公开(公告)号：CN120035210A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202411090832.7

申请日：2024-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  金荣晙 ,  金泰善

IPC: H10D84/83 ,  H01L23/528 ,  H10D84/03

Abstract: 一种集成电路器件包括：衬底，所述衬底包括背面；鳍型有源区，所述鳍型有源区从所述衬底突出，以在所述衬底上限定沟槽区；器件隔离层，所述器件隔离层在所述沟槽区中覆盖所述鳍型有源区中的每一个鳍型有源区的侧壁；通孔电源轨，所述通孔电源轨在所述鳍型有源区之间垂直延伸穿过所述器件隔离层；以及背面电源轨，所述背面电源轨垂直延伸穿过所述衬底并且连接到所述通孔电源轨的一端，其中所述通孔电源轨包括连接到所述背面电源轨的第一部分和位于所述第一部分上的第二部分，并且其中所述第一部分的两个侧壁各自包括倾斜表面，所述倾斜表面倾斜以便随着所述两个侧壁接近所述背面电源轨而更靠近所述成对的鳍型有源区。

公开(公告)号：CN120050995A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202410908744.7

申请日：2024-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣晙 ,  朴相真 ,  李珍铭

IPC: H10D84/85 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H10D84/03

Abstract: 本公开提供了半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：基体绝缘层，其包括第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；沟道层，其位于所述基体绝缘层的所述第一表面上；源极/漏极图案，其沿与所述基体绝缘层的所述第一表面平行的第一方向设置，从而使所述沟道层介于所述源极/漏极图案之间；栅极结构，其在所述基体绝缘层的所述第一表面上沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸并且至少部分地围绕所述沟道层；栅极分隔图案，其与所述栅极结构交叉并且在与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上穿透所述栅极结构；以及贯通电极，其在所述第三方向上穿透所述栅极分隔图案。

公开(公告)号：CN120035212A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202411651012.0

申请日：2024-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰善 ,  朴相真 ,  金荣晙

IPC: H10D84/83 ,  H10D84/03

Abstract: 发明构思涉及一种集成电路器件及其制造方法。该集成电路器件包括：在衬底上在第一水平方向上延伸的鳍型有源区；在衬底上设置在鳍型有源区上并在与第一水平方向相交的第二水平方向上延伸的栅极线；设置在鳍型有源区上并在第一水平方向上与栅极线相邻设置的源极/漏极区；设置在源极/漏极区上的源极/漏极接触；设置在栅极线上并包括蚀刻停止膜和层间绝缘膜的上绝缘结构；穿过上绝缘结构并连接到源极/漏极接触的源极/漏极通路接触；以及设置在蚀刻停止膜和源极/漏极通路接触之间并在水平方向上与源极/漏极通路接触的一部分重叠的气隙。