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公开(公告)号：CN106154749A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610311217.3
申请日：2016-05-12
Applicant: 三菱制纸株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供：在具有高耐磨性的同时与被处理物的粘附性高的喷砂用感光性树脂组合物，和使用该喷砂用感光性树脂组合物的喷砂处理方法。本发明涉及喷砂用感光性树脂组合物和使用该喷砂用感光性树脂组合物的喷砂处理方法，所述组合物的特征在于，含有(A)碱可溶性树脂、(B)光聚合引发剂、(C)氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯化合物和(D)环氧(甲基)丙烯酸酯，优选含有(D‑1)单官能环氧(甲基)丙烯酸酯和/或(D‑2)酸改性环氧(甲基)丙烯酸酯作为(D)环氧(甲基)丙烯酸酯。
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公开(公告)号：CN101933408B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200980103759.X
申请日：2009-01-22
Applicant: 三菱制纸株式会社
CPC classification number: H05K3/064 , G03F7/093 , G03F7/168 , G03F7/2022 , H05K3/0094 , H05K3/427 , H05K2203/0505 , H05K2203/0769 , H05K2203/0793 , H05K2203/1394 , H05K2203/1476
Abstract: 导电图形的制作方法，其依次含有(a)在表面设置有导电层的基板上形成光交联性树脂层的工序、(b)利用碱水溶液进行光交联性树脂层的薄膜化处理的工序、(c)电路图形的曝光工序、(d)显影工序、(e)蚀刻工序，该碱水溶液是含有5～20质量％无机碱性化合物的水溶液；或者导电图形的制作方法，其依次含有(a′)在基板上形成光交联性树脂层的工序，所述基板具有孔，且在表面和孔内部设置有导电层、(i)使仅仅孔上或者孔上与其周围部的光交联性树脂层固化的工序、(b′)利用碱水溶液进行未固化部的光交联性树脂层的薄膜化处理的工序、(c)电路图形的曝光工序、(d)显影工序、(e)蚀刻工序，该碱水溶液是含有5～20质量％无机碱性化合物的水溶液。
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公开(公告)号：CN117369212A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311391186.3
申请日：2016-03-16
Applicant: 三菱制纸株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供对含有高浓度的氢氟酸或氟化铵的蚀刻液的耐性优异的感光性树脂组合物、和利用该感光性树脂组合物的蚀刻方法。感光性树脂组合物，其是在通过含有氢氟酸或氟化铵的蚀刻液进行蚀刻处理的蚀刻方法中使用的感光性树脂组合物，至少包含(A)酸改性环氧丙烯酸酯、(B)光聚合引发剂、(C)封端异氰酸酯化合物和(D)填料；以及，蚀刻方法，在基材的至少单面上形成含有该感光性树脂组合物的感光性树脂层，对感光性树脂层进行曝光后显影，对感光性树脂层进行加热后，通过含有氢氟酸或氟化铵的蚀刻液进行蚀刻处理。
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公开(公告)号：CN107969076B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201711303986.X
申请日：2014-05-15
Applicant: 三菱制纸株式会社
Abstract: 一种布线基板的制造方法，其特征在于，包含：（A）在电路基板的两面形成厚度不同的阻焊层的工序；（C1）针对厚度比第二面的阻焊层薄的第一面的阻焊层对在作为后工序的工序（B）中被薄膜化的区域以外的部分进行曝光的工序；（C2）针对第二面的阻焊层对在作为后工序的工序（D）中显影的区域以外的部分进行曝光的工序；（B）利用薄膜化处理液使非曝光部的第一面的阻焊层薄膜化直到变为连接焊盘的厚度以下的工序；（C3）针对第一面的阻焊层对在工序（B）中薄膜化后的区域部分进行曝光的工序；以及（D）利用显影液来除去第二面的非曝光部的阻焊层的工序。
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公开(公告)号：CN107969077B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201711304405.4
申请日：2014-05-15
Applicant: 三菱制纸株式会社
Abstract: 一种布线基板的制造方法，其特征在于，包含：（A）在电路基板的两面形成厚度不同的阻焊层的工序；（C1）针对厚度比第二面的阻焊层薄的第一面的阻焊层对在作为后工序的工序（B）中被薄膜化的区域以外的部分进行曝光的工序；（C2）针对第二面的阻焊层对在作为后工序的工序（D）中显影的区域以外的部分进行曝光的工序；（B）利用薄膜化处理液使非曝光部的第一面的阻焊层薄膜化直到变为连接焊盘的厚度以下的工序；（C3）针对第一面的阻焊层对在工序（B）中薄膜化后的区域部分进行曝光的工序；以及（D）利用显影液来除去第二面的非曝光部的阻焊层的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107969076A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201711303986.X
