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公开(公告)号：CN109935587B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201811176477.X
申请日：2018-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092
Abstract: 公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍形图案和第二鳍形图案，位于基底上并且彼此分开地延伸；场绝缘膜，位于基底上并且围绕第一鳍形图案的部分和第二鳍形图案的部分；第一栅极结构，位于第一鳍形图案上并且与第一鳍形图案交叉；第二栅极结构，位于第二鳍形图案上并且与第二鳍形图案交叉；以及分隔结构，从场绝缘膜的顶表面突出并且使第一栅极结构和第二栅极结构分隔，场绝缘膜和分隔结构包括相同的绝缘材料。
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公开(公告)号：CN114365580A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202080063126.7
申请日：2020-07-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及了根据实施例，电子设备可以包括蓝牙通信电路和至少一个处理器。所述至少一个处理器可以被配置为：通过使用蓝牙通信电路，基于第一蓝牙通信，执行与具有第一蓝牙地址的第一音频电子设备的第一通信连接；在执行第一通信连接时，基于第一蓝牙通信，从具有第一蓝牙地址的第二音频电子设备接收第二通信连接请求；由于第一通信连接，通过使用蓝牙通信电路向第二音频电子设备发送包括对所接收的第二通信连接请求的拒绝信息的第二通信连接请求响应信号；以及通过第一通信连接向第一音频电子设备发送与第二通信连接请求的拒绝信息相关的消息。其他实施例也是可能的。
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公开(公告)号：CN109935587A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201811176477.X
申请日：2018-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092
Abstract: 公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍形图案和第二鳍形图案，位于基底上并且彼此分开地延伸；场绝缘膜，位于基底上并且围绕第一鳍形图案的部分和第二鳍形图案的部分；第一栅极结构，位于第一鳍形图案上并且与第一鳍形图案交叉；第二栅极结构，位于第二鳍形图案上并且与第二鳍形图案交叉；以及分隔结构，从场绝缘膜的顶表面突出并且使第一栅极结构和第二栅极结构分隔，场绝缘膜和分隔结构包括相同的绝缘材料。
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公开(公告)号：CN107925738A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680047443.3
申请日：2016-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/445 , H04N5/262 , H04N5/265 , H04N21/2387
Abstract: 根据各种示例，一种用于在电子设备中提供图像的方法可以包括以下步骤：通过使用功能上与电子设备连接的相机来获得对象的第一图像；生成包括要与第一图像相关的第二图像在内的至少一个图像；以及同时在功能上与电子设备连接的显示器的第一区域上显示第一图像并在显示器的第二区域上显示第二图像。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112117287A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010227364.9
申请日：2020-03-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括基底、网格结构和滤色器。基底包括限定像素区域的像素分离结构和针对每个像素区域的子像素区域。网格结构设置在基底上，并且包括设置在子像素区域之间的第一栅栏部分和设置在相邻的像素区域之间的第二栅栏部分。网格结构限定分别与子像素区域对应的开口。滤色器设置在由网格结构限定的开口中。每个滤色器具有平坦的顶表面，每个滤色器的平坦的顶表面平行于其底表面。
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公开(公告)号：CN109712974A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201810907064.8
申请日：2018-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088
Abstract: 提供了一种产生布局的方法和利用其制造半导体装置的方法，所述产生布局的方法包括：接收包括有源鳍的半导体装置的设计布局；从设计布局中提取有源鳍的设计规则；形成与有源鳍叠置的鳍线，使得鳍线具有比有源鳍的长度大的长度，其中，鳍线从与半导体装置的布局区域的一个边缘邻近的位置朝向另一边缘连续地延伸，并且形成在半导体装置的整个布局区域中；利用鳍线在半导体装置的整个布局区域中形成芯轴图案布局；利用有源鳍在半导体装置的整个布局区域中形成切割图案布局。
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公开(公告)号：CN103181786A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201310002007.2
申请日：2013-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: A61B8/00
CPC classification number: H01L41/083 , B06B1/0622 , B06B1/0685 , G10K11/002
Abstract: 本发明公开了一种超声换能器、超声探头和超声波图像诊断设备。一种超声换能器、超声探头和执行超声程序的图像诊断设备。超声换能器包括：压电层；设置在压电层的上表面上的声匹配层；多个后效率层，设置在压电层的下表面上并具有不同的声阻抗。可以通过适当地改变后效率层的声阻抗和厚度来控制超声换能器的灵敏度、带宽和脉冲长度。
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公开(公告)号：CN101308812A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810099060.8
申请日：2008-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L23/522
CPC classification number: H01L27/10888 , H01L21/76897 , H01L27/10855
Abstract: 提供了制造具有自对准接触栓塞的半导体器件的方法。方法包括：在半导体基板上形成下绝缘层；在下绝缘层上形成相互平行的多个互连图案；形成上绝缘层，其被配置为填充在互连图案之间；以及，形成跨越多个互连图案的多个第一掩膜图案，多个第一掩膜图案中的第一掩膜图案在具有上绝缘层的半导体基板上相互平行。方法可以包括：形成第二掩膜图案，其自对准于多个第一掩膜图案并且位于多个第一掩膜图案中的第一掩膜图案之间，使用第一和第二掩膜图案和多个互连图案作为刻蚀掩膜，刻蚀上绝缘层和下绝缘层，以形成使半导体基板暴露的多个接触孔，并且在多个接触孔的相应接触孔中形成多个接触栓塞。还提供了半导体器件。
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