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公开(公告)号：CN102569398A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110230441.7
申请日：2011-08-12
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/41733 , H01L29/66045 , H01L29/778 , H01L29/78684 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供了一种具有多个石墨烯沟道层的石墨烯电子器件。该石墨烯电子器件包括：基板；形成在基板上的栅电极；第一栅绝缘膜，覆盖基板上的栅电极；多个石墨烯沟道层，形成在基板上，并且在多个石墨烯沟道层之间具有第二栅绝缘膜；源电极和漏电极，连接到每个石墨烯沟道层的两边缘。
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公开(公告)号：CN102569398B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201110230441.7
申请日：2011-08-12
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/41733 , H01L29/66045 , H01L29/778 , H01L29/78684 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供了一种具有多个石墨烯沟道层的石墨烯电子器件。该石墨烯电子器件包括：基板；形成在基板上的栅电极；第一栅绝缘膜，覆盖基板上的栅电极；多个石墨烯沟道层，形成在基板上，并且在多个石墨烯沟道层之间具有第二栅绝缘膜；源电极和漏电极，连接到每个石墨烯沟道层的两边缘。
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公开(公告)号：CN101165816A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710096631.8
申请日：2007-04-19
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力财团
CPC classification number: G01Q60/30
Abstract: 本发明提供了一种具有浮凸电阻性尖端的半导体探针及该半导体探针的制造方法。该半导体探针包括沿交叉悬臂长度方向的第一方向在悬臂上突出到预定高度的突出部分、形成在该突出部分上的浮凸电阻性尖端、和在该突出部分的浮凸电阻性尖端的任一侧形成的第一和第二半导体电极区，其中该悬臂掺杂第一掺杂剂，第一和第二半导体电极区和浮凸电阻性尖端掺杂极性不同于第一掺杂剂的第二掺杂剂，且浮凸电阻性尖端以低于第一和第二半导体电极区的浓度掺杂。
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公开(公告)号：CN118553762A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410207415.X
申请日：2024-02-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件，包括：第一源极/漏极区域和第一背侧接触结构，第一背侧接触结构在第一源极/漏极区域正下方，连接到第一源极/漏极区域；第二源极/漏极区域和在第二源极/漏极区域正下方的第一占位体隔离结构；以及背侧隔离结构，在半导体器件的背侧上，围绕第一背侧接触结构和第一占位体隔离结构。
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公开(公告)号：CN116960128A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310429553.8
申请日：2023-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/423
Abstract: 提供了一种多堆叠半导体器件，包括：衬底；下堆叠纳米片晶体管，包括被下栅极结构围绕的两个或更多个下沟道层，下沟道层连接下源极/漏极区；以及上堆叠纳米片晶体管，形成在下堆叠纳米片晶体管上方并且包括被上栅极结构围绕的两个或更多个上沟道层，上沟道层连接上源极/漏极区，其中下堆叠纳米片晶体管和上堆叠纳米片晶体管具有以下至少之一：下沟道层中的一个的厚度与上沟道层中的一个的厚度之间的差异；以及两个相邻的下沟道层之间的下栅极结构的厚度与两个相邻的上沟道层之间的上栅极结构的厚度之间的差异。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101165816B
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200710096631.8
申请日：2007-04-19
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力财团
CPC classification number: G01Q60/30
Abstract: 本发明提供了一种具有浮凸电阻性尖端的半导体探针及该半导体探针的制造方法。该半导体探针包括沿交叉悬臂长度方向的第一方向在悬臂上突出到预定高度的突出部分、形成在该突出部分上的浮凸电阻性尖端、和在该突出部分的浮凸电阻性尖端的任一侧形成的第一和第二半导体电极区，其中该悬臂掺杂第一掺杂剂，第一和第二半导体电极区和浮凸电阻性尖端掺杂极性不同于第一掺杂剂的第二掺杂剂，且浮凸电阻性尖端以低于第一和第二半导体电极区的浓度掺杂。
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公开(公告)号：CN119922972A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411025594.1
申请日：2024-07-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件，其包括：第一源极/漏极区；以及在第一源极/漏极区的第一部分上的第一接触结构；以及在第一源极/漏极区的第二部分上的第二接触结构，其中第一接触结构和第二接触结构中的至少一个被配置为将第一源极/漏极区连接到用于信号路由的另一电路元件或电压源。
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公开(公告)号：CN118825026A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410431502.3
申请日：2024-04-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L27/12 , H01L21/82 , H01L21/822 , H01L21/8238 , H01L21/84
Abstract: 提供了集成电路器件及其形成方法。该集成电路器件包括：在基板上的上晶体管结构，上晶体管结构包括在第一水平方向上彼此间隔开的一对上源极/漏极区和在所述一对上源极/漏极区之间的上栅电极；在基板和上晶体管结构之间的下晶体管结构，下晶体管结构包括下栅电极；在下晶体管结构上的上绝缘层，其中，上栅电极在上绝缘层中；以及延伸穿过上绝缘层并接触下栅电极的下栅极接触，上栅电极在第二水平方向上的中心和下栅电极在第二水平方向上的中心在第二水平方向上彼此偏移，第二水平方向垂直于第一水平方向。
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公开(公告)号：CN117637742A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311080723.2
申请日：2023-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/07 , H01L21/8249 , H01L21/8234 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 提供了一种场效应晶体管结构，包括：衬底，其中包括至少一个第一掺杂区、在第一掺杂区的一侧的第二掺杂区以及在第一掺杂区的另一侧的第三掺杂区；第一沟道结构，其中包括在衬底中的第二掺杂区上的第四掺杂区；以及第二沟道结构，在第一沟道结构的一侧，其中包括在衬底中的第三掺杂区上的第五掺杂区，其中第四掺杂区、第二掺杂区、第一掺杂区、第三掺杂区和第五掺杂区形成顺序连接的无源器件。
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公开(公告)号：CN119967902A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411509442.9
申请日：2024-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了堆叠场效应晶体管（FET）装置及相关制造方法。堆叠FET装置包括具有下沟道层和在下沟道层之间的下逸出功金属（WFM）层的下FET。堆叠FET装置包括在下FET的顶部上的上FET。上FET具有上沟道层和在上沟道层之间的上WFM层。此外，堆叠FET装置包括在上WFM层上的绝缘覆盖层。
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