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公开(公告)号：CN116266618A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202111549806.2
申请日：2021-12-17
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种高光效深紫外发光二极管及其制备方法。所述高光效深紫外发光二极管包括：外延结构，所述外延结构包括依次层叠设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一电极和第二电极，所述第一电极、第二电极分别经第一欧姆接触层、第二欧姆接触层与所述第一半导体层、第二半导体层电性接触；所述第一半导体层、第一欧姆接触层、第二欧姆接触层为第一掺杂类型，所述第二半导体层为第二掺杂类型。本发明实施例提供的一种高光效深紫外发光二极管采用重掺杂的欧姆接触层降低了p型与n型欧姆接触结构的制作难度，可以同时实现p型及n型电极的高反射率，大幅提高器件的取光效率。
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公开(公告)号：CN115632100B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211660516.X
申请日：2022-12-23
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院
Abstract: 本发明公开一种矩阵式半导体的电路结构及其封装结构、发光装置，其中矩阵式半导体的电路结构包括：第一电路板设有若干封装电极组件，封装电极组件包括第一电极和第二电极；第二电路板设有相互电性连接的若干第一连接端和若干第二连接端，第一连接端与第一电极电性连接；第三电路板的一侧设有若干第三连接端和若干第四连接端，若干第三连接端与若干第四连接端一一电性连接，第三电路板的另一侧设有用于连接外部电路的若干第三电极和若干第四电极；第三连接端与第三电极电性连接；第四连接端与第二电极电性连接；第四电极与第二连接端电性连接。本发明的技术方案涉及半导体技术领域，通过形成共阴或共阳电路连接，单独控制每个封装电极组件。
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公开(公告)号：CN114823942B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210764171.6
申请日：2022-07-01
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0203 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种半导体封装结构和封装方法，涉及半导体封装技术领域，该半导体封装结构包括基板、支架、半导体元件、透光部件和连接部，基板包括底板以及围设在底板周围的侧壁，侧壁和底板围成容纳空间，底板的顶面和底面均设置有导电层；支架位于容纳空间内并安装于底板的顶面的导电层上，支架为导电材料制件；半导体元件安装于支架上；透光部件盖设于基板上，透光部件包括透光件以及围设在透光件周围的金属连接件，金属连接件的底面与侧壁的顶面抵接；连接部分别与侧壁和金属连接件连接，连接部位于透光件的径向延长线上，用以封闭容纳空间。采用高能量束焊接，可以不用将基板置于高温环境中，避免了换气通道的产生，确保容纳空间的密封性。
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公开(公告)号：CN114937593A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210460707.5
申请日：2022-04-28
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/283
Abstract: 本发明公开了一种p‑GaN欧姆接触电极的制备方法，包括以下步骤：提供GaN基外延片，所述GaN基外延片的最上层为p型GaN层，对所述p型GaN层进行激活处理，得到第一GaN基外延片；在所述第一GaN基外延片的p型GaN层上刻蚀，制备出欧姆接触区域，得到第二GaN基外延片；利用热磷酸溶液对所述第二GaN基外延片进行湿法腐蚀处理，清洗后得到第三GaN基外延片；在所述第三GaN基外延片的欧姆接触区域积淀金属，并通过退火工艺对金属进行合金处理，完成p‑GaN欧姆接触电极的制备。本发明能够明显提高p‑GaN材料的欧姆接触性能。
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公开(公告)号：CN114779383A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210352884.1
申请日：2022-04-01
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种对人体安全的紫外线照射装置，其包括：壳体，其具有至少一个光取出窗口；紫外光源，其被收容在所述壳体内部，并且由所述紫外光源发射的光包含具有指定波长的第一紫外光；光过滤器，其与光取出窗口配合设置，并允许第一紫外光透过；微反射结构，其设置在所述壳体内部，用于将传输方向偏离光取出窗口的第一紫外光中的至少一部分反射入光取出窗口。本发明的紫外线照射装置的出光效率高，且宏观形状、尺寸、结构不受限制，应用前景广阔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118762993A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410868048.8
