公开(公告)号：CN111063672A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201910480502.1

申请日：2019-06-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金恩善 ,  姜相列 ,  郑圭镐 ,  曺圭镐 ,  文孝植

IPC: H01L23/64 ,  H01L27/108 ,  B82Y30/00

Abstract: 提供了一种电容器和一种具有该电容器的半导体装置。所述电容器包括：下电极，包括第一金属材料并且具有几纳米的范围内的第一晶粒尺寸；介电层，覆盖下电极并且具有值为晶粒膨胀比乘以第一晶粒尺寸的值的第二晶粒尺寸；以及上电极，包括第二金属材料并且覆盖介电层。上电极具有比第二晶粒尺寸小的第三晶粒尺寸。

公开(公告)号：CN110828428A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910743284.6

申请日：2019-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文孝植 ,  姜相列 ,  金恩善 ,  朴瑛琳 ,  郑圭镐 ,  曹圭镐

IPC: H01L23/64 ,  H01L27/108 ,  H01L49/02

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底上的下电极；电介质层结构，在下电极上并且包括具有四方晶相的铪氧化物；模板层，在电介质层结构上并且包括铌氧化物(NbOx，0.5≤x≤2.5)；以及上电极结构，包括在模板层上的第一上电极和第二上电极。

公开(公告)号：CN110931467A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201910777718.4

申请日：2019-08-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑圭镐 ,  姜相列 ,  曹圭镐 ,  金恩善 ,  文孝植

IPC: H01L23/64 ,  H01L49/02

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法，所述制造半导体器件的方法包括：形成第一电极；在第一电极上形成初始介电层；在初始介电层上形成第二电极；以及使初始介电层至少部分地相变以形成介电层。第一电极与介电层之间的界面能可以小于第一电极与初始介电层之间的界面能。

公开(公告)号：CN111063672B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN201910480502.1

申请日：2019-06-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金恩善 ,  姜相列 ,  郑圭镐 ,  曺圭镐 ,  文孝植

IPC: H01L23/64 ,  H10B12/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 提供了一种电容器和一种具有该电容器的半导体装置。所述电容器包括：下电极，包括第一金属材料并且具有几纳米的范围内的第一晶粒尺寸；介电层，覆盖下电极并且具有值为晶粒膨胀比乘以第一晶粒尺寸的值的第二晶粒尺寸；以及上电极，包括第二金属材料并且覆盖介电层。上电极具有比第二晶粒尺寸小的第三晶粒尺寸。

公开(公告)号：CN110931467B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN201910777718.4

申请日：2019-08-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑圭镐 ,  姜相列 ,  曹圭镐 ,  金恩善 ,  文孝植

IPC: H01L23/64 ,  H10N97/00

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法，所述制造半导体器件的方法包括：形成第一电极；在第一电极上形成初始介电层；在初始介电层上形成第二电极；以及使初始介电层至少部分地相变以形成介电层。第一电极与介电层之间的界面能可以小于第一电极与初始介电层之间的界面能。