铵改性，制备方法简单，可重复性高。该纳米材料具有诊疗一体化的功能，可应用与制备荧光成像或磁共振成像的成像剂，且具有药物输送和pH响应释放的功能，可用作制备药物载体。

公开(公告)号：CN104876305A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201510264773.5

申请日：2015-05-21

Applicant: 上海大学

Inventor： 丁国际 ,  赵磊 ,  李珊 ,  胡梦楠 ,  焦正

IPC: C02F1/467 ,  C02F103/30

Abstract: 本发明公开了一种处理印染废水的铜掺杂涂层电极的制备方法，制备了铜掺杂的钛基锡锑氧化物涂层电极，属于电催化水处理技术领域。本发明方法的工艺过程如下：制备锡锑锰中间层涂液，均匀涂于经过表面预处理的钛板上鼓风干燥后，450-550℃煅烧1-3h。再将铜掺杂的锡锑活性层涂液，均匀涂于经过煅烧后的钛板表面，鼓风干燥后450-550℃煅烧1-3h，重复1次。此制备方法工艺简单，可控性好，活性层采用常见的铜掺杂，溶剂毒性和生产成本大大降低，所制电极具有较高的析氧过电位和较大的电容量，可以高效彻底地处理印染废水。

公开(公告)号：CN101587913A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200910053877.6

申请日：2009-06-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 马忠权 ,  何波 ,  赵磊

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种新型SINP结构硅蓝紫光电池及其制备方法。本发明采用热扩散磷形成浅结、低温热氧化生长超薄SiO 2 层、射频磁控溅射ITO减反射/收集电极膜制备了一种新型ITO/SiO 2 /np蓝紫光增强型SINP硅光电池。本发明的制备方法是：选用P型、晶向为(100)、电阻率为2Ω·cm、厚度220μm的硅单晶片为衬底。经常规化学清洗及制绒后，用POCl 3 液态源热扩散形成n区(本文采用不同热扩散工艺制作两块新型SINP光电池，其中一块是发射区方块电阻10Ω/□，结深1μm的(深结)常规SINP光电池；另一块为发射区方块电阻37Ω/□，结深0.4μm的(浅结)SINP硅蓝紫光电池)。去除正面的磷硅玻璃(HF∶H 2 O＝1∶10)；然后在硅片背面蒸Al；将硅片在400～500℃，N 2 ∶O 2 ＝4∶1条件下热氧化15～30分钟生长一层15～20超薄SiO 2 层，背面Al合金化同时进行。继而射频磁控溅射高透光率、高导电率的ITO减反射/收集电极膜(ITO薄膜也被沉积在玻璃上以研究其光电特性)，通过金属掩模版直流磁控溅射Cu栅指电极。最后用金刚石外圆下切割/划片机切去电池片边缘部分，防止光电池边缘短路。

公开(公告)号：CN115612917B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202210659971.1

申请日：2021-07-15

Applicant: 振石集团东方特钢有限公司 ,  芜湖美的厨卫电器制造有限公司 ,  上海大学

Inventor： 赵磊 ,  颜海涛 ,  李谋成 ,  辛森森

IPC: C22C38/02 ,  C22C38/04 ,  C22C38/44 ,  C22C38/58 ,  C21D8/02 ,  C22C33/04

Abstract: 本发明涉及一种不锈钢及其制备方法和应用。本发明的不锈钢，按质量百分比计，由以下化学成分组成：C：≤0.05%；Si：0.30 0.80%；Mn：1.0~~2.0%；Cr：22.0~23.0%；Ni：14.0~15.0%；N：0.08~0.14%；Mo：1.8~2.5%；余量为Fe及不可避免的杂质，杂质中P：≤0.040%；S：≤0.005%。与现有的310S不锈钢相比，本发明的不锈钢平均腐蚀速率大大降低，因此具有很好的耐腐蚀性，更加适用于高温多离子水环境条件，并且在满足焊管、扩管等多道材料形变加工后还具有良好的焊接耐腐蚀性。本发明还提供了由上述不锈钢制备得到的热水器加热管和热水器。

公开(公告)号：CN108878570A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810557220.2

申请日：2018-06-01

Applicant: 上海大学

Inventor： 马忠权 ,  高明 ,  陈东运 ,  韩百超 ,  赵磊

IPC: H01L31/074 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/074 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/1868

Abstract: 本发明公开了一种空穴选择型MoOx/SiOx(Mo)/n‑Si异质结、太阳电池器件及其制备方法，用单晶硅片为衬底沉积MoOx薄膜，再通过热蒸发使蒸汽流中MoO3分子团、Mo、O原子与单晶硅片浅层硅原子发生固相反应形成超薄SiOx(Mo)层；形成界面复合太阳电池器件功能层结构体，再制备ITO薄膜、电极，得到太阳电池片。本发明结合晶硅表面清洗工艺、热蒸发沉积MoOx薄膜工艺、低能蒸汽流固相反应方法、射频磁控溅射沉积ITO薄膜工艺、硝酸氧化工艺、常压化学气相沉积薄膜工艺和热蒸发金属电极工艺，制备MoOx/SiOx(Mo)/n‑Si异质结太阳电池，具有较好稳定性能和较高光电转换效率。

公开(公告)号：CN108096586A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201711267852.7

申请日：2017-12-05

Applicant: 上海大学

Inventor： 孙丽宁 ,  施利毅 ,  赵磊 ,  葛笑千 ,  赵慧君

IPC: A61K49/08 ,  A61K49/00 ,  A61K49/18 ,  A61K9/51 ,  A61K47/02 ,  A61K47/04 ,  A61K31/704 ,  A61K33/24 ,  A61K31/12 ,  A61K31/337 ,  A61P35/00 ,  B82Y5/00 ,  B82Y15/00

Abstract: 本发明公开了一种基于二氧化锰修饰的双响应药物释放体系的制备方法及制品与应用，通过在表面包覆介孔二氧化硅层的上转换发光纳米晶上修饰氨基，再负载药物，最后包覆片状二氧化锰制得。所制得的基于二氧化锰修饰的双响应药物释放体系为核壳结构，核心为上转换发光纳米晶，壳层为介孔二氧化硅，介孔二氧化硅的介孔通道内负载有药物，且介孔通道外包覆有片状二氧化锰。本发明制备方法具有工艺简单、操作方便、结构易控的优势。制品具有生物相容性好、双响应可控药物释放、可应用于磁共振成像和上转换发光成像引导的化疗等优点，同时可以有效地负载多种抗癌药物、用于肿瘤的诊断和治疗等生物医学领域。