公开(公告)号：CN100411193C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN02804810.5

申请日：2002-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金保成 ,  郑宽旭 ,  洪完植 ,  金湘甲 ,  洪雯杓

IPC: H01L29/786 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1345

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76804 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1248 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在衬底上形成栅极布线；接着，在形成一栅极绝缘膜后，在其上顺序形成一半导体层和一欧姆接触层；其次，形成数据布线；再沉积一钝化层和一有机绝缘膜并对其进行构图，以形成分别用于暴露漏极电极、栅极衬垫和数据衬垫的接触孔，其中，所述接触孔周围的有机绝缘膜形成得比其它部分中的有机绝缘膜薄；然后，通过灰磨工艺去除接触孔周围的有机绝缘膜，以暴露接触孔中的钝化层的边界线，从而消除钻蚀，之后，形成分别连接至漏极电极、栅极衬垫和数据衬垫的一像素电极、一辅助栅极衬垫和一辅助数据衬垫。

公开(公告)号：CN101221925A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200710306900.9

申请日：2007-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔升夏 ,  吴旼锡 ,  金湘甲 ,  崔在镐 ,  丁有光

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/027 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/1362 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明提供了一种制造包括几个区域的液晶显示设备的方法。在形成栅极线层、栅极绝缘体、半导体层、数据层和光刻胶层之后，使用掩模限定光刻胶层的多个区域。某些区域在显影后具有不同厚度的光刻胶层。当曝光栅极垫和数据垫时，同时对栅极垫和数据垫应用刻蚀处理。然后，钝化层被沉积在通过接触孔暴露的栅极垫和数据垫之上。当在覆盖层中形成其它接触孔时，数据垫和栅极垫可被暴露以在相同的时间段内进行刻蚀处理。

公开(公告)号：CN101106142A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710146458.8

申请日：2007-06-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申暻周 ,  周振豪 ,  金彰洙 ,  昔俊亨 ,  张元基 ,  林淳权 ,  金时烈 ,  金湘甲 ,  梁成勋 ,  蔡钟哲 ,  金镇奭 ,  柳慧英

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/133

Abstract: 一种显示基板，包括TFT层、钝化层、有机层、无机绝缘层和像素电极。该TFT层包括栅极线和数据线、薄膜晶体管和存储电极。该数据线与该栅极线相交叉，并通过栅绝缘层与该栅极线电绝缘。该TFT电连接至该栅极线和数据线。该钝化层覆盖住该TFT层。该有机层在该钝化层上。该低温沉积的无机绝缘层在该有机层上，并且该低温为约100℃至约250℃。该像素电极在该无机绝缘层上，以通过穿过该无机绝缘层、有机层和钝化层形成的接触孔电连接至该TFT。该无机绝缘层有助于阻挡来自该有机层的杂质泄漏到该无机绝缘层上方的层中。本发明还涉及一种显示基板的制造方法和一种具有该显示基板的显示装置。

公开(公告)号：CN1879054A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200480033271.1

申请日：2004-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金湘甲 ,  李帝珉 ,  赵宽英 ,  郑钟台 ,  宋仁虎 ,  崔熙焕 ,  姜圣哲 ,  妻镐民 ,  崔凡洛 ,  崔埈厚

IPC: G02F1/136

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管阵列面板、液晶显示器及其制造方法。用于LCD的薄膜晶体管阵列面板用于以独立方式驱动各个像素的电路板。本发明提供了像素电极和把栅极线和数据线的扩展部分连接到外部电路的接触辅助，它们具有包括IZO层和ITO层的双层结构。ITO层设置在IZO层上。在本发明中，像素电极形成为具有IZO层和ITO层的双层以避免在总体测试过程中布线被ITO蚀刻剂破坏并防止探针上的异物堆积。在本发明中，可以仅接触辅助形成为具有IZO层和ITO层的双层，以防止在总体测试过程中探针上的异物堆积。由于减小了ITO的消耗，降低了制造成本。

公开(公告)号：CN1267769C

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200410037201.5

申请日：2004-04-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔熙焕 ,  金湘甲 ,  姜聖哲 ,  宋仁虎

IPC: G02F1/133 ,  H05H1/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32082

Abstract: 本发明涉及一种等离子箱体，该等离子箱体包括下部电极和上部电极，并用于干蚀刻液晶显示器，包括：主电源部，包括用于产生具有预定主频率的主电压的主电源和用于阻抗匹配主电压的第一阻抗匹配电路；偏压电源部，包括用于产生具有预定偏压频率的偏电压的偏压电源和用于阻抗匹配偏电压的第二阻抗匹配电路；以及混频器，与第一阻抗匹配电路和第二阻抗匹配电路连接、接收并混合主电压和偏电压，且向下部电极和上部电极中的一个电极输出的混合电压。就这种配置而言，本发明提供一种等离子箱体，其中将诸如蚀刻率、蚀刻剖面、选择比等这类的工艺条件进行精确调整。

