公开(公告)号：CN118050960A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202311374488.X

申请日：2023-10-23

Applicant: 细美事有限公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： 姜亨奭 ,  元俊皓 ,  许弼覠 ,  赵弘灿 ,  金日宁 ,  朴相真 ,  辛承敃 ,  朴智焕 ,  李根泽

IPC: G03F7/40 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开提供了一种基板处理装置，其包括：腔室，被配置成提供用于处理基板的空间；基板支承部，被配置成在腔室中支承基板；上部供应端口，设置在腔室的上部分中，并且被配置成向基板的上表面上供应超临界流体；凹部，设置在腔室的上壁中并且具有扩散器形状，扩散器形状的直径从上部供应端口的出口逐渐增大；以及流体挡板，在凹部中设置在上部供应端口与基板之间，并且包括以相同的相位和几何尺寸重复地布置在空间中并且彼此流体连通的单元格。

公开(公告)号：CN117133670A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202310078672.3

申请日：2023-01-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  朴智焕 ,  李根泽

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  G03F7/20 ,  G03F7/16

Abstract: 基板处理装置包括：润湿装置，将流体供应到基板上；基板重量测量装置，测量已经穿过润湿装置的基板的重量；以及干燥装置，对已经穿过基板重量测量装置的基板进行干燥。基板重量测量装置包括：测量室，提供测量空间；测量台，在测量室中；以及重量感测传感器，感测放置在测量台上的基板的重量。

公开(公告)号：CN115565909A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210732148.9

申请日：2022-06-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  郑志薰 ,  金伶厚 ,  李根泽

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种用于干燥晶片的装置，包括：干燥室；超临界流体供应模块，被配置为向干燥室供应超临界流体；主排放管线，连接到干燥室并且安装有主阀；以及辅助排放单元，连接到主排放管线。辅助排放单元包括：辅助排放管线，连接到主排放管线，并且被配置为当主阀关闭时将超临界流体从干燥室排放；负压罐，安装在辅助排放管线中；第一阀，安装在辅助排放管线中，该第一阀被配置为当主阀关闭时打开；以及第二阀，安装在辅助排放管线中，该第二阀被配置为与第一阀一起打开。

公开(公告)号：CN107039424A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611062755.X

申请日：2016-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高镛璿 ,  朴相真 ,  赵学柱 ,  朴炳哉 ,  韩政男

IPC: H01L27/04

Abstract: 半导体器件可以包括：在第一方向上彼此间隔开的成对的有源图案；在交叉第一方向的第二方向上交叉所述成对的有源图案的成对栅电极；在成对的有源图案的侧壁上的栅间隔物；在成对的栅电极之间位于成对的有源图案上的源极/漏极区；在成对的栅电极之间以及在成对的有源图案之间的间隔物保护图案。间隔物保护图案可以共同连接到栅间隔物。

公开(公告)号：CN120050995A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202410908744.7

申请日：2024-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣晙 ,  朴相真 ,  李珍铭

IPC: H10D84/85 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H10D84/03

Abstract: 本公开提供了半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：基体绝缘层，其包括第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；沟道层，其位于所述基体绝缘层的所述第一表面上；源极/漏极图案，其沿与所述基体绝缘层的所述第一表面平行的第一方向设置，从而使所述沟道层介于所述源极/漏极图案之间；栅极结构，其在所述基体绝缘层的所述第一表面上沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸并且至少部分地围绕所述沟道层；栅极分隔图案，其与所述栅极结构交叉并且在与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上穿透所述栅极结构；以及贯通电极，其在所述第三方向上穿透所述栅极分隔图案。

公开(公告)号：CN118522660A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202311414120.1

申请日：2023-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  朴智焕 ,  李根泽

IPC: H01L21/67

Abstract: 公开了基板处理挡板、基板处理装置和基板处理方法。基板处理挡板包括：板主体，具有在第一方向上延伸的中心轴；上主体，在板主体上；以及分隔构件，在与第一方向交叉的第二方向上延伸。板主体包括：精细通道，将板主体的顶表面连接到板主体的底表面；以及耦接孔，从板主体的顶表面向下凹陷。分隔构件在第三方向上彼此间隔开，该第三方向与第一方向和第二方向中每个方向交叉。分隔构件低于耦接孔。

公开(公告)号：CN112310147B

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202010652460.8

申请日：2020-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永倬 ,  朴相真 ,  李源俊 ,  徐慧瑛 ,  申材旭

IPC: H10B63/00 ,  H10B63/10 ,  H10N70/20

Abstract: 提供了一种包括数据存储材料图案的半导体器件。所述半导体器件包括：位于衬底上的第一导电结构；位于所述第一导电结构上的第二导电结构；以及位于所述第一导电结构与所述第二导电结构之间的第一存储单元结构，其中，所述第一存储单元结构包括：位于所述第一导电结构上的开关材料图案；位于所述开关材料图案上的数据存储材料图案；以及位于所述数据存储材料图案上的上导电图案，其中，所述数据存储材料图案的下部区域的第一宽度小于所述开关材料图案的第一宽度，并且其中，所述上导电图案的第一宽度小于所述数据存储材料图案的上部区域的宽度。

公开(公告)号：CN115206828A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202111536747.5

申请日：2021-12-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  金英泰 ,  郑志薰 ,  金伶厚

IPC: H01L21/67

Abstract: 提供了一种流体供应设备，该流体供应设备被配置为向包括腔室的晶片处理设备供应处理流体。该流体供应设备包括：储存器，被配置为将处理流体改变为超临界流体状态；晶片保护设备，被配置为通过接收处于超临界流体状态的处理流体并限制处理流体的速度来防止处于晶片处理设备的腔室中的晶片被处于超临界流体状态的处理流体损坏；以及流体供应管线，被配置为提供储存器和晶片保护设备之间的处理流体的路径以及晶片保护设备和晶片处理设备之间的处理流体的路径。

公开(公告)号：CN108538810B

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN201710888495.X

申请日：2017-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  权奇相 ,  白在职 ,  高镛璿 ,  李光旭

IPC: H01L23/528 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：绝缘膜，位于基底上；下布线层，贯穿绝缘膜的至少一部分，下布线层包括第一金属；下导电阻挡膜，围绕下布线层的底表面和侧壁，下导电阻挡膜包括与第一金属不同的第二金属；第一金属硅化物盖层，覆盖下布线层的顶表面，第一金属硅化物盖层包括第一金属；第二金属硅化物盖层，接触第一金属硅化物盖层并且设置在下导电阻挡膜上，第二金属硅化物盖层包括第二金属。

公开(公告)号：CN105990445B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201610147006.0

申请日：2016-03-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁志玟 ,  权奇相 ,  李珍旭 ,  高绮亨 ,  朴相真 ,  白在职 ,  尹普彦 ,  尹智园

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：栅极间隔件，其在衬底上限定沟槽，并且包括上部和下部；栅极绝缘膜，其沿着沟槽的侧壁和底表面延伸，并且不与栅极间隔件的上部接触；下导电膜，其在栅极绝缘膜上沿着沟槽的侧壁和底表面延伸，并且不与栅极间隔件的上部重叠；以及上导电膜，其位于下导电膜上且位于栅极绝缘膜的最上面的部分上。