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公开(公告)号：CN1790612A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510115825.9
申请日：2005-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/311 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , G05B19/048 , C23C14/22 , C23C16/44 , C23F4/00 , H01J37/32 , G02F1/1368
CPC classification number: F04D29/701 , C23C16/4412 , F04D17/168 , F04D19/04
Abstract: 本发明提供了一种真空压产生装置及具有该真空压产生装置的薄膜形成装置。真空压产生装置包括真空压产生单元及稳定化模块。真空压产生单元排出工序区域流体以在工序区域形成真空。稳定化模块置于工序区域及真空压产生单元之间，为了提高工序区域的真空均匀性，其具有流体通过的至少两个弯曲的流体通道。工序区域内流体通过弯曲的流体通道排出，以提高工序区域内的真空均匀性。
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公开(公告)号：CN1758124A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200510108073.3
申请日：2005-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/458 , G02F1/136227 , H01L27/1244 , H01L27/1248
Abstract: 本发明提供了一种钝化层组件以及具有该钝化层组件的显示基板。钝化层组件位于具有薄膜组件的基板上，并且保护薄膜组件。钝化层组件包括第一钝化层和第二钝化层。第一钝化层与薄膜组件接触。第一钝化层具有与蚀刻剂相关的第一蚀刻率。第二钝化层在第一钝化层上。第二钝化层具有与蚀刻剂相关且高于第一蚀刻率的第二蚀刻率。钝化层组件降低显示装置的故障率。
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公开(公告)号：CN100454495C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200410048125.8
申请日：2004-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/203 , H01L21/205 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67069 , B08B7/0035 , C23C16/4405 , H01J37/32568 , H01J37/32862
Abstract: 本发明涉及一种干蚀刻装置，包括箱体，用于形成等离子进行干蚀刻工序；下部电极，包含排出箱体内部反应气体的排气口，并且设置基片；上部电极，与下部电极隔开面对。而且，这种干蚀刻装置包括清洗部，清洗部与电源进行电连接，包括：清洗时为了形成包含清洗用气体的等离子的清洗用电极；可引导清洗用电极水平移动的电极引导部件及支撑清洗用电极并引导清洗用电极垂直移动的电极支撑体。向清洗用电极施加电源形成等离子，并通过它除去箱体内壁残留的污染物。
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公开(公告)号：CN100590499C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200480033271.1
申请日：2004-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136
Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管阵列面板、液晶显示器及其制造方法。用于LCD的薄膜晶体管阵列面板用于以独立方式驱动各个像素的电路板。本发明提供了像素电极和把栅极线和数据线的扩展部分连接到外部电路的接触辅助，它们具有包括IZO层和ITO层的双层结构。ITO层设置在IZO层上。在本发明中，像素电极形成为具有IZO层和ITO层的双层以避免在总体测试过程中布线被ITO蚀刻剂破坏并防止探针上的异物堆积。在本发明中，可以仅接触辅助形成为具有IZO层和ITO层的双层，以防止在总体测试过程中探针上的异物堆积。由于减小了ITO的消耗，降低了制造成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101174555A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710194464.0
申请日：2007-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L22/12 , H01L27/1288 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种制造薄膜晶体管基板的方法和使用该方法的制造系统，其中在制造薄膜晶体管基板的工艺期间减少了腐蚀性物质的产生。该方法包括提供蚀刻单元和其上已沉积有薄金属膜的绝缘基板，且干法蚀刻该绝缘基板以形成预定电路图案；为等待被清洁的该绝缘基板提供等待单元；在该绝缘基板等待时通过具有多个喷嘴的清洁单元执行初步清洁操作，且检查该初步清洁操作；以及基于检查结果对该绝缘基板执行主清洁操作。
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公开(公告)号：CN1879054A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200480033271.1
申请日：2004-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136
Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管阵列面板、液晶显示器及其制造方法。用于LCD的薄膜晶体管阵列面板用于以独立方式驱动各个像素的电路板。本发明提供了像素电极和把栅极线和数据线的扩展部分连接到外部电路的接触辅助，它们具有包括IZO层和ITO层的双层结构。ITO层设置在IZO层上。在本发明中，像素电极形成为具有IZO层和ITO层的双层以避免在总体测试过程中布线被ITO蚀刻剂破坏并防止探针上的异物堆积。在本发明中，可以仅接触辅助形成为具有IZO层和ITO层的双层，以防止在总体测试过程中探针上的异物堆积。由于减小了ITO的消耗，降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN1267769C
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200410037201.5
申请日：2004-04-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/133 , H05H1/00 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J37/32082
Abstract: 本发明涉及一种等离子箱体，该等离子箱体包括下部电极和上部电极，并用于干蚀刻液晶显示器，包括：主电源部，包括用于产生具有预定主频率的主电压的主电源和用于阻抗匹配主电压的第一阻抗匹配电路；偏压电源部，包括用于产生具有预定偏压频率的偏电压的偏压电源和用于阻抗匹配偏电压的第二阻抗匹配电路；以及混频器，与第一阻抗匹配电路和第二阻抗匹配电路连接、接收并混合主电压和偏电压，且向下部电极和上部电极中的一个电极输出的混合电压。就这种配置而言，本发明提供一种等离子箱体，其中将诸如蚀刻率、蚀刻剖面、选择比等这类的工艺条件进行精确调整。
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公开(公告)号：CN1575089A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410037201.5
申请日：2004-04-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H05H1/00 , H05H1/02 , H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J37/32082
Abstract: 本发明涉及一种等离子箱体，该等离子箱体包括下部电极和上部电极，并用于干蚀刻液晶显示器，包括：主电源部，包括用于产生具有预定主频率的主电压的主电源和用于阻抗匹配主电压的第一阻抗匹配电路；偏压电源部，包括用于产生具有预定偏压频率的偏电压的偏压电源和用于阻抗匹配偏电压的第二阻抗匹配电路；以及混频器，与第一阻抗匹配电路和第二阻抗匹配电路连接、接收并混合主电压和偏电压，且向下部电极和上部电极中的一个电极输出的混合电压。就这种配置而言，本发明提供一种等离子箱体，其中将诸如蚀刻率、蚀刻剖面、选择比等这类的工艺条件进行精确调整。
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公开(公告)号：CN1574244A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410048125.8
申请日：2004-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/203 , H01L21/205 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67069 , B08B7/0035 , C23C16/4405 , H01J37/32568 , H01J37/32862
Abstract: 本发明涉及一种干蚀刻装置，包括箱体，用于形成等离子进行干蚀刻工序；下部电极，包含排出箱体内部反应气体的排气口，并且设置基片；上部电极，与下部电极隔开面对。而且，这种干蚀刻装置包括清洗部，清洗部与电源进行电连接，包括：清洗时为了形成包含清洗用气体的等离子的清洗用电极；可引导清洗用电极水平移动的电极引导部件及支撑清洗用电极并引导清洗用电极垂直移动的电极支撑体。向清洗用电极施加电源形成等离子，并通过它除去箱体内壁残留的污染物。
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