公开(公告)号：CN1319125C

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN02828976.5

申请日：2002-07-16

Applicant: 三星电子株式会社 ,  陶氏康宁公司

Inventor： 梁成勋 ,  格伦·塞尔尼A ,  丁奎夏 ,  黄秉槿 ,  洪完植

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  G02F1/1362 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31633 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种用于汽相淀积低介电绝缘层的方法，更具体地，涉及一种可显著改善汽相淀积速度同时保持低介电绝缘层性能的用于汽相淀积低介电绝缘层的方法，从而解决寄生电容问题以获得高开口率结构，而当通过CVD或PECVD法汽相淀积绝缘层以形成用于半导体装置的保护层时，利用硅烷气体可以缩短加工时间。

公开(公告)号：CN1828911A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610008848.4

申请日：2001-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪完植 ,  崔埈厚 ,  金湘甲 ,  郑宽旭 ,  丁奎夏

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F2001/133357 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2202/42 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765

Abstract: 一种薄膜晶体管衬底，其包括一绝缘衬底、一形成于该衬底上的栅极线组件、和一数据线组件，该数据线组件横越栅极线组件并与栅极线组件绝缘。薄膜晶体管连接到栅极线组件和数据线组件。在薄膜晶体管上由a－Si:C:O或a－Si:O:F形成一钝化层。通过PECVD法沉积该基于a－Si:C:O或a－Si:O:F的层。像素电极被形成在钝化层上并与薄膜晶体管连接。在这个结构中，在提高开幅比和减少工序时间的同时，寄生电容的问题得到解决。

公开(公告)号：CN1613030A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN02827016.9

申请日：2002-02-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪雯勺 ,  洪完植 ,  卢南锡 ,  丁奎夏 ,  蔡钟哲

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/133514 ,  G02F2201/52

Abstract: 红、蓝和绿色像素依次分布在行方向。红和绿色像素沿列方向交替分布，而蓝色像素分布在相邻红和绿像素之间，而各蓝像素被四个红和绿色像素围绕。栅极线布置在各个像素行。数据线以绝缘的方式与栅极线交叉并分布在各个像素列。像素电极和薄膜晶体管分布在各个像素处。在预定的像素单元处，两个蓝色像素处的数据线彼此连结。像素电极经由低介电有机材料或绝缘材料如SiOC、SiOF的钝化层与栅极线或数据线重叠。

公开(公告)号：CN100470338C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN02827016.9

申请日：2002-02-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪雯勺 ,  洪完植 ,  卢南锡 ,  丁奎夏 ,  蔡钟哲

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/133514 ,  G02F2201/52

Abstract: 红、蓝和绿色像素依次分布在行方向。红和绿色像素沿列方向交替分布，而蓝色像素分布在相邻红和绿像素之间，而各蓝像素被四个红和绿色像素围绕。栅极线布置在各个像素行。数据线以绝缘的方式与栅极线交叉并分布在各个像素列。像素电极和薄膜晶体管分布在各个像素处。在预定的像素单元处，两个蓝色像素处的数据线彼此连结。像素电极经由低介电有机材料或绝缘材料如SiOC、SiOF的钝化层与栅极线或数据线重叠。

公开(公告)号：CN100411193C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN02804810.5

申请日：2002-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金保成 ,  郑宽旭 ,  洪完植 ,  金湘甲 ,  洪雯杓

IPC: H01L29/786 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1345

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76804 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1248 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在衬底上形成栅极布线；接着，在形成一栅极绝缘膜后，在其上顺序形成一半导体层和一欧姆接触层；其次，形成数据布线；再沉积一钝化层和一有机绝缘膜并对其进行构图，以形成分别用于暴露漏极电极、栅极衬垫和数据衬垫的接触孔，其中，所述接触孔周围的有机绝缘膜形成得比其它部分中的有机绝缘膜薄；然后，通过灰磨工艺去除接触孔周围的有机绝缘膜，以暴露接触孔中的钝化层的边界线，从而消除钻蚀，之后，形成分别连接至漏极电极、栅极衬垫和数据衬垫的一像素电极、一辅助栅极衬垫和一辅助数据衬垫。

公开(公告)号：CN1195243C

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：CN00132400.4

申请日：2000-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪雯杓 ,  洪完植 ,  金湘日 ,  卢水贵 ,  姜珍奎 ,  金湘甲