申请日：2024-06-28
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了降低SiO2/4H‑SiC界面态密度的方法及应用。所述处理方法包括：提供界面结构；进行低温等离子体处理，所采用的等离子体气氛包含N2O；之后进行高温快速退火处理，获得低界面态密度的界面结构。本发明所提供的处理方法，通过采用等离子体低温处理技术，将N、O和P等离子体扩散至氧化层的界面处，然后经过快速高温快速退火技术，O可以与界面的C反应以CO形式释放，从而降低了C团簇密度，同时N起到一定钝化悬挂键的作用，有利于提高界面质量，P能降低界面的有效负电荷，这对降低近界面氧化层中的陷阱电荷有促进作用。本发明可以降低界面有效负电荷，降低界面态密度，改善界面质量，进而提高所制备的器件的氧化层击穿场强，提高栅极的耐压性能，减小栅极漏电流，提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN118040453A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211420232.3
申请日：2022-11-14
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01S5/0237 , G01N19/04 , H01S5/02 , H01S5/024
Abstract: 本申请公开了一种提高氮化镓基激光器管芯焊接强度的结构及方法。所述的方法包括：提供氮化镓基激光器的外延结构：在导电衬底的第二面即激光器的N侧面上加工形成一个以上沟槽，第二面与第一面相背设置，之后在导电衬底的第二面上形成N型电极，然后通过导热焊料层将N型电极表面与高导热率过渡热沉焊接结合，其中各沟槽被N型电极和导热焊料层的局部区域填充。本申请通过在氮化镓基激光器管芯的N侧表面形成沟槽结构，并将该N侧表面与高导热率过渡热沉通过共晶焊方法焊接，可以大幅增加焊接面积，显著提高焊接强度，使得管芯与高导热率过渡热沉不易脱落，有效提升了氮化镓基激光器管芯焊接的可靠性和成品率。
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公开(公告)号：CN114203888B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202111291300.6
申请日：2021-11-01
Applicant: 佛山中科产业技术研究院 , 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明涉及紫外LED封装技术领域，涉及一种紫外LED封装器件。紫外LED封装器件包括基板、外壳、镜片。基板上设有金属镀层。外壳围设于基板，并连接于金属镀层，基板与外壳围设形成安装槽。外壳背离基板的一侧设有镜片，镜片将安装槽密封。其中，紫外LED设于安装槽内，安装槽内设有反射层。通过基板与外壳的无机连接，以及在安装槽内设置反射层，使得基板、外壳、以及镜片采用无机的连接方式组装形成紫外LED封装器件，加强紫外LED封装器件的抗老化能力，并且在安装槽内设置反射层，提高紫外LED封装器件的光提取效率。
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公开(公告)号：CN117003702B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202310983757.6
申请日：2023-08-04
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Inventor： 李端秀
IPC: C07D239/47 , C07D239/557 , A61K31/513 , A61K47/55 , A61P31/10
Abstract: 本发明提供一种氟胞嘧啶‑乳清酸盐及其制备方法和应用。所述氟胞嘧啶‑乳清酸盐由氟胞嘧啶阳离子和乳清酸阴离子按1：1的摩尔比通过分子间氢键结合而成。所述氟胞嘧啶‑乳清酸盐具有较优的湿度稳定性和较低的平衡溶解度，因而具有良好的药用前景。本发明还提供了通过溶剂挥发法、混悬法或研磨法等制备所述氟胞嘧啶‑乳清酸盐的方法。
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公开(公告)号：CN117003701B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202310983718.6
申请日：2023-08-04
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Inventor： 李端秀
IPC: C07D239/47 , C07D239/557 , A61K31/513 , A61K47/54 , A61P31/10
Abstract: 本发明提供一种氟胞嘧啶‑异乳清酸盐及其制备方法和应用。所述氟胞嘧啶‑异乳清酸盐是由氟胞嘧啶中性分子、氟胞嘧啶阳离子和异乳清酸阴离子以1∶1∶1的摩尔比通过分子间氢键结合而成。所述氟胞嘧啶‑异乳清酸盐具有较优的湿度稳定性和较低的平衡溶解度，因而具有良好的药用前景。本发明另外提供通过溶剂挥发法、混悬法或研磨法得到上述氟胞嘧啶‑异乳清酸盐的制备方法。
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