公开(公告)号：CN117042441A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202310398366.8

申请日：2023-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裴素贤 ,  李垣哲 ,  裵秉俊

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体存储器件可以包括：衬底，包括单元区域和围绕单元区域限定的外围区域；以及栅极结构，可以包括顺序地堆叠的第一导电层、第二导电层和第三导电层，第一导电层、第二导电层和第三导电层包括不同的材料，第一导电层包括多晶硅。覆盖层可以位于第三导电层上，并且间隔物可以位于第一导电层、第二导电层、第三导电层和覆盖层中的每一者的侧壁上。第一接触可以延伸穿过覆盖层并且延伸到第三导电层中，其中，第一接触与第二导电层接触，并且与第一导电层分开。第一接触可以包括位于第三导电层中的第一部分和位于覆盖层中的第二部分。在水平方向上，第一部分的宽度可以大于第二部分的宽度。

公开(公告)号：CN108231772B

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN201711180587.9

申请日：2017-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴志雄 ,  李垣哲

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 本发明涉及半导体器件及制造其的方法。提供一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，其包括包含第一区域和第二区域的单元区域以及比邻近第一区域更邻近第二区域的周边区域；分别设置在第一区域和第二区域中的第一下电极和第二下电极；分别设置在第一下电极和第二下电极的外壁上的第一下支撑图案和第二下支撑图案；上支撑图案，其设置在第一下电极和第二下电极的外壁上，并且在第一下支撑图案和第二下支撑图案上且与第一下支撑图案和第二下支撑图案间隔开；电介质层，其设置在第一下电极和第二下电极、第一下支撑图案和第二下支撑图案以及上支撑图案的表面上；以及上电极，其设置在电介质层的表面上，其中第一下支撑图案的厚度小于第二下支撑图案的厚度。

公开(公告)号：CN114944394A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202111304824.4

申请日：2021-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔仁赫 ,  李垣哲 ,  梁峻亨

IPC: H01L27/108

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：半导体基底，包括第一区域和第二区域；第一层间绝缘层，位于第二区域上；盖层，设置在第一层间绝缘层上，盖层的上表面包括第一沟槽；导电图案，在盖层上间隔开，导电图案的侧表面与第一沟槽的内侧表面对齐；以及外围分离图案，设置在第一沟槽中以覆盖导电图案的侧表面。外围分离图案在导电图案的侧表面上具有第一厚度，并且在第一沟槽的下表面上具有大于或等于第一厚度的第二厚度。

公开(公告)号：CN108231771A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201710991806.5

申请日：2017-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴志雄 ,  李垣哲 ,  朴济民

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10808 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L28/87 ,  H01L28/91 ,  H01L27/108

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；设置在衬底上并在第一方向上彼此间隔开第一结构、第二结构和第三结构，其中第一结构、第二结构和第三结构的每个包括下电极；以及支撑物图案，其支撑第一结构、第二结构和第三结构并包括第一区域和第二区域，其中第一区域暴露第一结构、第二结构和第三结构的侧壁的第一部分，第二区域围绕第一结构、第二结构和第三结构的侧壁的第二部分。支撑物图案的在第一结构与第二结构之间的侧壁的第一长度大于第一结构与第二结构之间的第一距离。支撑物图案的在第二结构与第三结构之间的侧壁的第二长度大于第二结构与第三结构之间的第二距离。

公开(公告)号：CN108206185A

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201711337489.1

申请日：2017-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金艺兰 ,  李垣哲

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/64

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；多个下电极，其被设置在衬底上并且在第一方向和交叉第一方向的第二方向上重复地布置；以及第一电极支撑件，其接触下电极中的至少一个的侧壁。第一电极支撑件包括：第一支撑区域，其包括第一开口；以及第二支撑区域，其被设置在第一支撑区域的边界处。第一电极支撑件的外侧壁包括在第一方向上延伸的第一侧壁、在第二方向上延伸的第二侧壁以及连接第一侧壁和第二侧壁的连接侧壁。第二支撑区域包括连接侧壁。在第二支撑区域的第一部分中，第二支撑区域的第一部分的宽度在远离第一支撑区域的方向上减小。

公开(公告)号：CN108155185A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201711113575.4

申请日：2017-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋在勋 ,  南基钦 ,  李垣哲

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10844 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/90 ,  H01L29/41 ,  H01L27/108

Abstract: 一种半导体器件包括：在半导体衬底上的多个柱结构；以及支撑图案，其与柱结构的每个的至少一部分接触，支撑图案将柱结构彼此连接，其中支撑图案包括暴露柱结构的侧表面的支撑孔，支撑孔包括彼此间隔开的第二支撑孔和至少一个第一支撑孔，第一支撑孔和第二支撑孔具有彼此不同的形状。

公开(公告)号：CN103367283B

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201310109329.7

申请日：2013-03-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑震源 ,  李垣哲

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/1052 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10894

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括在字线之间彼此邻近设置但通过隔离图案彼此间隔开的存储节点焊盘。因而，可以防止由掩模未对准引起的桥接问题。这能够提高半导体器件的可靠性。

公开(公告)号：CN103367317B

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201310110155.6

申请日：2013-03-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李垣哲 ,  金恩娥 ,  李慈荣

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L27/04 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10882 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10891

Abstract: 本发明提供一种半导体器件、制造该半导体器件的方法以及包括半导体器件的系统。该半导体器件可以包括：包括第一结区和第二结区的基板；被埋在基板中的字线；设置在字线上方以交叉字线的位线；第一接触，设置在基板和位线之间并且电连接到第一结区；以及第二接触，设置在位线之间并且电连接到第二结区。第二接触的下部分与第二结区的重叠区域可以大于第二接触的上部分与第二结区的重叠区域。