公开(公告)号：CN106486461A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610756035.7

申请日：2016-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩赫 ,  朴济宪 ,  尹基炫 ,  李彰原 ,  林炫锡 ,  河周延

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/535 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575

Abstract: 一种半导体器件包括：包含下部导体的下部结构、在下部结构上的具有暴露出下部导体的开口的上部结构、和填充该开口并连接到下部导体的连接结构。连接结构包括覆盖开口的内表面并在开口中限定凹进区的第一钨层、和在第一钨层上填充凹进区的第二钨层。在连接结构的上部中的第二钨层的晶粒尺寸大于在连接结构的下部中的第二钨层的晶粒尺寸。

公开(公告)号：CN100524697C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200510118196.5

申请日：2005-11-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金洛焕 ,  曹永周 ,  金晟泰 ,  朴仁善 ,  李铉德 ,  李炫锡 ,  郑正喜 ,  金玄永 ,  林炫锡

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/10 ,  H01L27/00 ,  H01L29/92

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/75

Abstract: 用于形成存储电容器的方法包括：在半导体衬底上形成具有通过其的开口的层间绝缘层；在该开口内形成接触栓塞；在层间绝缘层和接触栓塞上形成模制氧化物层；选择性地去除部分模制氧化物层，以在接触栓塞之上形成凹槽；在该凹槽的下表面和侧面上形成钛层；在该钛层上形成氮化钛层；以及在该氮化钛层上形成氮氧化钛层。存储电容器包括：半导体衬底；层间绝缘层，位于半导体衬底上，具有形成在其上的接触栓塞；以及存储电极，位于接触栓塞上，包括位于硅化钛层、位于该硅化钛层上的氮化钛层以及位于该氮化钛层上的氮氧化钛层。

公开(公告)号：CN1877810A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200610074174.8

申请日：2006-04-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林炫锡 ,  朴知淳 ,  姜东祚 ,  金廷昱 ,  朴仁善 ,  李怰锡

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76855 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688

Abstract: 一种多层半导体器件及其制造方法，包括第一有源半导体结构，第一有源半导体结构上的第一绝缘层，第一绝缘层上和第一有源半导体结构上的第二有源半导体结构，第二有源半导体结构上的第二绝缘层，以及包括第一欧姆接触和第二欧姆接触的接触结构，第一欧姆接触在第一有源半导体结构的上表面上具有一垂直厚度，第二欧姆接触在第二有源半导体结构的侧壁上具有一横向厚度，该垂直厚度大于横向厚度。

公开(公告)号：CN115196622A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210207355.2

申请日：2022-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚元 ,  卞卿溵 ,  赵连柱 ,  申建旭 ,  李殷奎 ,  李昌锡 ,  宋伣在 ,  申铉振 ,  尹祯秀 ,  李昭荣 ,  林炫锡

IPC: C01B32/186

Abstract: 提供纳米晶石墨烯和形成纳米晶石墨烯的方法。所述纳米晶石墨烯可包括通过堆叠多个石墨烯片而形成的多个晶粒并且具有约500ea/μm2或更高的晶粒密度和在约0.1或更大至约1.0或更小的范围内的均方根(RMS)粗糙度。当所述纳米晶石墨烯具有在这些范围内的晶粒密度和RMS粗糙度时，可提供能够作为薄层覆盖基底上的整个大面积的纳米晶石墨烯。

公开(公告)号：CN115172264A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210637213.X

申请日：2016-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩赫 ,  朴济宪 ,  尹基炫 ,  李彰原 ,  林炫锡 ,  河周延

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 本公开提供了制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括：包含下部导体的下部结构、在下部结构上的具有暴露出下部导体的开口的上部结构、和填充该开口并连接到下部导体的连接结构。连接结构包括覆盖开口的内表面并在开口中限定凹进区的第一钨层、和在第一钨层上填充凹进区的第二钨层。在连接结构的上部中的第二钨层的晶粒尺寸大于在连接结构的下部中的第二钨层的晶粒尺寸。

