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公开(公告)号：CN101792927A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010106318.X
申请日：2010-01-28
Applicant: 科发伦材料株式会社
IPC: C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/324
CPC classification number: C30B33/02 , C30B29/06 , C30B33/005 , H01L21/3225 , H01L21/324 , H01L21/67109
Abstract: 在热处理通过分割由直拉生长法制造的硅单晶锭而获得的晶片的方法中，在具有1.0％或以上且20％或以下的氧分压和氩气的含氧混合气体气氛中，通过在1200℃或以上且硅熔点或以下的极限温度下，设置保持时间为等于或长于一秒且等于或短于60秒，来进行快速加热/冷却热处理，并且由此在硅晶片表面上形成具有9.1nm或以下、或者24.3nm或以上厚度的氧化物膜。
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公开(公告)号：CN101638807A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910157497.7
申请日：2009-07-30
Applicant: 科发伦材料株式会社
IPC: C30B33/02 , H01L21/02 , H01L21/322 , H01L21/324 , C30B29/06
Abstract: 本发明提供一种硅晶片、硅晶片的制造方法及硅晶片的热处理方法，其对于根据利用切克劳斯基法培养的单晶硅块制造的硅晶片，在氧气分压为20％以上且100％以下的氧化性气体气氛中，以1300℃以上且1380℃以下的最高到达温度(T 1 )，进行快速加热和快速冷却热处理。本发明的硅晶片在硅晶片(10)的至少包含器件活性区域的无缺陷区域(DZ层)(12)内具有固溶氧浓度为0.7×10 18 原子/cm 3 以上的高氧浓度区域，且在无缺陷区域(12)内以过饱和状态含有晶格间硅(14)。
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公开(公告)号：CN101521144A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910004649.X
申请日：2009-03-02
Applicant: 科发伦材料株式会社
IPC: H01L21/00 , C04B35/50 , C04B35/505 , H01L21/3065 , C23C16/00
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置所使用的烧结体以及构件。所述等离子体处理装置所使用的烧结体以及构件以氧化铈为主成分，对于卤素系气体或其等离子体等的耐腐蚀性优异，可实现低电阻化，并且在卤素等离子体工艺中，也可抑制该陶瓷的构成原料引起的杂质金属污染，可代替氧化钇适用于半导体·液晶制造用等的等离子体处理装置的构成构件。使用至少暴露于等离子体的部分被在纯度99％以上的氧化铈100重量份中添加有3重量份以上100重量份以下的纯度99％以上的氧化钇的烧结体、或者被同样组成的喷射膜包覆的构件，另外使用在在纯度99％以上的氧化铈中，添加有占整个组成中1～50mol％的纯度99％以上的氧化钇或纯度99％以上的氧化镧，至少暴露于等离子体的部分的表面粗糙度Ra小于1.6μm的烧结体。
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公开(公告)号：CN101442845A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810176276.X
申请日：2008-11-19
Applicant: 科发伦材料株式会社 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67103 , H05B3/143
Abstract: 本发明涉及一种面状加热器(1)，其中供给电力的电源端子部(108)设置在石英玻璃板状体(102)的下表面中央部，上述电源端子部具备：收容对碳丝发热体供给电力的连接线的小直径的石英玻璃管(105a、106a)以及收容小直径的石英玻璃管(105a、106a)的大直径的石英玻璃管(2)，在上述大直径的石英玻璃管(2)的下端部形成有凸缘部(2a)，并且在上端部和上述凸缘部(2a)之间形成有使直径不同的弯曲部(2b)，而且在上述弯曲部下方的大直径的石英玻璃管内，收容有由金属板或不透明石英玻璃板构成的第一热屏蔽板(19、20、21)。
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公开(公告)号：CN101442845B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN200810176276.X
申请日：2008-11-19
Applicant: 科发伦材料株式会社 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67103 , H05B3/143
Abstract: 本发明涉及一种面状加热器(1)，其中供给电力的电源端子部(108)设置在石英玻璃板状体(102)的下表面中央部，上述电源端子部具备：收容对碳丝发热体供给电力的连接线的小直径的石英玻璃管(105a、106a)以及收容小直径的石英玻璃管(105a、106a)的大直径的石英玻璃管(2)，在上述大直径的石英玻璃管(2)的下端部形成有凸缘部(2a)，并且在上端部和上述凸缘部(2a)之间形成有使直径不同的弯曲部(2b)，而且在上述弯曲部下方的大直径的石英玻璃管内，收容有由金属板或不透明石英玻璃板构成的第一热屏蔽板(19、20、21)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101517706B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200780035927.7
申请日：2007-08-22
Applicant: 科发伦材料株式会社 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H05B3/145 , C23C16/4581 , C23C16/46 , H01L21/67103
Abstract: 本发明提供了面状加热器及具有此面状加热器的半导体热处理装置，其中，此面状加热器通过包括抑制高频感应的接地电极来抑制高频感应发热，并且此面状加热器不受被激励的反应气体的侵蚀。面状加热器(1)的特征为，其具有在二氧化硅玻璃板状体(2)内部配置并密封为平面状的碳线发热体(CW)、以及在此碳线发热体(CW)的上方的二氧化硅玻璃板状体(2)内部配置并密封为平面状的接地电极(3)。
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公开(公告)号：CN102140676A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201110037106.5
申请日：2011-01-31
Applicant: 科发伦材料株式会社
Abstract: 本发明提供碳纤维补强碳复合材料坩埚，其是在制造半导体材料或太阳电池材料等的单晶或多晶的装置中用于支撑、保持收纳溶融材料的坩埚而使用的碳纤维补强碳复合材料坩埚，在其底部弯曲部去除了褶皱或搭接的段差部分，耐久性提高。碳纤维补强碳复合材料坩埚1具有在周边部具弯曲部的底部3和从上述底部弯曲部延伸至上方的直腹部2，上述底部3和直腹部2通过贴合多块交替编织碳纤维的经纱和纬纱得到的碳纤维织布11、12、13(10)而形成，同时位于上述底部弯曲部的碳纤维织布的经纱和纬纱的轴线相对于坩埚圆周方向呈倾斜方向形成。
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公开(公告)号：CN101710566A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200910173463.7
申请日：2009-09-18
Applicant: 科发伦材料株式会社
Inventor： 藤井达男
IPC: H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/2205
Abstract: 本发明提供一种制造用于外延衬底的硅晶片的方法，包括第一步骤，在包含不少于1E19atoms/cm3的硼原子的硅晶片上进行热氧化，由此在硅晶片的表面上形成氧化硅膜；第二步骤，剥离氧化硅膜；和第三步骤，在氢气氛中，在硅晶片上进行热处理。
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公开(公告)号：CN101671171A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910174366.X
申请日：2009-09-11
Applicant: 科发伦材料株式会社
IPC: C04B35/505
CPC classification number: C04B35/505 , C04B35/495 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3251 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/77 , C04B2235/80
Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置用陶瓷。本发明提供对于卤类腐蚀性气体、等离子体等的耐腐蚀性优异，实现低电阻化，且即使在卤等离子体工序中也可以抑制该陶瓷的构成原料引起的杂质金属污染，可以适合用于半导体、液晶制造用的等离子体处理装置的构成部件中的等离子体处理装置用陶瓷。使用向氧化钇中添加相对于氧化钇为3重量％～30重量％的二氧化铈、相对于氧化钇为3重量％～50重量％的五氧化铌，并在还原氛围气体中烧结而成的开孔率为1.0％以下的陶瓷。
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