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发明公开
磁性存储器装置、其制造方法以及衬底处理设备审中-公开

公开(公告)号：CN110911550A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201910871580.4

申请日：2019-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊明 , 朴镕盛 , 朴正宪 , 赵显 , 皮雄焕

IPC: H01L43/08 , H01L43/12 , H01L27/22 , G11C11/16

Abstract: 一种磁性存储器装置、用于制造磁性存储器装置的方法以及衬底处理设备，所述装置包括：包括第一存储器区域和第二存储器区域的衬底；位于第一存储器区域上的第一磁性隧穿结图案，所述第一磁性隧穿结图案包括第一自由图案和位于第一自由图案上的第一氧化物图案；以及位于第二存储器区域上的第二磁性隧穿结图案，所述第二磁性隧穿结图案包括第二自由图案和位于第二自由图案上的第二氧化物图案，其中，第一氧化物图案的厚度与第一自由图案的厚度之比不同于第二氧化物图案的厚度与第二自由图案的厚度之比。

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