公开(公告)号：CN100524875C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200510136129.6

申请日：2005-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑镛洙 ,  朴允童 ,  柳寅儆 ,  李明宰 ,  徐顺爱 ,  金惠英 ,  安承彦 ,  徐大卫

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: G11C13/003 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/76 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供具有两种电阻器的非易失性存储器件。该非易失性存储器件包括：下电极；第一电阻层，其形成在所述下电极上且具有两种或更多种电阻特性；第二电阻层，其形成在所述第一电阻层上且具有阈值开关特性；以及上电极，其形成在所述第二电阻层上。

公开(公告)号：CN1913191A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200610110772.6

申请日：2006-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安承彦 ,  金惠英 ,  朴炳昊 ,  尹浈斌 ,  金裕善

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1641

Abstract: 本发明提供了一种减小并稳定复位电流的存储器件的制造方法。所述存储器件包括由电阻变化材料组成的氧化层，用于稳定复位电流，所述方法包括：在下结构上形成下电极和氧化层；和将电子束或离子束照射到所述氧化层的一区域上。减小并稳定了本发明的存储器件的复位电流。

公开(公告)号：CN1815770A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200510136129.6

申请日：2005-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑镛洙 ,  朴允童 ,  柳寅儆 ,  李明宰 ,  徐顺爱 ,  金惠英 ,  安承彦 ,  徐大卫

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: G11C13/003 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/76 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供具有两种电阻器的非易失性存储器件。该非易失性存储器件包括：下电极；第一电阻层，其形成在所述下电极上且具有两种或更多种电阻特性；第二电阻层，其形成在所述第一电阻层上且具有阈值开关特性；以及上电极，其形成在所述第二电阻层上。