-
公开(公告)号：CN100524875C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510136129.6
申请日：2005-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/003 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/56 , G11C2213/76 , G11C2213/77 , H01L27/2427 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供具有两种电阻器的非易失性存储器件。该非易失性存储器件包括：下电极；第一电阻层，其形成在所述下电极上且具有两种或更多种电阻特性；第二电阻层，其形成在所述第一电阻层上且具有阈值开关特性；以及上电极，其形成在所述第二电阻层上。
-
公开(公告)号：CN1790726A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510120431.2
申请日：2005-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/72 , G11C2213/73 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明涉及一种包括一个电阻器和一个二极管的非挥发性存储器。其包括：底部电极；电阻器结构，布置在底部电极上；二极管结构，布置在电阻器结构上；和上部电极，布置在二极管结构上。本发明的非挥发性存储器可以用简单工艺制造，可以用低电力驱动，具有快的运作速度。
-
公开(公告)号：CN100593242C
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200510120431.2
申请日：2005-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/72 , G11C2213/73 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明涉及一种包括一个电阻器和一个二极管的非挥发性存储器。其包括：底部电极；电阻器结构，布置在底部电极上；二极管结构，布置在电阻器结构上；和上部电极，布置在二极管结构上。本发明的非挥发性存储器可以用简单工艺制造，可以用低电力驱动，具有快的运作速度。
-
公开(公告)号：CN1815770A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200510136129.6
申请日：2005-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/003 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/56 , G11C2213/76 , G11C2213/77 , H01L27/2427 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供具有两种电阻器的非易失性存储器件。该非易失性存储器件包括：下电极；第一电阻层，其形成在所述下电极上且具有两种或更多种电阻特性；第二电阻层，其形成在所述第一电阻层上且具有阈值开关特性；以及上电极，其形成在所述第二电阻层上。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.018 seconds)
