公开(公告)号：CN108475666A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680079449.9

申请日：2016-11-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 横山吉典 ,  曾田真之介 ,  太田成人 ,  西川和康 ,  福本晃久

IPC: H01L23/40 ,  H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H01L23/36

CPC classification number: H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H01L23/36 ,  H01L23/40 ,  H01L2224/32225

Abstract: 功率模块(101)具备：绝缘电路基板(1)、半导体元件(3)、第一缓冲板(5)、第一及第二接合材料(11)、及散热构件(7)。半导体元件(3)配置于绝缘电路基板(1)的一方的主表面(1a)侧。第一缓冲板(5)配置于绝缘电路基板(1)与半导体元件(3)之间，第一接合材料(11)配置于绝缘电路基板(1)与第一缓冲板(5)之间，第二接合材料(11)配置于半导体元件(3)与第一缓冲板(5)之间。散热构件(7)配置于绝缘电路基板(1)的一方的主表面(1a)侧的相反侧的另一方的主表面(1b)侧。第一接合材料(11)在俯视时被分割成多个。第一缓冲板(5)的线膨胀系数比半导体元件(3)的线膨胀系数大且比绝缘电路基板(1)的线膨胀系数小。第一缓冲板(5)的杨氏模量比半导体元件(3)的杨氏模量小。

公开(公告)号：CN107004653A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580065241.7

申请日：2015-09-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小林浩 ,  曾田真之介 ,  大本洋平 ,  林功明

IPC: H01L23/373 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/473 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/36 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49811 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/0061 ,  H05K3/341 ,  H05K3/4015 ,  H05K2201/0373 ,  H05K2201/09681 ,  H05K2201/0969 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本技术涉及一种高导热性半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具备绝缘基板(13)、半导体芯片(11)、板件(3)和冷却器(20)。绝缘基板(13)具备作为绝缘板的绝缘性陶瓷(6)以及设置于绝缘性陶瓷(6)的两面的导板(5)和导板(7)。半导体芯片(11)设置于绝缘基板(13)的上表面。板件(3)接合到绝缘基板(13)的下表面。冷却器(20)接合到板件(3)的下表面。绝缘基板(13)的下表面与板件(3)的接合以及板件(3)的下表面与冷却器(20)的接合中的至少一方是经由以锡为主成分的接合件而进行的。另外，板件(3)的反复应力比这些接合件的拉伸强度小。

公开(公告)号：CN107004644A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580068669.7

申请日：2015-10-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 曾田真之介 ,  大本洋平 ,  林功明 ,  冢本晋士 ,  畑中康道

IPC: H01L23/12 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/84 ,  H01L25/072 ,  H01L25/115 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32155 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14252 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

Abstract: 提供不易受由于施加冷热循环而反复施加的热应力影响的可靠性高的绝缘电路基板以及包括该绝缘电路基板的功率模块和功率单元。绝缘电路基板(100)具备绝缘基板(1)、第1电极(2a)和第2电极(2b)。第1电极(2a)形成于绝缘基板(1)的一个主表面上，平面形状是多边形形状。第2电极(2b)形成于绝缘基板(1)的与一个主表面相反的一侧的另一个主表面上，平面形状是多边形形状。在第1电极以及第2电极(2a、2b)中的至少某一个电极的俯视时的关于从顶点(4)起沿着外边缘(5)的方向而占据外边缘(5)的长度的一部分的区域即角部，形成薄部(3)，薄部(3)的厚度比薄部(3)以外的区域薄。

公开(公告)号：CN103529507A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310261976.X

申请日：2013-06-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 船冈幸治 ,  吉冈淑江 ,  曾田真之介 ,  泷川靖弘

IPC: G02B5/30 ,  G02B5/18 ,  B23K26/067 ,  B23K26/382

Abstract: 本发明提供一种制作容易且远红外光的透过光量损失少的透过型的偏振光相位差板以及使用了该偏振光相位差板的激光加工机。偏振光相位差板（100），在基板（102）的至少一方的主面上，由与基板（102）相同的材料形成排列了多个凸部（103）的具有一定的周期P的衍射光栅，利用衍射光栅的构造性双折射。衍射光栅的周期P在入射光的波长为λ、基板材料的折射率为n时，满足P＜λ/n。凸部（103）的截面形状从其底部到顶部形成为锥形状（106）。作为基板材料使用ZnS。

公开(公告)号：CN205752150U

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201490000999.3

申请日：2014-05-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小林浩 ,  大本洋平 ,  曾田真之介 ,  田屋昌树

IPC: H01L23/373

CPC classification number: H01L23/473 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/4334 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01051

Abstract: 本实用新型提供一种具有高导热性且具有良好的生产性的半导体装置。本实用新型的半导体装置具有：绝缘基板(13)；半导体芯片(11)，其设置在绝缘基板上；冷却部件(12)，其通过接合材料(23)与绝缘基板的内表面接合。绝缘基板具有绝缘板(6)和设置在绝缘板的两个表面上的底板(5)和底板(7)。冷却部件为导热金属部件(2)和由铝构成的热应力吸收部件(1)一体形成的复合部件。热应力吸收部件配置在与绝缘基板的内表面接合的一侧，热应力吸收部件的屈服应力小于接合部件的屈服应力。