公开(公告)号：CN108807333A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810258640.0

申请日：2018-03-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任允赫 ,  李稀裼 ,  申宅均 ,  赵汊济

IPC: H01L23/498

Abstract: 提供了一种半导体器件封装和半导体设备。所述半导体器件封装包括：第一半导体封装、第二半导体封装以及位于第一半导体封装和第二半导体封装之间的内插板。第一半导体封装包括第一半导体封装衬底和第一半导体芯片。第二半导体封装包括第二半导体封装衬底和第二半导体芯片。内插板将第一半导体封装电连接到第二半导体封装，并且包括穿过内插板的第一内插板孔。第一半导体芯片包括从第一部分突出的第二部分，并且第二部分插入到第一内插板孔中。

公开(公告)号：CN101026145A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200610149499.8

申请日：2006-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔允硕 ,  李稀裼

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5227 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01Q9/27 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种半导体封装，该半导体封装包括封装板和顺序堆叠在封装板上的多个半导体芯片。各半导体芯片均包括半导体基底和形成在该半导体基底上的开环形芯片线。开环形芯片线具有第一端部和第二端部。开环形芯片线的第一端部和第二端部通过连接件互相电连接，所述连接件和所述开环形芯片线构成螺旋形天线。

公开(公告)号：CN1773699A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200510120300.4

申请日：2005-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋垠锡 ,  李稀裼

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/49 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/50 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48233 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49431 ,  H01L2224/49433 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/4554

Abstract: 本发明提供一种半导体封装及其制造方法，其特征在于减小同时开关噪声的环形硅退耦电容器。该退耦电容器利用晶片制造工艺由硅制造在基板上且采用环形电容结构的形式，该环形电容结构围绕基板上安装的集成电路(IC)的周边延伸。该退耦电容器具有芯片级或低于芯片级的减小的厚度且代替传统电源/接地环。因此，该退耦电容器能够设置在封装内而不增加该封装的厚度和尺寸。该退耦电容器可连接到各种电源引脚，允许优化的导线键合、缩短的电连接、及减小的电感。连接到退耦电容器的键合导线具有较高的电阻率，降低了共振频率的峰且因此减小了同时开关噪声。

公开(公告)号：CN1700458A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510066799.5

申请日：2005-04-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权兴奎 ,  张景徕 ,  李稀裼

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/495 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/50 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/91 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48482 ,  H01L2224/48499 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 在一实施例中，半导体封装包括基构架和电连接于基构架的下半导体芯片。下半导体芯片具有在其顶表面上的第一键合焊盘。该封装还包括在下半导体芯片上放置的上半导体芯片。上半导体芯片具有在其底表面上形成的第三键合焊盘。该封装包括共同地连接第一键合焊盘和第三键合焊盘的第一导电凸点和第二导电凸点。