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公开(公告)号：CN101320148B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200810142898.0
申请日：2008-02-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/13 , G02F1/1362 , H01L21/84 , H01L21/60 , H01L27/12 , G02F1/1335 , G09G3/36
Abstract: 显示基板包括基础基板，该基础基板具有显示区域和围绕显示区域的外围区域，形成在显示区域的像素电极，形成在外围区域的衬垫部分，形成在外围区域且具有多个形成在外围区域邻近衬垫部分区域的多个孔的粘结部分，和形成在衬垫部分和粘结部分上的导电粘结件，以电接触衬垫部分和集成电路终端。
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公开(公告)号：CN100480420C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN03808847.9
申请日：2003-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/136227 , C23C16/30 , G02F2001/136222 , H01L27/12 , H01L27/1248 , H01L27/1288 , H01L27/3244 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种用于汽相淀积低介电绝缘层的方法、利用该绝缘层的薄膜晶体管及其制造方法，更具体地涉及一种可显著地改善汽相淀积速度同时保持低介电绝缘层性能的用于汽相淀积低介电绝缘的方法，从而解决了寄生电容问题以获得高开口率结构，并且当通过CVD法或PECVD法汽相淀积绝缘层以形成用于半导体装置的保护层时，通过使用硅烷气体可以降低工序时间。本发明还涉及一种利用该工序的薄膜晶体管及其制造方法。
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公开(公告)号：CN1491442A
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN02804810.5
申请日：2002-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L23/52 , H01L21/768 , H01L21/28 , G02F1/1343 , G02F1/136 , G02F1/1345
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , H01L21/76802 , H01L21/76804 , H01L23/53295 , H01L27/12 , H01L27/1244 , H01L27/1248 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在衬底上形成栅极布线；接着，在形成一栅极绝缘膜后，在其上顺序形成一半导体层和一欧姆接触层；其次，形成数据布线；再沉积一钝化层和一有机绝缘膜并对其进行构图，以形成分别用于暴露漏极电极、栅极衬垫和数据衬垫的接触孔，其中，所述接触孔周围的有机绝缘膜形成得比其它部分中的有机绝缘膜薄；然后，通过灰磨工艺去除接触孔周围的有机绝缘膜，以暴露接触孔中的钝化层的边界线，从而消除钻蚀，之后，形成分别连接至漏极电极、栅极衬垫和数据衬垫的一像素电极、一辅助栅极衬垫和一辅助数据衬垫。
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公开(公告)号：CN101043047B
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200710088412.5
申请日：2007-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/04 , H01L27/1229 , H01L27/1288 , H01L27/3262
Abstract: 本发明提供一种通过薄膜晶体管(“TFT”)和像素电极来驱动的例如有机发光二极管(“OLED”)显示器的显示装置，所述薄膜晶体管包括驱动TFT和开关TFT。所述显示装置包括用于开关TFT的非晶硅层以及用于驱动TFT的微晶硅或多晶硅层。所述非晶硅层和所述微晶硅层通过绝缘层分隔。所述装置提供了产品可靠性和高的图像质量。所述装置的制造方法的特征在于，减少了工艺步骤，并在光刻工艺期间利用了适于形成开关TFT或驱动TFT的源电极和漏电极以及半导体层的特定掩模，所述掩模为半调掩模或狭缝掩模。
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公开(公告)号：CN101545978A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910000146.5
申请日：2009-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 在一种驱动x射线检测器的方法中，x射线检测器具有连接至包括光电二极管的光检测像素的开关装置，该光电二极管检测从x射线发生器发出的x射线并输出对应于x射线的电信号，该方法包括：在x射线检测周期期间利用光电二极管接收x射线，以产生对应于x射线的电信号；在第一栅极导通周期期间利用栅极信号使开关装置导通，以将电信号传送至外部元件；在偏移控制周期的第一闪光周期期间将光提供给光电二极管；以及在光未被提供给光电二极管的偏移控制周期的第二栅极导通周期期间使开关装置导通，以将位于光电二极管和开关装置之间的耦合节点处的电位维持在预定电平。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101320148A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810142898.0
