-
公开(公告)号：CN106469724A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610685667.9
申请日：2016-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092
CPC classification number: H01L27/0924 , H01L27/0207 , H01L27/092 , H01L27/11807 , H01L29/0649 , H01L29/775 , H01L2027/11859
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：衬底，其具有第一逻辑单元、第二逻辑单元和第三逻辑单元；有源图案，其设置在第一逻辑单元至第三逻辑单元中的每一个中，以从衬底突出；以及栅极结构，其与有源图案交叉。第二逻辑单元和第三逻辑单元在第一方向上彼此间隔开，并且第一逻辑单元介于它们之间。有源图案在第一方向上排列，并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸。当在第一方向上测量时，分别在第一逻辑单元和第二逻辑单元中的最邻近的一对有源图案之间的距离与分别在第一逻辑单元和第三逻辑单元中的最邻近的一对有源图案之间的距离不同。
-
公开(公告)号：CN109037215B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201810475600.1
申请日：2018-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明公开一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：第一逻辑单元及第二逻辑单元，在衬底上在第一方向上彼此相邻；栅极电极，在第一逻辑单元及第二逻辑单元的每一者中在第一方向上延伸；电源线，在第一逻辑单元与第二逻辑单元之间的边界处在第二方向上延伸；以及连接结构，将电源线电连接到第一逻辑单元的有源图案及第二逻辑单元的有源图案。连接结构位于电源线下方且从第一逻辑单元延伸到第二逻辑单元。连接结构的顶表面处于比栅极电极的顶表面的水平高度高的水平高度。在本发明的半导体器件中，单个连接结构可将电源线电连接到不同逻辑单元的源极/漏极区。由此，半导体器件的集成度可因此得到提高且制造可因此得到简化。
-
公开(公告)号：CN117096132A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310569453.5
申请日：2023-05-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L27/02
Abstract: 本申请提供一种半导体器件，包括：半导体基板，其具有电源布置区域；第一互连结构，其设置在半导体基板上并且包括第一互连图案和电源线；第二互连结构，其设置在半导体基板上并且包括第二互连图案；以及贯通电极，其穿过每个电源布置区域并且接触电源线，其中，第一互连图案包括第一互连线，其中，电源线设置在与第一互连线当中的第一条第一互连线相同的高度水平上，并且彼此平行，其中，电源布置区域彼此平行，并且其中，电源布置区域和电源线交叉的交叉区域包括顺序布置的多个第一有源交叉区域、一个虚设交叉区域和多个第二有源交叉区域。
-
公开(公告)号：CN117012748A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310469137.0
申请日：2023-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/50 , H01L27/088
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括彼此背对的第一侧和第二侧；电源抽头单元，在基底的第一侧上，位于第一行、与第一行邻近的第二行以及与第二行邻近的第三行中；第一电源轨和第二电源轨，在电源抽头单元上，沿第一方向延伸并且沿第二方向彼此间隔开；以及电力输送网络，在基底的第二侧上。电源抽头单元包括：第一电源贯穿过孔，穿透基底并且从电力输送网络延伸到第一电源轨；以及第二电源贯穿过孔，穿透基底并且从电力输送网络延伸到第二电源轨。
-
公开(公告)号：CN109326635B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201810770377.3
申请日：2018-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括第一导电元件、顺序地设置在第一导电元件上的第一绝缘层和第二绝缘层、穿过第一绝缘层和第二绝缘层的导电通路。导电通路连接到第一导电元件。该半导体器件包括设置在第二绝缘层中沿着第一绝缘层的上表面从导电通路的一个侧表面延伸的通路延伸部分、以及设置在第二绝缘层上连接到通路延伸部分的第二导电元件。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108063157B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201710972455.3
申请日：2017-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其包含：第一有源图案，其在衬底的第一区和第二区上在第一方向上延伸；第一虚拟栅极电极，其在第二方向上延伸与第一区和第二区之间的第一有源图案交叉；接触结构，其接触第一虚拟栅极电极并且在第一方向上延伸；以及电力线，其安置在接触结构上并且电连接到接触结构。电力线在第一方向上延伸。当在平面图中查看时接触结构与电力线重叠。本发明的半导体装置的整体面积可以减小并且半导体装置的电气特征可以得到改进。
-
-
公开(公告)号：CN108172571A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711283666.2
申请日：2017-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0207 , H01L23/5283 , H01L27/105 , H01L27/1104 , H01L27/1116 , H01L27/11807 , H01L2027/11875 , H01L2027/11883 , H03K19/00
Abstract: 一种集成电路(IC)器件包括至少一个标准单元。该至少一个标准单元包括：第一有源区和第二有源区，分别设置在虚设区域的两侧的每个上，第一有源区和第二有源区具有不同的导电类型并在第一方向上延伸；第一栅线和第二栅线，在垂直于第一方向的第二方向上平行于彼此延伸跨过第一有源区和第二有源区；第一旁路互连结构，配置为电连接第一栅线与第二栅线；以及第二旁路互连结构，配置为电连接第二栅线与第一栅线。第一旁路互连结构和第二旁路互连结构包括在第一方向上延伸的下互连层、在第二方向上延伸的上互连层以及接触通路。
-
公开(公告)号：CN103872014A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310653224.8
申请日：2013-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538
CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/76895 , H01L21/823475 , H01L23/485 , H01L27/0207 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：晶体管，设置在基底上并且包括第一掺杂区域；第一接触部，沿着第一方向从第一掺杂区域延伸；长通孔，设置在第一接触部上并且共同连接到彼此相邻的第一接触部；以及共导线，设置在长通孔上并且沿着与第一方向交叉的第二方向延伸。共导线使第一掺杂区域彼此电连接。
-
公开(公告)号：CN118507479A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410472398.2
申请日：2019-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种包括标准单元的集成电路包括：多个第一阱，以第一宽度沿第一水平方向延伸并具有第一导电类型；以及多个第二阱，以第二宽度沿第一水平方向延伸并具有第二导电类型，其中所述多个第一阱和所述多个第二阱在与第一水平方向正交的第二水平方向上交替布置，当m和n是大于或等于3的整数时，标准单元具有第二水平方向上的长度，该长度等于第一宽度的一半的m倍与第二宽度的一半的n倍之和。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
37
records
(took 0.041 seconds)
