公开(公告)号：CN108063157B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN201710972455.3

申请日：2017-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 夏尔马·迪帕克 ,  拉吉普·兰詹 ,  克查纳利·苏巴斯 ,  朴哲弘 ,  梁在锡 ,  千宽永

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其包含：第一有源图案，其在衬底的第一区和第二区上在第一方向上延伸；第一虚拟栅极电极，其在第二方向上延伸与第一区和第二区之间的第一有源图案交叉；接触结构，其接触第一虚拟栅极电极并且在第一方向上延伸；以及电力线，其安置在接触结构上并且电连接到接触结构。电力线在第一方向上延伸。当在平面图中查看时接触结构与电力线重叠。本发明的半导体装置的整体面积可以减小并且半导体装置的电气特征可以得到改进。

公开(公告)号：CN108063157A

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201710972455.3

申请日：2017-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 夏尔马·迪帕克 ,  拉吉普·兰詹 ,  克查纳利·苏巴斯 ,  朴哲弘 ,  梁在锡 ,  千宽永

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/42316

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其包含：第一有源图案，其在衬底的第一区和第二区上在第一方向上延伸；第一虚拟栅极电极，其在第二方向上延伸与第一区和第二区之间的第一有源图案交叉；接触结构，其接触第一虚拟栅极电极并且在第一方向上延伸；以及电力线，其安置在接触结构上并且电连接到接触结构。电力线在第一方向上延伸。当在平面图中查看时接触结构与电力线重叠。本发明的半导体装置的整体面积可以减小并且半导体装置的电气特征可以得到改进。