公开(公告)号：CN112310147B

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202010652460.8

申请日：2020-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永倬 ,  朴相真 ,  李源俊 ,  徐慧瑛 ,  申材旭

IPC: H10B63/00 ,  H10B63/10 ,  H10N70/20

Abstract: 提供了一种包括数据存储材料图案的半导体器件。所述半导体器件包括：位于衬底上的第一导电结构；位于所述第一导电结构上的第二导电结构；以及位于所述第一导电结构与所述第二导电结构之间的第一存储单元结构，其中，所述第一存储单元结构包括：位于所述第一导电结构上的开关材料图案；位于所述开关材料图案上的数据存储材料图案；以及位于所述数据存储材料图案上的上导电图案，其中，所述数据存储材料图案的下部区域的第一宽度小于所述开关材料图案的第一宽度，并且其中，所述上导电图案的第一宽度小于所述数据存储材料图案的上部区域的宽度。

公开(公告)号：CN108933135B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN201810157217.1

申请日：2018-02-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙允镐 ,  申材旭 ,  高镛璇 ,  朴壬洙 ,  郑盛允

IPC: H10B12/00 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供包括扩大的接触孔的半导体器件及其形成方法。该方法可以包括形成第一线图案和第二线图案。第一线图案具有面向第二线图案的第一侧，并且第二线图案具有面向第一线图案的第二侧。该方法还可以包括在第一线图案的第一侧形成第一间隔件结构，以及在第二线图案的第二侧形成第二间隔件结构。第一间隔件结构和第二间隔件结构可以限定开口。该方法可以进一步包括：在所述开口的下部中形成第一导体；通过蚀刻第一间隔件结构的上部和第二间隔件结构的上部，形成扩展开口；并且在扩展开口中形成第二导体。该扩展开口的宽度可以大于所述开口的下部的宽度。

公开(公告)号：CN112310147A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010652460.8

申请日：2020-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永倬 ,  朴相真 ,  李源俊 ,  徐慧瑛 ,  申材旭

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

Abstract: 提供了一种包括数据存储材料图案的半导体器件。所述半导体器件包括：位于衬底上的第一导电结构；位于所述第一导电结构上的第二导电结构；以及位于所述第一导电结构与所述第二导电结构之间的第一存储单元结构，其中，所述第一存储单元结构包括：位于所述第一导电结构上的开关材料图案；位于所述开关材料图案上的数据存储材料图案；以及位于所述数据存储材料图案上的上导电图案，其中，所述数据存储材料图案的下部区域的第一宽度小于所述开关材料图案的第一宽度，并且其中，所述上导电图案的第一宽度小于所述数据存储材料图案的上部区域的宽度。

公开(公告)号：CN108933135A

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201810157217.1

申请日：2018-02-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙允镐 ,  申材旭 ,  高镛璇 ,  朴壬洙 ,  郑盛允

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供包括扩大的接触孔的半导体器件及其形成方法。该方法可以包括形成第一线图案和第二线图案。第一线图案具有面向第二线图案的第一侧，并且第二线图案具有面向第一线图案的第二侧。该方法还可以包括在第一线图案的第一侧形成第一间隔件结构，以及在第二线图案的第二侧形成第二间隔件结构。第一间隔件结构和第二间隔件结构可以限定开口。该方法可以进一步包括：在所述开口的下部中形成第一导体；通过蚀刻第一间隔件结构的上部和第二间隔件结构的上部，形成扩展开口；并且在扩展开口中形成第二导体。该扩展开口的宽度可以大于所述开口的下部的宽度。