公开(公告)号：CN119451190A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202410591488.3

申请日：2024-05-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  金英泰 ,  尹一永

IPC: H10D62/10 ,  H10D64/20 ,  H10D64/27 ,  H10D84/83 ,  H01L23/50 ,  H01L23/482

Abstract: 一种集成电路器件，包括：衬底，具有正面和与正面相对的背面，并且包括正面中的鳍型有源区域和背面中的衬底凹陷；衬底中的隔离膜，限定鳍型有源区域；源/漏区，在鳍型有源区域上；接触插塞，在衬底上方；背面电力轨，至少部分地填充衬底凹陷；以及过孔电力轨，电连接到接触插塞，过孔电力轨延伸到隔离膜中，并且连接到背面电力轨。背面电力轨的侧表面和过孔电力轨的侧表面在背面电力轨连接到过孔电力轨的部分处形成钝角。

公开(公告)号：CN115206828A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202111536747.5

申请日：2021-12-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  金英泰 ,  郑志薰 ,  金伶厚

IPC: H01L21/67

Abstract: 提供了一种流体供应设备，该流体供应设备被配置为向包括腔室的晶片处理设备供应处理流体。该流体供应设备包括：储存器，被配置为将处理流体改变为超临界流体状态；晶片保护设备，被配置为通过接收处于超临界流体状态的处理流体并限制处理流体的速度来防止处于晶片处理设备的腔室中的晶片被处于超临界流体状态的处理流体损坏；以及流体供应管线，被配置为提供储存器和晶片保护设备之间的处理流体的路径以及晶片保护设备和晶片处理设备之间的处理流体的路径。