布线基板的制造方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107846786B

    公开(公告)日:2021-03-05

    申请号:CN201711315848.3

    申请日:2014-06-05

    Abstract: 一种布线基板的制造方法,所述布线基板为在绝缘层的表面形成有连接焊盘的电路基板并且在电路基板的表面具有阻焊层且连接焊盘的一部分从阻焊层露出,所述制造方法的特征在于,包括:(A)在绝缘层的表面形成有连接焊盘的电路基板的表面形成阻焊层的工序;(C1)针对阻焊层对在作为后续工序的工序(B1)中被薄膜化的区域以外的部分进行曝光的工序;(B1)利用薄膜化处理液在连接焊盘不露出的范围内对非曝光部的阻焊层进行薄膜化的工序;(C2)针对阻焊层对在作为后续工序的工序(B2)中被薄膜化的区域以外的部分进行曝光的工序;(B2)利用薄膜化处理液对非曝光部的阻焊层进行薄膜化直到变为连接焊盘的厚度以下来露出连接焊盘的一部分的工序;(C5)针对阻焊层对在工序(B2)中薄膜化后的区域部分进行曝光的工序。

    布线基板的制造方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107979919B

    公开(公告)日:2020-07-10

    申请号:CN201711303988.9

    申请日:2014-05-15

    Abstract: 一种布线基板的制造方法,其特征在于,包含:(A)在电路基板的两面形成厚度不同的阻焊层的工序;(C1)针对厚度比第二面的阻焊层薄的第一面的阻焊层对在作为后工序的工序(B)中被薄膜化的区域以外的部分进行曝光的工序;(C2)针对第二面的阻焊层对在作为后工序的工序(D)中显影的区域以外的部分进行曝光的工序;(B)利用薄膜化处理液使非曝光部的第一面的阻焊层薄膜化直到变为连接焊盘的厚度以下的工序;(C3)针对第一面的阻焊层对在工序(B)中薄膜化后的区域部分进行曝光的工序;以及(D)利用显影液来除去第二面的非曝光部的阻焊层的工序。

    抗蚀层的薄膜化装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106900141A

    公开(公告)日:2017-06-27

    申请号:CN201610867740.4

    申请日:2016-09-30

    Abstract: 抗蚀层的薄膜化装置,胶束除去处理单元具有pH传感器及酸性溶液添加用泵,该pH传感器设置于能监视胶束除去液的pH的位置,酸性溶液添加用泵设置在能在胶束除去液的pH上升时将酸性溶液添加到胶束除去液中的位置,酸性溶液添加用泵在胶束除去液的实际pH值pH‑M为pH‑A以上时将酸性溶液添加到胶束除去液中,pH‑M时的酸性溶液添加用泵的实际输出OP‑M由pH‑A时的酸性溶液添加用泵的输出OP‑A与胶束除去液的pH的控制目标pH‑B时的酸性溶液添加用泵的输出OP‑B之间的比例控制确定,OP‑M相对于酸性溶液添加用泵的最大输出OP‑X为10%以上50%以下,pH‑A

    阻焊剂图案的形成方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105974735A

    公开(公告)日:2016-09-28

    申请号:CN201610138287.3

    申请日:2016-03-11

    Abstract: 本发明提供可制备在连接垫料上不产生阻焊剂的残渣、且电连接可靠性优异的配线基板的阻焊剂图案的形成方法。所述阻焊剂图案的形成方法至少依次包括:在至少具有连接垫料的电路基板上形成阻焊剂层的工序,将未固化的阻焊剂层薄膜化至阻焊剂层的厚度变为连接垫料的厚度以下为止的工序;其特征在于:上述阻焊剂层至少含有(A)含有羧基的聚合物、(B)聚合性化合物、(C)填充剂和(D)光聚合引发剂而成,(A)含有羧基的聚合物的酸值为80~150mgKOH/g或(C)填充剂的平均粒径为连接垫料上的表面粗糙度Ra的1.1倍以上。

    布线基板的制造方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107969077A

    公开(公告)日:2018-04-27

    申请号:CN201711304405.4

    申请日:2014-05-15

    Abstract: 一种布线基板的制造方法,其特征在于,包含:(A)在电路基板的两面形成厚度不同的阻焊层的工序;(C1)针对厚度比第二面的阻焊层薄的第一面的阻焊层对在作为后工序的工序(B)中被薄膜化的区域以外的部分进行曝光的工序;(C2)针对第二面的阻焊层对在作为后工序的工序(D)中显影的区域以外的部分进行曝光的工序;(B)利用薄膜化处理液使非曝光部的第一面的阻焊层薄膜化直到变为连接焊盘的厚度以下的工序;(C3)针对第一面的阻焊层对在工序(B)中薄膜化后的区域部分进行曝光的工序;以及(D)利用显影液来除去第二面的非曝光部的阻焊层的工序。

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