申请日：2008-02-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/13 , G02F1/1362 , H01L21/84 , H01L21/60 , H01L27/12 , G02F1/1335 , G09G3/36
Abstract: 显示基板包括基础基板，该基础基板具有显示区域和围绕显示区域的外围区域，形成在显示区域的像素电极，形成在外围区域的衬垫部分，形成在外围区域且具有多个形成在外围区域邻近衬垫部分区域的多个孔的粘结部分，和形成在衬垫部分和粘结部分上的导电粘结件，以电接触衬垫部分和集成电路终端。
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公开(公告)号：CN101043047A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200710088412.5
申请日：2007-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/04 , H01L27/1229 , H01L27/1288 , H01L27/3262
Abstract: 本发明提供一种通过薄膜晶体管(“TFT”)和像素电极来驱动的例如有机发光二极管(“OLED”)显示器的显示装置，所述薄膜晶体管包括驱动TFT和开关TFT。所述显示装置包括用于开关TFT的非晶硅层以及用于驱动TFT的微晶硅或多晶硅层。所述非晶硅层和所述微晶硅层通过绝缘层分隔。所述装置提供了产品可靠性和高的图像质量。所述装置的制造方法的特征在于，减少了工艺步骤，并在光刻工艺期间利用了适于形成开关TFT或驱动TFT的源电极和漏电极以及半导体层的特定掩模，所述掩模为半调掩模或狭缝掩模。
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公开(公告)号：CN1828911A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610008848.4
申请日：2001-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F2001/133357 , G02F2001/136236 , G02F2202/42 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1288 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/66765
Abstract: 一种薄膜晶体管衬底，其包括一绝缘衬底、一形成于该衬底上的栅极线组件、和一数据线组件，该数据线组件横越栅极线组件并与栅极线组件绝缘。薄膜晶体管连接到栅极线组件和数据线组件。在薄膜晶体管上由a－Si:C:O或a－Si:O:F形成一钝化层。通过PECVD法沉积该基于a－Si:C:O或a－Si:O:F的层。像素电极被形成在钝化层上并与薄膜晶体管连接。在这个结构中，在提高开幅比和减少工序时间的同时，寄生电容的问题得到解决。
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公开(公告)号：CN101325207B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200810109963.X
申请日：2008-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L23/522 , G01T1/20 , G01T1/29
CPC classification number: H01L27/14663 , H01L27/12
Abstract: 在用于X射线探测器的薄膜晶体管(“TFT”)阵列衬底和具有该TFT阵列衬底的X射线探测器中，所述TFT阵列衬底包括栅极布线、栅绝缘层、有源层、数据布线、光电二极管、有机绝缘层和偏置布线。栅极布线形成在绝缘衬底上，并且包括栅极线和栅电极。栅绝缘层覆盖栅极布线。有源层形成在栅绝缘层上。数据布线形成在栅绝缘层上，并且包括数据线、源电极和漏电极。光电二极管包括下部和上部电极以及光电导层。有机绝缘层覆盖数据布线和光电二极管。偏置布线形成在有机绝缘层上。因此，提高了孔径比和可靠性。
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公开(公告)号：CN1897309B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200610105883.8
申请日：2006-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/84 , G02F1/133
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/13318 , G02F1/133308 , G02F2001/13332 , G02F2201/58 , H01L27/1214 , H01L29/42384 , H01L29/78621
Abstract: 本发明公开了一种液晶显示器，包括：背光，配置来发光；显示面板，与背光耦合并配置来显示图像；和机架，耦合到显示面板且包覆显示面板的边缘，其中显示面板包括基板和粘结部分，基板具有包括第一薄膜晶体管的第一区域和包括第二薄膜晶体管的第二区域，粘结部分将背光粘结到显示面板并吸收从背光照射的光，第二薄膜晶体管包括源极区、漏极区和具有至少一个开口的栅电极以暴露源极区和漏极区之间的区域，粘结部分设置在第二区域中，且其中栅电极限定所述开口，所述开口穿过栅电极形成，且在平面图中栅电极围绕所述开口，所述栅电极的一部分与形成在源极区和漏极区之间的半导体层中的轻掺杂区交叠。
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