公开(公告)号：CN109797376A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201811268189.7

申请日：2018-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴柄善 ,  徐枝延 ,  任智芸 ,  林炫锡 ,  田炳好 ,  姜有善 ,  权赫镐 ,  朴星津 ,  严太镕 ,  河东协

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/67

Abstract: 一种沉积装置，包括：上喷头和下喷头，位于处理腔室内，所述上喷头和所述下喷头面向彼此；支撑结构，位于所述上喷头和所述下喷头之间，用于支撑晶圆，所述支撑结构连接到所述下喷头；以及等离子体处理区域，位于由所述支撑结构支撑的晶圆和所述下喷头之间，其中，所述下喷头包括下孔，用于向所述晶圆的方向喷射下部气体，所述上喷头包括上孔，用于向所述晶圆的方向喷射上部气体，以及所述支撑结构包括通孔部，用于将通过所述下孔喷射的下部气体的一部分排放到所述支撑结构和所述上喷头之间的空间中。

公开(公告)号：CN107393928A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710328970.8

申请日：2017-05-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩赫 ,  任智芸 ,  金度亨 ,  林炫锡

IPC: H01L27/11556 ,  H01L27/11582

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3115 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L27/1157 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/36 ,  H01L27/11556

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括第一层间绝缘层和第二层间绝缘层、以及插置在第一层间绝缘层和第二层间绝缘层之间的水平导电图案。垂直结构延伸穿过第一层间绝缘层、第二层间绝缘层和水平导电图案。第一层间绝缘层和第二层间绝缘层中的每个具有含不同杂质浓度的区域。

公开(公告)号：CN103378167A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310128627.0

申请日：2013-04-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正吉 ,  林泰洙 ,  林炫锡 ,  尹基炫 ,  韩赫 ,  李明范

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/788 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11529 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底；第一多晶硅图案，在该衬底上；金属图案，在该第一多晶硅图案上；以及界面层，在该第一多晶硅图案与该金属图案之间。该界面层可包括从金属－硅氮氧化物层、金属－硅氧化物层以及金属－硅氮化物层的组中选择的至少之一。

公开(公告)号：CN101271961A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200810083078.9

申请日：2008-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金度亨 ,  姜信在 ,  朴仁善 ,  林炫锡 ,  吴圭焕

IPC: H01L45/00

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C23C14/0623 ,  G11B7/2433 ,  G11B7/252 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明提供了形成相变材料层的方法，所述方法包括：在一温度下提供衬底和硫族化物目标，所述硫族化物目标包括锗(Ge)、锑(Sb)和碲(Te)，在所述温度，碲挥发，而锑不挥发；以及，执行溅射处理以在所述衬底上形成包括硫族化物材料的所述相变材料层。还提供了使用所述相变材料层来制造相变存储器的方法。

公开(公告)号：CN1790675A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510118196.5

申请日：2005-11-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金洛焕 ,  曹永周 ,  金晟泰 ,  朴仁善 ,  李铉德 ,  李炫锡 ,  郑正喜 ,  金玄永 ,  林炫锡

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/10 ,  H01L27/00 ,  H01L29/92

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/75

Abstract: 用于形成存储电容器的方法包括：在半导体衬底上形成具有通过其的开口的层间绝缘层；在该开口内形成接触栓塞；在层间绝缘层和接触栓塞上形成模制氧化物层；选择性地去除部分模制氧化物层，以在接触栓塞之上形成凹槽；在该凹槽的下表面和侧面上形成钛层；在该钛层上形成氮化钛层；以及在该氮化钛层上形成氮氧化钛层。存储电容器包括：半导体衬底；层间绝缘层，位于半导体衬底上，具有形成在其上的接触栓塞；以及存储电极，位于接触栓塞上，包括位于硅化钛层、位于该硅化钛层上的氮化钛层以及位于该氮化钛层上的氮氧化钛层。