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公开(公告)号：CN100557812C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200610087668.X
申请日：2006-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/143 , G11C2213/52 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/1286 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供了一种相变随机存取存储器(PRAM)及其操作方法。该PRAM包括：连接到开关器件的下电极；形成在所述下电极上的下电极接触层；相变层，所述相变层形成在所述下电极接触层上并包括与所述下电极接触层的上表面相接触的底表面；以及形成在所述相变层上的上电极。其中，所述下电极接触层由塞贝克系数的绝对值高于TiAlN的塞贝克系数的绝对值且具有负的塞贝克系数、热导率低于TiAlN的热导率、并且电阻与TiAlN的电阻类似的材料形成。
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公开(公告)号：CN1828923A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610004964.9
申请日：2006-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24 , H01L45/00 , H01L21/822
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/1273 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/16
Abstract: 提供了一种要求低驱动电流脉冲的相变存储器件及其制造方法。在所述相变存储器件中，在第一电极上形成介电层，在所述介电层的接触孔中形成导电触头。在所述介电层上形成相变材料膜以覆盖所述导电触头，并在所述相变材料膜上形成第二电极。晶体管电连接至所述第一电极。由此形成了宽度小于30nm的导电触头。
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公开(公告)号：CN1825612A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200510126836.7
申请日：2005-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1608
Abstract: 提供了一种PRAM，及其制造方法。所述PRAM包括晶体管和数据存储器。所述的数据存储器连接至所述晶体管。数据存储器包括顶部电极、底部电极和多孔PCM层。所述的多孔PCM层插入到所述顶部电极和底部电极之间。根据本发明，PRAM具有这样的结构，其能够增大PCM层的电流密度，并降低复位电流。
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公开(公告)号：CN101165911B
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200710096172.3
申请日：2007-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1666
Abstract: 本发明提供一种在底电极接触层和相变层之间具有增大的接触面积的相变存储器件和制造该相变存储器件的方法。该相变存储器件包括：存储节点，包括填充通孔的底电极接触层、相变层和顶电极层；以及开关器件，连接到该底电极接触层，其中该底电极接触层具有朝向该相变层的突出部分。该突出部分通过以比该底电极接触层高的蚀刻速率干法或湿法蚀刻该底电极接触层周围的绝缘间层形成，或者利用选择性生长方法、或沉积和光刻工艺形成。进行选择性生长法或沉积和光刻工艺之后，还可进行干法或湿法蚀刻。
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公开(公告)号：CN102004197A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010271538.8
申请日：2010-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/004 , G11C13/0004 , G11C13/0007
Abstract: 一种测量电阻存储器器件中的存储器单元的电阻的方法可以通过如下提供：把数据写脉冲施加到所述电阻存储器器件的被选择的单元；在自施加所述写数据脉冲的时刻测量的一段延迟时间以后，把电阻读脉冲施加到所述被选择的单元；测量响应于当把所述电阻读脉冲施加到所述被选择的单元时输出的脉冲波形在所述单元的下降电压；使用所述下降电压和耦合到所述单元的测试设备的内阻测量通过所述单元的总电流；以及，使用所述总电流和所述电阻读脉冲的电压确定所述电阻存储器器件的电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1909239B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200610121248.9
申请日：2006-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1286 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144
Abstract: 本发明公开了一种相变材料、包括该相变材料的PRAM以及制造和操作这种PRAM的方法。绝缘杂质均匀分布在相变材料的整个或部分区域上。该PRAM包括含有相变材料的相变层。相变材料的绝缘杂质含量可小于相变材料体积的10％。相变材料绝缘杂质的含量可以通过控制施加到包括绝缘杂质的靶的电能调节。
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公开(公告)号：CN100502010C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200510068438.4
申请日：2005-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供了利用具有分级电阻变化的多层的存储器件。所述存储器件包括：下电极；数据存储层，形成于下电极上且具有分级的电阻变化；和上电极，形成于数据存储层上。
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公开(公告)号：CN100555652C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200610142556.X
申请日：2006-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/144 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1286 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: 提供了一种相变存储器件及其操作和制造方法。在包括开关元件和连接至开关元件的存储节点的相变存储器件中，存储节点包括：连接至开关元件的下部电极；形成于下部电极上的相变层；以及形成于相变层上的上部电极，下部电极和上部电极由热电材料构成，热电材料具有高于相变层的熔点，并具有不同的导电类型。下部电极得上表面可以具有凹陷外形，可以在下部电极和相变层之间提供下部电极接触层。此外，相变层得厚度可以是100nm或更低，下部电极可以由n型热电材料构成，上部电极可以由p型热电材料构成，或者将二者的上述成分对调。下部电极、相变层和上部电极的塞贝克系数可以互不相同。
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公开(公告)号：CN1873996A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610087668.X
申请日：2006-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/143 , G11C2213/52 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/1286 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供了一种相变随机存取存储器(PRAM)及其操作方法。该PRAM包括：连接到开关器件的下电极；形成在所述下电极上的下电极接触层；相变层，所述相变层形成在所述下电极接触层上并包括与所述下电极接触层的上表面相接触的底表面；以及形成在所述相变层上的上电极。其中，所述下电极接触层由塞贝克系数的绝对值高于TiAlN的塞贝克系数的绝对值且具有负的塞贝克系数、热导率低于TiAlN的热导率、并且电阻与TiAlN的电阻类似的材料形成。
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公开(公告)号：CN1691334A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510068438.4
申请日：2005-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供了利用具有分级电阻变化的多层的存储器件。所述存储器件包括：下电极；数据存储层，形成于下电极上且具有分级的电阻变化；和上电极，形成于数据存储层上。
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