公开(公告)号：CN1794431A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200510129428.7

申请日：2005-12-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔熙焕 ,  金湘甲 ,  吴旼锡 ,  秦洪基

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/00 ,  H05H1/00 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01L21/67069

Abstract: 本发明公开了一种等离子体装置。所述等离子体装置包括：反应室，具有反应空间以容纳被处理的基板；线圈，位于所述反应空间的外部上；电源，将交流频率电源施加到所述线圈上；以及导电板，位于所述线圈和所述反应空间之间且从施加到所述线圈上的交流频率电源产生感应电流。因此，本发明提供了等离子体装置，其在反应室的内部气体中诱发均匀的电场。

公开(公告)号：CN1670909A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200510055765.6

申请日：2005-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李禹根 ,  赵范锡 ,  李制勋 ,  郑敞午 ,  金湘甲 ,  吴旼锡 ,  李永旭 ,  崔熙焕

IPC: H01L21/00 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/36 ,  G09G3/38

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F2001/136236 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L29/41733

Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下步骤：在基片上形成栅极线；在栅极线上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成数据线及漏极；在数据线及漏极上沉积钝化层；在钝化层上形成光致抗蚀剂，该光致抗蚀剂包含第一部分和比第一部分薄的第二部分；利用将光致抗蚀剂作为掩模蚀刻钝化层，以至少部分地露出漏极的一部分；除去光致抗蚀剂的第二部分；沉积导电薄膜；以及除去光致抗蚀剂，以在漏极的露出部分上形成像素电极。

公开(公告)号：CN1615452A

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN02827158.0

申请日：2002-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳昇熙 ,  洪雯杓 ,  卢水贵 ,  卢南锡 ,  宋根圭 ,  崔熙焕 ,  金保成 ,  金湘甲 ,  姜聖哲 ,  朴弘植

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/136295

Abstract: 首先，利用含有8－12％Ce(NH4)2(NO3)6、10－20％NH3及残留超纯水的蚀刻剂来沉积Cr层和CrOx层并制作布线图案，以形成包括多条栅极线、多个栅极、以及多个栅极衬垫的栅极布线。然后，顺次形成栅极绝缘层、半导体层、及欧姆接触层。利用含有8－12％Ce(NH4)2(NO3)6、10－20％NH3及残留超纯水的蚀刻剂来沉积Cr层和CrOx层并制作布线图案，以形成包括多条数据线、多个源极、多个漏极、及多个数据衬垫的数据布线。接着，沉积钝化层并制作布线图案以形成分别露出漏极、栅极衬垫、及数据衬垫的接触孔。沉积透明导电材料或反射性导电材料并制作布线图案以形成分别与漏极、栅极衬垫、及数据衬垫电连接的多个像素电极、多个辅助栅极衬垫、及多个辅助数据衬垫。将具有低反射比的栅极线和数据线作为遮光层用于遮挡像素区域之间光泄漏，而不增加黑色亮度。因此，无需在滤色器面板上设置单独的黑阵，从而可获得像素的纵横比和高对比度。

公开(公告)号：CN1195243C

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：CN00132400.4

申请日：2000-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪雯杓 ,  洪完植 ,  金湘日 ,  卢水贵 ,  姜珍奎 ,  金湘甲

IPC: G02F1/136 ,  G09G3/36

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136222 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明涉及一种用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列屏板及其制造方法。显示区中具有在矩阵阵列形式的像素处有开口的黑底，外围区中具有包括公用焊盘和公用信号线的公用布线及栅焊盘，外部区域中具有用于精确地对准绝缘基板上的各中间薄膜层的对准标记。在绝缘基板上像素处形成其边缘与黑底重叠的红、绿、蓝滤色器，并在其上形成覆盖黑底和滤色器、并具有暴露栅焊盘的接触孔的有机绝缘层。在有机绝缘层上形成包括通过接触孔与栅焊盘连接的栅线和与栅线连接的栅极的栅布线，并在有机绝缘层上形成覆盖栅布线的栅绝缘层。用与外部区域中的黑底或滤色器相同的层形成对准标记。

公开(公告)号：CN1591792A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410073733.4

申请日：2004-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔熙焕 ,  姜聖哲 ,  金湘甲

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3244

Abstract: 本发明提供了一种等离子蚀刻机，包括：箱体；上部等离子电极和下部等离子电极，设置在箱体的上部和下部；气体注入管，与箱体连接；多个扩散板，设置在上部等离子电极和气体注入管之间；电力发生器，向上部等离子电极和下部等离子电极施加电压，其中在上部等离子电极上形成多个喷射孔，在多个扩散板上形成多个辅助喷射孔。