公开(公告)号：CN103367317B

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201310110155.6

申请日：2013-03-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李垣哲 ,  金恩娥 ,  李慈荣

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L27/04 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10882 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10891

Abstract: 本发明提供一种半导体器件、制造该半导体器件的方法以及包括半导体器件的系统。该半导体器件可以包括：包括第一结区和第二结区的基板；被埋在基板中的字线；设置在字线上方以交叉字线的位线；第一接触，设置在基板和位线之间并且电连接到第一结区；以及第二接触，设置在位线之间并且电连接到第二结区。第二接触的下部分与第二结区的重叠区域可以大于第二接触的上部分与第二结区的重叠区域。

公开(公告)号：CN103367317A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310110155.6

申请日：2013-03-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李垣哲 ,  金恩娥 ,  李慈荣

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L27/04 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10882 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10891

Abstract: 本发明提供一种半导体器件、制造该半导体器件的方法以及包括半导体器件的系统。该半导体器件可以包括：包括第一结区和第二结区的基板；被埋在基板中的字线；设置在字线上方以交叉字线的位线；第一接触，设置在基板和位线之间并且电连接到第一结区；以及第二接触，设置在位线之间并且电连接到第二结区。第二接触的下部分与第二结区的重叠区域可以大于第二接触的上部分与第二结区的重叠区域。