公开(公告)号：CN111312745A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201911232220.6

申请日：2019-12-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢恩仙 ,  金柱显 ,  李俊明 ,  林佑昶

IPC: H01L27/22 ,  H01L43/08

Abstract: 一种磁存储器装置包括：衬底上的缓冲层；磁隧道结结构，其包括在缓冲层上依次堆叠的固定层结构、隧道屏障和自由层的磁隧道结结构；以及自旋轨道扭矩(SOT)结构，其位于磁隧道结结构上并且包括拓扑绝缘体材料，其中，自由层包括哈斯勒材料。

公开(公告)号：CN110911550A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201910871580.4

申请日：2019-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊明 ,  朴镕盛 ,  朴正宪 ,  赵显 ,  皮雄焕

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22 ,  G11C11/16

Abstract: 一种磁性存储器装置、用于制造磁性存储器装置的方法以及衬底处理设备，所述装置包括：包括第一存储器区域和第二存储器区域的衬底；位于第一存储器区域上的第一磁性隧穿结图案，所述第一磁性隧穿结图案包括第一自由图案和位于第一自由图案上的第一氧化物图案；以及位于第二存储器区域上的第二磁性隧穿结图案，所述第二磁性隧穿结图案包括第二自由图案和位于第二自由图案上的第二氧化物图案，其中，第一氧化物图案的厚度与第一自由图案的厚度之比不同于第二氧化物图案的厚度与第二自由图案的厚度之比。

公开(公告)号：CN109698268A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811180725.8

申请日：2018-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊明 ,  金哉勋 ,  朴容星 ,  吴世忠 ,  郑峻昊

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L43/02 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L21/67207

Abstract: 本公开提供了一种半导体制造装置以及制造存储器件的方法。该半导体制造装置包括转移室、连接到转移室的第一工艺室、以及连接到转移室的第二工艺室。转移室可以配置为转移基板。第一工艺室可以配置为在第一温度执行用于氧化基板上的金属层的第一氧化工艺。第二工艺室可以配置为在高于第一温度的第二温度执行用于氧化基板上的金属层的第二氧化工艺。

公开(公告)号：CN109560191A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811060554.5

申请日：2018-09-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊明 ,  金柱显 ,  朴正桓 ,  吴世忠 ,  张荣万

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L43/02 ,  H01L27/222 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  G11C11/161

Abstract: 本发明提供一种磁阻随机存取存储(MRAM)器件，该MRAM器件包括：下电极；阻挡图案，在下电极上并包括处于非晶态的二元金属硼化物；籽晶图案，在阻挡图案上并包括金属；在籽晶图案上的MTJ结构；以及在MTJ结构上的上电极。

公开(公告)号：CN104700882B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201410746475.5

申请日：2014-12-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相奂 ,  朴淳五 ,  金相溶 ,  李俊明

IPC: G11C11/15

CPC classification number: H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明提供了存储器器件及其制造方法。磁存储器器件可以包括基板和在基板上的磁隧道结存储器元件。磁隧道结存储器元件可以包括参考磁层、隧道阻挡层和自由磁层。参考磁层可以包括第一被钉扎层、交换耦合层和第二被钉扎层。交换耦合层可以在第一被钉扎层和第二被钉扎层之间，第二被钉扎层可以包括铁磁层和非磁性层。第二被钉扎层可以在第一被钉扎层和隧道阻挡层之间，隧道阻挡层可以在参考磁层和自由磁层之间。

公开(公告)号：CN103545443A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201310291393.1

申请日：2013-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李仑宰 ,  金佑填 ,  李俊明

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/02 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明公开了磁性器件及其制造方法。磁性器件包括存储单元，该存储单元包括磁阻器件以及上部电极和下部电极，其中磁阻器件夹在上部电极和下部电极之间，以向磁阻器件施加电流。磁阻器件包括：缓冲层，其控制用于诱导磁阻器件中的垂直磁各向异性（PMA）的晶轴，该缓冲层与下部电极接触；籽晶层，其与缓冲层接触并且取向为密排六方晶格（HCP）（0001）晶面；以及垂直磁化钉扎层，其与籽晶层接触并且具有L11型有序结构。

公开(公告)号：CN111490153B

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN201910960905.6

申请日：2019-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊明 ,  金晥均 ,  朴正宪 ,  林佑昶 ,  郑峻昊

IPC: H10N50/10 ,  H10N52/00 ,  G11C11/16

Abstract: 公开了一种磁存储器件，其包括：线图案，所述线图案位于衬底上；磁隧道结图案，所述磁隧道结图案位于所述线图案上；以及上导电线，所述上导电线跨越所述磁隧道结图案与所述线图案间隔开，并且连接到所述磁隧道结图案。所述线图案为所述磁隧道结图案提供自旋轨道矩。所述线图案包括拓扑绝缘体。

公开(公告)号：CN111490153A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201910960905.6

申请日：2019-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊明 ,  金晥均 ,  朴正宪 ,  林佑昶 ,  郑峻昊

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/06 ,  G11C11/16

Abstract: 公开了一种磁存储器件，其包括：线图案，所述线图案位于衬底上；磁隧道结图案，所述磁隧道结图案位于所述线图案上；以及上导电线，所述上导电线跨越所述磁隧道结图案与所述线图案间隔开，并且连接到所述磁隧道结图案。所述线图案为所述磁隧道结图案提供自旋轨道矩。所述线图案包括拓扑绝缘体。

公开(公告)号：CN110504356A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910404401.6

申请日：2019-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晥均 ,  卢恩仙 ,  李俊明 ,  林佑昶 ,  郑峻昊

IPC: H01L43/12

Abstract: 提供了一种制造磁隧道结(MTJ)装置的方法。所述方法包括以下步骤：在基底上方形成自由磁性层、在自由磁性层上方形成金属层以及通过在250K或更低的温度下将金属层暴露于氧化气体来对金属层进行氧化。

公开(公告)号：CN109713122A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201811213731.9

申请日：2018-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴容星 ,  金佑塡 ,  朴正宪 ,  吴世忠 ,  李俊明 ,  赵显

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08

Abstract: 提供了制造MRAM器件的方法和MRAM器件。该方法可以包括：在基板的上表面上形成第一电极；在第一电极上形成第一磁性层；在第一磁性层上形成隧道势垒结构；在隧道势垒结构上形成第二磁性层；以及在第二磁性层上形成第二电极。隧道势垒结构可以包括第一隧道势垒层和第二隧道势垒层，第一隧道势垒层和第二隧道势垒层顺序地堆叠在第一磁性层上并且可以沿着可与基板的上表面平行的水平方向具有彼此不同的电阻率分布。