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公开(公告)号：CN108206185A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201711337489.1
申请日：2017-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L23/64
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；多个下电极，其被设置在衬底上并且在第一方向和交叉第一方向的第二方向上重复地布置；以及第一电极支撑件，其接触下电极中的至少一个的侧壁。第一电极支撑件包括：第一支撑区域，其包括第一开口；以及第二支撑区域，其被设置在第一支撑区域的边界处。第一电极支撑件的外侧壁包括在第一方向上延伸的第一侧壁、在第二方向上延伸的第二侧壁以及连接第一侧壁和第二侧壁的连接侧壁。第二支撑区域包括连接侧壁。在第二支撑区域的第一部分中，第二支撑区域的第一部分的宽度在远离第一支撑区域的方向上减小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108206185B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201711337489.1
申请日：2017-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L23/64
Abstract: 一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：衬底；多个下电极，其被设置在衬底上并且在第一方向和交叉第一方向的第二方向上重复地布置；以及第一电极支撑件，其接触下电极中的至少一个的侧壁。第一电极支撑件包括：第一支撑区域，其包括第一开口；以及第二支撑区域，其被设置在第一支撑区域的边界处。第一电极支撑件的外侧壁包括在第一方向上延伸的第一侧壁、在第二方向上延伸的第二侧壁以及连接第一侧壁和第二侧壁的连接侧壁。第二支撑区域包括连接侧壁。在第二支撑区域的第一部分中，第二支撑区域的第一部分的宽度在远离第一支撑区域的方向上减小。
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公开(公告)号：CN108346661A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810057970.3
申请日：2018-01-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L23/64
Abstract: 提供一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底；第一结构和第二结构，在衬底上在第一方向上彼此间隔开，第一结构包括第一下电极，并且第二结构包括第二下电极；第一支撑物图案，设置在衬底上以支撑第一结构和第二结构，并包括第一区域和第二区域，第一区域暴露第一结构和第二结构的侧壁的部分，第二区域覆盖所述侧壁的其余部分；以及第二支撑图案，设置在第一支撑图案上以支撑第一结构和第二结构，第二支撑物图案包括第三区域和第四区域，第三区域配置为暴露第一结构和第二结构的侧壁的部分，第四区域覆盖所述侧壁的其余部分。
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公开(公告)号：CN108346661B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201810057970.3
申请日：2018-01-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底；第一结构和第二结构，在衬底上在第一方向上彼此间隔开，第一结构包括第一下电极，并且第二结构包括第二下电极；第一支撑物图案，设置在衬底上以支撑第一结构和第二结构，并包括第一区域和第二区域，第一区域暴露第一结构和第二结构的侧壁的部分，第二区域覆盖所述侧壁的其余部分；以及第二支撑图案，设置在第一支撑图案上以支撑第一结构和第二结构，第二支撑物图案包括第三区域和第四区域，第三区域配置为暴露第一结构和第二结构的侧壁的部分，第四区域覆盖所述侧壁的其余部分。
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公开(公告)号：CN110890373B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201911198848.9
申请日：2017-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L49/02
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；多个下电极，其被设置在衬底上并且在第一方向和交叉第一方向的第二方向上重复地布置；以及第一电极支撑件，其接触下电极中的至少一个的侧壁。第一电极支撑件包括：第一支撑区域，其包括第一开口；以及第二支撑区域，其被设置在第一支撑区域的边界处。第一电极支撑件的外侧壁包括在第一方向上延伸的第一侧壁、在第二方向上延伸的第二侧壁以及连接第一侧壁和第二侧壁的四个连接侧壁。第二支撑区域包括连接侧壁。第一电极支撑件的上表面的对应于至少两个连接侧壁的边界的每个具有线形状、弯曲形状、以及Z字形形状之一，线形状在交叉第一方向和第二方向的第三方向上延伸。
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公开(公告)号：CN110890373A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201911198848.9
申请日：2017-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L49/02
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；多个下电极，其被设置在衬底上并且在第一方向和交叉第一方向的第二方向上重复地布置；以及第一电极支撑件，其接触下电极中的至少一个的侧壁。第一电极支撑件包括：第一支撑区域，其包括第一开口；以及第二支撑区域，其被设置在第一支撑区域的边界处。第一电极支撑件的外侧壁包括在第一方向上延伸的第一侧壁、在第二方向上延伸的第二侧壁以及连接第一侧壁和第二侧壁的四个连接侧壁。第二支撑区域包括连接侧壁。第一电极支撑件的上表面的对应于至少两个连接侧壁的边界的每个具有线形状、弯曲形状、以及Z字形形状之一，线形状在交叉第一方向和第二方向的第三方向上延伸。
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