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公开(公告)号：CN1996570A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610172410.X
申请日：2006-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/82 , H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L27/24 , H01L23/532 , H01L45/00 , G11C11/56 , G11C16/02
CPC classification number: H01L21/32051 , H01L21/28562 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/16
Abstract: 一种制造相变随机存取存储器件(RAM)的方法，包括在衬底上形成硫化物材料。在硫化物材料之下形成底接触，该底接触包括TiAlN。形成底接触包括执行原子层淀积(ALD)工序，ALD工序包括将NH3源气体引入处理室，在该处理室中执行ALD工序，NH3气体的流量为使得所得的底接触具有小于1at％的氯含量。根据全宽半幅(FWHM)，该底接触包括具有小于0.65度的结晶度的TiAlN。
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公开(公告)号：CN101794735A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200910259030.3
申请日：2009-12-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8229 , H01L21/8239 , H01L21/768 , H01L27/24 , H01L23/528
CPC classification number: H01L21/76816 , H01L27/24
Abstract: 本发明提供了形成接触结构的方法以及使用该接触结构制造的半导体器件。接触结构的形成可以包括在衬底上形成第一成型图案，形成绝缘层以至少覆盖第一成型图案的侧壁，形成第二成型图案以覆盖绝缘层的侧壁并且与第一成型图案隔开，移除第一和第二成型图案之间的绝缘层的部分以形成孔，以及在第一和第二成型图案之间形成绝缘图案，以及在孔中形成接触图案。
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公开(公告)号：CN108346619B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201810067806.0
申请日：2018-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 一种半导体器件和形成其的方法，该半导体器件包括：具有开口的绝缘结构；设置在开口中的导电图案；覆盖导电图案的底表面的阻挡结构，阻挡结构在导电图案与开口的侧壁之间延伸；以及晶核结构，设置在导电图案与阻挡结构之间。晶核结构包括接触阻挡结构的第一晶核层和接触导电图案的第二晶核层，并且第二晶核层的顶端部分高于第一晶核层的顶端部分。
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公开(公告)号：CN101106177B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200710136265.4
申请日：2007-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C23C16/45523 , C23C16/305 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1616 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: 示例性实施例可提供一种相变材料层和形成相变材料层的方法以及使用相变材料层的装置，形成相变材料层的方法包括以下步骤：在反应室中产生包括氩和/或氦的等离子体；将包括第一材料的第一源气体引入，以在目标物上形成第一材料层；将包括第二材料的第二源气体引入到反应室中，在目标物上形成第一复合材料层，将包括第三材料的第三源气体引入，以在第一复合材料层上形成第三材料层；将包括第四材料的第四源气体引入，以在第一复合材料层上形成第二复合材料层。示例性实施例的含碳的相变材料层可在氦/氩等离子体环境以及低温条件下通过在各种供给时间内提供源气体更加容易和/或快速地形成。示例性实施例还可包括使用相变存储层的存储装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101106177A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710136265.4
申请日：2007-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C23C16/45523 , C23C16/305 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1616 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: 示例性实施例可提供一种相变材料层和形成相变材料层的方法以及使用相变材料层的装置，形成相变材料层的方法包括以下步骤：在反应室中产生包括氩和/或氦的等离子体；将包括第一材料的第一源气体引入，以在目标物上形成第一材料层；将包括第二材料的第二源气体引入到反应室中，在目标物上形成第一复合材料层，将包括第三材料的第三源气体引入，以在第一复合材料层上形成第三材料层；将包括第四材料的第四源气体引入，以在第一复合材料层上形成第二复合材料层。示例性实施例的含碳的相变材料层可在氦/氩等离子体环境以及低温条件下通过在各种供给时间内提供源气体更加容易和/或快速地形成。示例性实施例还可包括使用相变存储层的存储装置。
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公开(公告)号：CN101106173A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710101022.7
申请日：2007-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1233 , C23C16/305 , C23C16/45523 , H01L45/06 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1616 , H01L45/1683
Abstract: 一种形成相变材料层的方法，包括制备具有绝缘体和导体的衬底，将该衬底装载到处理室中，注入淀积气体到该处理室中，以在该导体的露出表面上有选择地形成相变材料层，以及从处理室卸载该衬底，其中该处理室中的淀积气体的寿命短于淀积气体通过热能起反应的时间。
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公开(公告)号：CN108346619A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810067806.0
申请日：2018-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 一种半导体器件和形成其的方法，该半导体器件包括：具有开口的绝缘结构；设置在开口中的导电图案；覆盖导电图案的底表面的阻挡结构，阻挡结构在导电图案与开口的侧壁之间延伸；以及晶核结构，设置在导电图案与阻挡结构之间。晶核结构包括接触阻挡结构的第一晶核层和接触导电图案的第二晶核层，并且第二晶核层的顶端部分高于第一晶核层的顶端部分。
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公开(公告)号：CN101794735B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN200910259030.3
申请日：2009-12-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8229 , H01L21/8239 , H01L21/768 , H01L27/24 , H01L23/528
CPC classification number: H01L21/76816 , H01L27/24
Abstract: 本发明提供了形成接触结构的方法以及使用该接触结构制造的半导体器件。接触结构的形成可以包括在衬底上形成第一成型图案，形成绝缘层以至少覆盖第一成型图案的侧壁，形成第二成型图案以覆盖绝缘层的侧壁并且与第一成型图案隔开，移除第一和第二成型图案之间的绝缘层的部分以形成孔，以及在第一和第二成型图案之间形成绝缘图案，以及在孔中形成接触图案。
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公开(公告)号：CN102104111A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010562707.3
申请日：2010-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1233 , H01L45/06 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/16
Abstract: 本发明提供一种形成可变电阻存储器件的电极的方法和使用该方法的可变电阻半导体存储器件。该方法包括：形成加热电极；在该加热电极上形成可变电阻材料层；以及在该可变电阻材料层上形成顶电极，其中该加热电极包括金属的氮化物，所述金属的原子半径大于钛的原子半径，且所述加热电极通过热化学气相沉积方法形成而没有使用等离子体。
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