IPC: G02F1/136 ,  G09G3/36

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136222 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明涉及一种用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列屏板及其制造方法。显示区中具有在矩阵阵列形式的像素处有开口的黑底，外围区中具有包括公用焊盘和公用信号线的公用布线及栅焊盘，外部区域中具有用于精确地对准绝缘基板上的各中间薄膜层的对准标记。在绝缘基板上像素处形成其边缘与黑底重叠的红、绿、蓝滤色器，并在其上形成覆盖黑底和滤色器、并具有暴露栅焊盘的接触孔的有机绝缘层。在有机绝缘层上形成包括通过接触孔与栅焊盘连接的栅线和与栅线连接的栅极的栅布线，并在有机绝缘层上形成覆盖栅布线的栅绝缘层。用与外部区域中的黑底或滤色器相同的层形成对准标记。

公开(公告)号：CN100480420C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN03808847.9

申请日：2003-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁成勋 ,  洪完植 ,  郑宽旭

IPC: C23C16/00 ,  H01L21/44

CPC classification number: G02F1/136227 ,  C23C16/30 ,  G02F2001/136222 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明涉及一种用于汽相淀积低介电绝缘层的方法、利用该绝缘层的薄膜晶体管及其制造方法，更具体地涉及一种可显著地改善汽相淀积速度同时保持低介电绝缘层性能的用于汽相淀积低介电绝缘的方法，从而解决了寄生电容问题以获得高开口率结构，并且当通过CVD法或PECVD法汽相淀积绝缘层以形成用于半导体装置的保护层时，通过使用硅烷气体可以降低工序时间。本发明还涉及一种利用该工序的薄膜晶体管及其制造方法。

公开(公告)号：CN1491442A

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN02804810.5

申请日：2002-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金保成 ,  郑宽旭 ,  洪完植 ,  金湘甲 ,  洪雯杓

IPC: H01L29/786 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1345

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76804 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1248 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在衬底上形成栅极布线；接着，在形成一栅极绝缘膜后，在其上顺序形成一半导体层和一欧姆接触层；其次，形成数据布线；再沉积一钝化层和一有机绝缘膜并对其进行构图，以形成分别用于暴露漏极电极、栅极衬垫和数据衬垫的接触孔，其中，所述接触孔周围的有机绝缘膜形成得比其它部分中的有机绝缘膜薄；然后，通过灰磨工艺去除接触孔周围的有机绝缘膜，以暴露接触孔中的钝化层的边界线，从而消除钻蚀，之后，形成分别连接至漏极电极、栅极衬垫和数据衬垫的一像素电极、一辅助栅极衬垫和一辅助数据衬垫。

公开(公告)号：CN1646726A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN03808847.9

申请日：2003-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁成勋 ,  洪完植 ,  郑宽旭

IPC: C23C16/00 ,  H01L21/44

CPC classification number: G02F1/136227 ,  C23C16/30 ,  G02F2001/136222 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明涉及一种用于汽相淀积低介电绝缘层的方法、利用该绝缘层的薄膜晶体管及其制造方法，更具体地涉及一种可显著地改善汽相淀积速度同时保持低介电绝缘层性能的用于汽相淀积低介电绝缘的方法，从而解决了寄生电容问题以获得高开口率结构，并且当通过CVD法或PECVD法汽相淀积绝缘层以形成用于半导体装置的保护层时，通过使用硅烷气体可以降低工序时间。本发明还涉及一种利用该工序的薄膜晶体管及其制造方法。

公开(公告)号：CN1484778A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN01821646.3

申请日：2001-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪完植 ,  崔峻厚 ,  金湘甲 ,  郑宽旭 ,  丁奎夏

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F2001/133357 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2202/42 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765

Abstract: 一种薄膜晶体管衬底，其包括一绝缘衬底、一形成于该衬底上的栅极线组件、和一数据线组件，该数据线组件横越栅极线组件并与栅极线组件绝缘。薄膜晶体管连接到栅极线组件和数据线组件。在薄膜晶体管上由a－Si:C:O或a－Si:O:F形成一钝化层。通过PECVD法沉积该基于a－Si:C:O或a－Si:O:F的层。像素电极被形成在钝化层上并与薄膜晶体管连接。在这个结构中，在提高开幅比和减少工序时间的同时，寄生电容的问题得到解决。