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公开(公告)号:CN101106142A
公开(公告)日:2008-01-16
申请号:CN200710146458.8
申请日:2007-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , G02F1/1362 , G02F1/133
Abstract: 一种显示基板,包括TFT层、钝化层、有机层、无机绝缘层和像素电极。该TFT层包括栅极线和数据线、薄膜晶体管和存储电极。该数据线与该栅极线相交叉,并通过栅绝缘层与该栅极线电绝缘。该TFT电连接至该栅极线和数据线。该钝化层覆盖住该TFT层。该有机层在该钝化层上。该低温沉积的无机绝缘层在该有机层上,并且该低温为约100℃至约250℃。该像素电极在该无机绝缘层上,以通过穿过该无机绝缘层、有机层和钝化层形成的接触孔电连接至该TFT。该无机绝缘层有助于阻挡来自该有机层的杂质泄漏到该无机绝缘层上方的层中。本发明还涉及一种显示基板的制造方法和一种具有该显示基板的显示装置。
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公开(公告)号:CN101510032A
公开(公告)日:2009-08-19
申请号:CN200910001083.5
申请日:2009-01-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1337 , G02F1/139 , H01L27/12
CPC classification number: G02F1/133707 , G02F1/133371 , G02F1/133788 , G02F2001/133742 , G02F2001/133757 , G02F2001/134318
Abstract: 本发明公开了一种垂直配向的液晶显示器及其制造方法,该液晶显示器包括:第一信号线,设置在第一基板上;第二信号线,设置在第一基板上且与第一信号线交叉;开关元件,设置在第一基板上,并连接到第一信号线和第二信号线;第一倾斜构件,设置在开关元件上,并形成脊、谷以及在脊与谷之间的倾斜表面;像素电极,设置在第一倾斜构件上并连接到开关元件;第一配向层,设置在像素电极上,并相对于第一基板的表面垂直地配向;面对第一基板的第二基板;公共电极,设置在第二基板上;以及液晶层,设置在第一配向层与公共电极之间。
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公开(公告)号:CN101261439A
公开(公告)日:2008-09-10
申请号:CN200810095173.0
申请日:2008-02-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/1303 , G03F7/70291 , G03F7/70466 , H01L21/0275 , H01L21/32139 , H01L27/1214
Abstract: 本发明公开了一种形成光阻图案的方法、一种制造显示面板的方法以及制造显示装置的方法。该形成光阻图案的方法包括形成光阻,并通过按照区域执行不同次数的曝光工艺,形成具有阶梯部分的光阻图案。根据本发明,降低了制造成本。
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公开(公告)号:CN101266770A
公开(公告)日:2008-09-17
申请号:CN200810100318.1
申请日:2008-02-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G09G3/36 , G02F1/1362 , H01L27/12
CPC classification number: G09G3/3648 , G09G3/3614 , G09G2310/06 , G09G2320/0219 , G09G2320/0247 , G09G2320/0252 , G09G2320/0276 , G09G2340/16
Abstract: 显示装置包括栅极驱动部分、数据驱动部分、显示面板和回扫电压补偿部分。栅极驱动部分输出栅极信号,而数据驱动部分输出数据信号。显示面板响应栅极信号和数据信号显示图像。将显示面板的像素电压减少基于灰阶变化并当栅极信号下降时引起的回扫电压。回扫电压补偿部分向外部提供给回扫电压补偿部分的图像控制信号补偿回扫电压以输出数据控制信号到数据驱动部分。
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公开(公告)号:CN100399169C
公开(公告)日:2008-07-02
申请号:CN200410000993.9
申请日:2004-01-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/00
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板,其包括:在绝缘基板上形成的栅极线;在栅极导电层上形成的栅极绝缘层;在栅极绝缘层上形成的半导体层;在栅极绝缘层上形成且包括源极的数据线;至少部分形成在半导体层上的漏极;形成在数据线和漏极上且具有至少部分露出漏极和栅极绝缘层部分的第一接触孔的钝化层;形成在钝化层上并通过第一接触孔连接漏极及栅极绝缘层的露出部分的像素电极。
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公开(公告)号:CN1873530B
公开(公告)日:2012-09-05
申请号:CN200610088744.9
申请日:2006-06-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/32 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G03F7/20
Abstract: 本发明提供了一种掩模。该掩模包括:掩模体、第一曝光部分和第二曝光部分。第一曝光部分在掩模体上。该第一曝光部分包括:第一透光部分和第二透光部分。该第一透光部分将对应于输出端子的光刻胶部分曝光于第一光量的光。另外,第二透光部分将与输出端子相邻的光刻胶相邻部分曝光于第二光量的光,第二光量小于第一光量。第二曝光部分在掩模体上。该第二曝光部分包括多个第三透光部分,用于将对应于存储电极的光刻胶部分曝光于第三光量的光,第三光量在第一光量和第二光量之间。根据本发明,通过存储电极图案和像素电极形成的存储电容器的电特性得到了提高,使得显示装置的闪烁和/或余像减少,由此还导致显示装置的图像显示质量的改善。
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公开(公告)号:CN1873530A
公开(公告)日:2006-12-06
申请号:CN200610088744.9
申请日:2006-06-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/14 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G03F7/20
Abstract: 本发明提供了一种掩模。该掩模包括:掩模体、第一曝光部分和第二曝光部分。第一曝光部分在掩模体上。该第一曝光部分包括:第一透光部分和第二透光部分。该第一透光部分将对应于输出端子的光刻胶部分曝光于第一光量的光。另外,第二透光部分将与输出端子相邻的光刻胶相邻部分曝光于第二光量的光,第二光量小于第一光量。第二曝光部分在掩模体上。该第二曝光部分包括多个第三透光部分,用于将对应于存储电极的光刻胶部分曝光于第三光量的光,第三光量在第一光量和第二光量之间。根据本发明,通过存储电极图案和像素电极形成的存储电容器的电特性得到了提高,使得显示装置的闪烁和/或余像减少,由此还导致显示装置的图像显示质量的改善。
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公开(公告)号:CN1517771A
公开(公告)日:2004-08-04
申请号:CN200410000993.9
申请日:2004-01-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/00
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板,其包括:在绝缘基板上形成的栅极线;在栅极导电层上形成的栅极绝缘层;在栅极绝缘层上形成的半导体层;在栅极绝缘层上形成且包括源极的数据线;至少部分形成在半导体层上的漏极;形成在数据线和漏极上且具有至少部分露出漏极和栅极绝缘层部分的第一接触孔的钝化层;形成在钝化层上并通过第一接触孔连接漏极及栅极绝缘层的露出部分的像素电极。
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