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公开(公告)号：CN108063157B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201710972455.3
申请日：2017-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其包含：第一有源图案，其在衬底的第一区和第二区上在第一方向上延伸；第一虚拟栅极电极，其在第二方向上延伸与第一区和第二区之间的第一有源图案交叉；接触结构，其接触第一虚拟栅极电极并且在第一方向上延伸；以及电力线，其安置在接触结构上并且电连接到接触结构。电力线在第一方向上延伸。当在平面图中查看时接触结构与电力线重叠。本发明的半导体装置的整体面积可以减小并且半导体装置的电气特征可以得到改进。
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公开(公告)号：CN108122987B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201711206000.7
申请日：2017-11-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78
Abstract: 一种半导体装置，包括具有上表面及下表面的衬底以及从所述衬底的上表面延伸的第一有源图案至第三有源图案。所述第一有源图案至所述第三有源图案在第一方向上彼此相邻地排列。所述第二有源图案设置在所述第一有源图案与所述第三有源图案之间。所述半导体装置也包括环绕所述第一有源图案的侧表面及所述第二有源图案的侧表面的第一栅极电极、以及环绕所述第三有源图案的侧表面的第二栅极电极。所述第一有源图案至所述第三有源图案中的每一个包括第一杂质区、沟道区、及第二杂质区。
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公开(公告)号：CN108122987A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711206000.7
申请日：2017-11-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78
Abstract: 一种半导体装置，包括具有上表面及下表面的衬底以及从所述衬底的上表面延伸的第一有源图案至第三有源图案。所述第一有源图案至所述第三有源图案在第一方向上彼此相邻地排列。所述第二有源图案设置在所述第一有源图案与所述第三有源图案之间。所述半导体装置也包括环绕所述第一有源图案的侧表面及所述第二有源图案的侧表面的第一栅极电极、以及环绕所述第三有源图案的侧表面的第二栅极电极。所述第一有源图案至所述第三有源图案中的每一个包括第一杂质区、沟道区、及第二杂质区。
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公开(公告)号：CN108063157A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201710972455.3
申请日：2017-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/0207 , H01L21/823475 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/41791 , H01L29/42372 , H01L29/66545 , H01L29/78 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L29/0642 , H01L29/0684 , H01L29/42316
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其包含：第一有源图案，其在衬底的第一区和第二区上在第一方向上延伸；第一虚拟栅极电极，其在第二方向上延伸与第一区和第二区之间的第一有源图案交叉；接触结构，其接触第一虚拟栅极电极并且在第一方向上延伸；以及电力线，其安置在接触结构上并且电连接到接触结构。电力线在第一方向上延伸。当在平面图中查看时接触结构与电力线重叠。本发明的半导体装置的整体面积可以减小并且半导体装置的电气特征可以得到改进。
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