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公开(公告)号：CN101719510A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910177796.7
申请日：2009-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7613 , B82Y10/00 , H01L29/1029 , H01L29/16 , H01L29/1606 , H01L29/66977
Abstract: 本发明公开了一种量子干涉晶体管及其制造和操作方法。一种量子干涉晶体管可以包括：源极；漏极；N个沟道(N≥2)，位于源极和漏极之间，并具有N-1个在源极和漏极之间的路径差；至少一个栅极，设置在N个沟道中的一个或多个沟道处。N个沟道中的一个或多个沟道可以形成在石墨烯片中。一种制造所述量子干涉晶体管的方法可以包括利用石墨烯片形成N个沟道中的一个或多个沟道。一种操作所述量子干涉晶体管的方法可以包括将电压施加到至少一个栅极。电压可以使穿过形成有所述至少一个栅极的沟道的电子波的相位移位。
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公开(公告)号：CN101635166A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200910140009.1
申请日：2009-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G01R33/12 , G01R33/1207 , G01R33/1284 , G01R33/1292 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C19/0808 , G11C19/0841
Abstract: 一种使用磁畴壁移动的信息存储装置以及操作该装置的方法，所述信息存储装置包括：存储节点；写入单元，被配置以将信息写入到存储节点的第一磁畴区域；读取单元，被配置以从存储节点的第二磁畴区域读取信息。所述信息存储装置还包括：临时存储单元，被配置以临时存储由读取单元读取的信息；写入控制单元，电连接到临时存储单元，被配置以控制供应到写入单元的电流。从第二磁畴区域读取的信息被存储在临时存储单元中并被写入到第一磁畴区域。
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公开(公告)号：CN100573876C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200510120245.9
申请日：2005-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/79
Abstract: 提供了一种采用具有多种电阻状态的电阻器的非易失性存储器件及其操作方法。存储器件包括开关器件和电阻器。电阻器与开关器件电连接且具有一个复位电阻状态和至少两个或多个设定电阻状态。
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公开(公告)号：CN100502010C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200510068438.4
申请日：2005-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供了利用具有分级电阻变化的多层的存储器件。所述存储器件包括：下电极；数据存储层，形成于下电极上且具有分级的电阻变化；和上电极，形成于数据存储层上。
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公开(公告)号：CN101192648A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710196017.9
申请日：2007-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/165 , H01L27/2436 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明的示例实施例涉及一种电阻随机存取存储器(RRAM)以及制造该RRAM的方法。根据示例实施例的RRAM可以包括：下电极，可以形成在下结构(例如，基底)上；电阻层，可以形成在下电极上，其中，电阻层可以包含过渡金属掺杂物；上电极，可以形成在电阻层上。因此，过渡金属掺杂物可以在电阻层中形成用作电流通路的丝。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1815770A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200510136129.6
申请日：2005-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/003 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/56 , G11C2213/76 , G11C2213/77 , H01L27/2427 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供具有两种电阻器的非易失性存储器件。该非易失性存储器件包括：下电极；第一电阻层，其形成在所述下电极上且具有两种或更多种电阻特性；第二电阻层，其形成在所述第一电阻层上且具有阈值开关特性；以及上电极，其形成在所述第二电阻层上。
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公开(公告)号：CN1790720A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510120245.9
申请日：2005-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/79
Abstract: 提供了一种采用具有多种电阻状态的电阻器的非易失性存储器件及其操作方法。存储器件包括开关器件和电阻器。电阻器与开关器件电连接且具有一个复位电阻状态和至少两个或多个设定电阻状态。
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公开(公告)号：CN1790719A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510120235.5
申请日：2005-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105
CPC classification number: H01L27/24 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/75
Abstract: 本发明涉及一种包括一电阻器和一晶体管的非易失存储器件。所述非易失存储器件包括：晶体管；电连接到所示晶体管的第一杂质区和第二杂质区的电阻层。
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公开(公告)号：CN1773709A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200510103902.9
申请日：2005-09-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/112
CPC classification number: G11C11/5621 , B82Y10/00 , G11C11/5607 , G11C11/5628 , G11C11/5657 , G11C13/025 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L21/28291 , H01L29/0692 , H01L29/4232 , H01L29/7923
Abstract: 公开了一种多位闪速存储器件及其操作方法。该多位闪速存储器件包括：堆叠结构，该堆叠结构包括：设置在衬底上具有台面形状的第一有源层；第二有源层，在第一有源层上形成且具有与第一有源层不同的导电类型；有源层间隔离层，插置在第一有源层与第二有源层之间以便将第一有源层从第二有源层电隔离；公共源极和公共漏极，在堆叠结构的一对相对的侧表面上形成；公共第一栅极和公共第二栅极，在堆叠结构的另外一对相对的侧表面上形成；隧道介质层，插置在第一和第二栅极与第一和第二有源层之间；以及电荷捕集层，插置在隧道介质层与第一和第二栅极之间，存储隧穿隧道介质层的电荷。
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公开(公告)号：CN102569398B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201110230441.7
申请日：2011-08-12
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/41733 , H01L29/66045 , H01L29/778 , H01L29/78684 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供了一种具有多个石墨烯沟道层的石墨烯电子器件。该石墨烯电子器件包括：基板；形成在基板上的栅电极；第一栅绝缘膜，覆盖基板上的栅电极；多个石墨烯沟道层，形成在基板上，并且在多个石墨烯沟道层之间具有第二栅绝缘膜；源电极和漏电极，连接到每个石墨烯沟道层的两边缘。
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