申请日：2014-05-15
Applicant: 三菱制纸株式会社
Abstract: 一种布线基板的制造方法，其特征在于，包含：（A）在电路基板的两面形成厚度不同的阻焊层的工序；（C1）针对厚度比第二面的阻焊层薄的第一面的阻焊层对在作为后工序的工序（B）中被薄膜化的区域以外的部分进行曝光的工序；（C2）针对第二面的阻焊层对在作为后工序的工序（D）中显影的区域以外的部分进行曝光的工序；（B）利用薄膜化处理液使非曝光部的第一面的阻焊层薄膜化直到变为连接焊盘的厚度以下的工序；（C3）针对第一面的阻焊层对在工序（B）中薄膜化后的区域部分进行曝光的工序；以及（D）利用显影液来除去第二面的非曝光部的阻焊层的工序。
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公开(公告)号：CN107846786A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201711315848.3
申请日：2014-06-05
Applicant: 三菱制纸株式会社
IPC: H05K3/28 , H05K3/34 , G03F7/40 , H01L21/48 , H01L23/498
Abstract: 一种布线基板的制造方法，所述布线基板为在绝缘层的表面形成有连接焊盘的电路基板并且在电路基板的表面具有阻焊层且连接焊盘的一部分从阻焊层露出，所述制造方法的特征在于，包括：（A）在绝缘层的表面形成有连接焊盘的电路基板的表面形成阻焊层的工序；（C1）针对阻焊层对在作为后续工序的工序（B1）中被薄膜化的区域以外的部分进行曝光的工序；（B1）利用薄膜化处理液在连接焊盘不露出的范围内对非曝光部的阻焊层进行薄膜化的工序；（C2）针对阻焊层对在作为后续工序的工序（B2）中被薄膜化的区域以外的部分进行曝光的工序；（B2）利用薄膜化处理液对非曝光部的阻焊层进行薄膜化直到变为连接焊盘的厚度以下来露出连接焊盘的一部分的工序；（C5）针对阻焊层对在工序（B2）中薄膜化后的区域部分进行曝光的工序。
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公开(公告)号：CN103109588B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201180046480.X
申请日：2011-09-05
Applicant: 三菱制纸株式会社
CPC classification number: H05K3/28 , H05K2201/09881 , H05K2203/0769 , H05K2203/0793
Abstract: 阻焊图案的形成方法，其特征在于，依次含有在具有连接焊盘的电路基板的表面形成阻焊层的步骤、利用碱水溶液进行薄膜化，直至阻焊层的厚度为连接焊盘的厚度以下的步骤，其中，相互相邻的半导体连接用的连接焊盘间不存在焊料导致的电短路，连接焊盘上不残留阻焊剂残渣。
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公开(公告)号：CN105309053A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201480033751.1
申请日：2014-06-05
Applicant: 三菱制纸株式会社
CPC classification number: G03F7/40 , H01L21/4857 , H01L23/49822 , H01L2924/0002 , H05K3/28 , H05K3/3452 , H05K2201/09845 , H05K2201/09881 , H05K2203/0505 , H05K2203/0588 , H05K2203/0594 , H05K2203/1476 , H01L2924/00
Abstract: 一种布线基板的制造方法，所述布线基板为在绝缘层的表面形成有连接焊盘的电路基板并且在电路基板的表面具有阻焊层且连接焊盘的一部分从阻焊层露出，所述制造方法的特征在于，包括：（A）在绝缘层的表面形成有连接焊盘的电路基板的表面形成阻焊层的工序；（C1）针对阻焊层对在作为后续工序的工序（B1）中被薄膜化的区域以外的部分进行曝光的工序；（B1）利用薄膜化处理液在连接焊盘不露出的范围内对非曝光部的阻焊层进行薄膜化的工序；（C2）针对阻焊层对在作为后续工序的工序（B2）中被薄膜化的区域以外的部分进行曝光的工序；（B2）利用薄膜化处理液对非曝光部的阻焊层进行薄膜化直到变为连接焊盘的厚度以下来露出连接焊盘的一部分的工序；（C5）针对阻焊层对在工序（B2）中薄膜化后的区域部分进行曝光的工序。
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公开(公告)号：CN101952484A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200980104941.7
申请日：2009-02-04
Applicant: 三菱制纸株式会社
CPC classification number: C23F1/18 , H05K3/067 , H05K2203/075 , H05K2203/1476 , H05K2203/1563 , H05K2203/1572
Abstract: 使用与被蚀刻金属反应形成不溶性化合物的蚀刻液来进行蚀刻。在使用所述蚀刻液的蚀刻之后，以与被蚀刻金属反应不形成不溶性化合物的蚀刻液来进行蚀刻，由此使蚀刻形状接近矩形，且导体图案的侧面变得平滑。此外，在使用与被蚀刻金属反应形成不溶性化合物的蚀刻液从大致下方进行蚀刻后，将被蚀刻材料的上下反转，通过从大致下方进行相反面的蚀刻，由此可在基板的两面形成微细的导体图案。
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