公开(公告)号：CN111755603B

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN201911307841.6

申请日：2019-12-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵基熙 ,  姜埈求 ,  姜相列 ,  李炫锡

IPC: H10D1/68 ,  H01L23/64

Abstract: 提供了包括电容器的半导体装置和制造半导体装置的方法。半导体装置可以包括电容器，电容器包括：下电极；上电极，在下电极上；以及介电层，在下电极和上电极之间延伸。下电极可以包括接触介电层的掺杂区域，下电极的掺杂区域被构造为使电容器的电容增大。

公开(公告)号：CN110504219B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN201910342749.7

申请日：2019-04-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜埈求 ,  姜相列 ,  金润洙 ,  李珍秀 ,  丁炯硕 ,  曹圭镐

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成初级下电极层，该初级下电极层包括铌氧化物；通过在初级下电极层上执行氮化工艺，将初级下电极层的至少一部分转换成包括铌氮化物的第一下电极层；在第一下电极层上形成电介质层；以及在电介质层上形成上电极。

公开(公告)号：CN108807345B

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN201810369447.4

申请日：2018-04-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹圭镐 ,  姜相列 ,  金洙焕 ,  文瑄敏 ,  朴瑛琳 ,  徐钟汎 ,  全柱炫

IPC: H01L49/02

Abstract: 电容器包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；电介质层，设置在第一电极和第二电极之间；以及籽晶层，设置在第一电极和电介质层之间。电介质层包括具有四方晶体结构的电介质材料。籽晶层包括满足晶格常数条件或键长条件中的至少一个的籽晶材料。

公开(公告)号：CN114068498A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110842247.8

申请日：2021-07-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜埈求 ,  安相赫 ,  姜相列 ,  李珍秀 ,  李炫锡 ,  赵基熙 ,  蔡弘植

IPC: H01L23/64 ,  H01L27/108

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；第一支撑图案和第二支撑图案，在第一方向上依次堆叠在衬底上并与衬底的上表面间隔开；下电极孔，在衬底上沿第一方向延伸穿过第一支撑图案和第二支撑图案；界面膜，在下电极孔的侧壁和底表面上；下电极，在下电极孔的内部在界面膜上；电容器电介质膜，与界面膜的侧壁、界面膜的最上表面和下电极的最上表面物理接触，界面膜的最上表面形成在与第二支撑图案的上表面相同的平面上。

公开(公告)号：CN106972016B

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN201610868493.X

申请日：2016-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜相列 ,  任基彬 ,  金润洙 ,  林汉镇

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/64

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种具有电容器的半导体器件包括：具有晶体管的衬底；形成在衬底上且不重叠形成在衬底中的第一接触节点的第一绝缘图案；第二绝缘图案，其形成在衬底上，不重叠形成在衬底中的第二接触节点，并且与第一绝缘图案分离；形成在部分衬底上和第一绝缘图案的侧壁上的第一下电极；形成在部分衬底上和第二绝缘图案的侧壁上的第二下电极；形成在第一下电极和第二下电极上的电介质层图案；以及形成在电介质层图案上的上电极。相关制造方法也被讨论。

公开(公告)号：CN111063672A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201910480502.1

申请日：2019-06-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金恩善 ,  姜相列 ,  郑圭镐 ,  曺圭镐 ,  文孝植

IPC: H01L23/64 ,  H01L27/108 ,  B82Y30/00

Abstract: 提供了一种电容器和一种具有该电容器的半导体装置。所述电容器包括：下电极，包括第一金属材料并且具有几纳米的范围内的第一晶粒尺寸；介电层，覆盖下电极并且具有值为晶粒膨胀比乘以第一晶粒尺寸的值的第二晶粒尺寸；以及上电极，包括第二金属材料并且覆盖介电层。上电极具有比第二晶粒尺寸小的第三晶粒尺寸。

公开(公告)号：CN110828428A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910743284.6

申请日：2019-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文孝植 ,  姜相列 ,  金恩善 ,  朴瑛琳 ,  郑圭镐 ,  曹圭镐

IPC: H01L23/64 ,  H01L27/108 ,  H01L49/02

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底上的下电极；电介质层结构，在下电极上并且包括具有四方晶相的铪氧化物；模板层，在电介质层结构上并且包括铌氧化物(NbOx，0.5≤x≤2.5)；以及上电极结构，包括在模板层上的第一上电极和第二上电极。

公开(公告)号：CN110504219A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910342749.7

申请日：2019-04-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜埈求 ,  姜相列 ,  金润洙 ,  李珍秀 ,  丁炯硕 ,  曹圭镐

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成初级下电极层，该初级下电极层包括铌氧化物；通过在初级下电极层上执行氮化工艺，将初级下电极层的至少一部分转换成包括铌氮化物的第一下电极层；在第一下电极层上形成电介质层；以及在电介质层上形成上电极。

公开(公告)号：CN106972016A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201610868493.X

申请日：2016-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜相列 ,  任基彬 ,  金润洙 ,  林汉镇

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/64

CPC classification number: H01L27/10805 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/60 ,  H01L28/90

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种具有电容器的半导体器件包括：具有晶体管的衬底；形成在衬底上且不重叠形成在衬底中的第一接触节点的第一绝缘图案；第二绝缘图案，其形成在衬底上，不重叠形成在衬底中的第二接触节点，并且与第一绝缘图案分离；形成在部分衬底上和第一绝缘图案的侧壁上的第一下电极；形成在部分衬底上和第二绝缘图案的侧壁上的第二下电极；形成在第一下电极和第二下电极上的电介质层图案；以及形成在电介质层图案上的上电极。相关制造方法也被讨论。

公开(公告)号：CN1996570A

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200610172410.X

申请日：2006-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李琎一 ,  李忠满 ,  赵性来 ,  郑兰珠 ,  姜相列 ,  朴瑛琳

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L27/24 ,  H01L23/532 ,  H01L45/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L21/32051 ,  H01L21/28562 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

Abstract: 一种制造相变随机存取存储器件(RAM)的方法，包括在衬底上形成硫化物材料。在硫化物材料之下形成底接触，该底接触包括TiAlN。形成底接触包括执行原子层淀积(ALD)工序，ALD工序包括将NH3源气体引入处理室，在该处理室中执行ALD工序，NH3气体的流量为使得所得的底接触具有小于1at％的氯含量。根据全宽半幅(FWHM)，该底接触包括具有小于0.65度的结晶度的TiAlN。