公开(公告)号：CN111063672A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201910480502.1

申请日：2019-06-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金恩善 ,  姜相列 ,  郑圭镐 ,  曺圭镐 ,  文孝植

IPC: H01L23/64 ,  H01L27/108 ,  B82Y30/00

Abstract: 提供了一种电容器和一种具有该电容器的半导体装置。所述电容器包括：下电极，包括第一金属材料并且具有几纳米的范围内的第一晶粒尺寸；介电层，覆盖下电极并且具有值为晶粒膨胀比乘以第一晶粒尺寸的值的第二晶粒尺寸；以及上电极，包括第二金属材料并且覆盖介电层。上电极具有比第二晶粒尺寸小的第三晶粒尺寸。

公开(公告)号：CN111063672B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN201910480502.1

申请日：2019-06-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金恩善 ,  姜相列 ,  郑圭镐 ,  曺圭镐 ,  文孝植

IPC: H01L23/64 ,  H10B12/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 提供了一种电容器和一种具有该电容器的半导体装置。所述电容器包括：下电极，包括第一金属材料并且具有几纳米的范围内的第一晶粒尺寸；介电层，覆盖下电极并且具有值为晶粒膨胀比乘以第一晶粒尺寸的值的第二晶粒尺寸；以及上电极，包括第二金属材料并且覆盖介电层。上电极具有比第二晶粒尺寸小的第三晶粒尺寸。