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公开(公告)号：CN214203693U
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202023172748.X
申请日：2020-12-24
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 涉及半导体器件结构技术领域，本申请公开一种功率半导体、晶体管及电子器件。依次包括衬底、掺杂层及隔离层，掺杂层向衬底方向开设有多个第一沟槽，相邻两个第一沟槽之间开设有第二沟槽，所述第二沟槽由所述掺杂层顶部向所述掺杂层底部延伸，第二沟槽底部与掺杂层底部平齐，第一沟槽内包含有填充物，填充物与第一沟槽顶部平齐，第二沟槽内填充成型有第一类型杂质离子。相比现有技术，能够通过在第二沟槽中填充第一类型杂质离子有效改善沟槽结构，减小工艺制作难度，操作简单、开启电压低、能够有效提高对P‑well能力的性能的改善。
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公开(公告)号：CN212625590U
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202021961880.6
申请日：2020-09-09
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种碳化硅肖特基半导体器件，其包括第一电子型半导体层、第二电子型半导体层、第一空穴型半导体层、第二空穴型半导体层、第一阳极结构、第二阳极结构和阴电极层。其中，第一阳极结构设置在第二电子型半导体上，第二阳极结构设置在第二空穴型半导体层上，第一电子型半导体层的掺杂浓度大于第二电子型半导体层的掺杂浓度，第一空穴型半导体层的掺杂浓度小于第二空穴型半导体层的掺杂浓度。该碳化硅肖特基半导体器件可以解决现有碳化硅肖特基半导体器件难以在降低正向工作电压的同时提高击穿电压的问题，进而降低碳化硅肖特基半导体器件正向导通的损耗，提高碳化硅肖特基半导体器件的工作效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN212033027U
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202020302696.4
申请日：2020-03-12
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种平电场沟槽功率半导体芯片终端结构及半导体芯片，所述芯片终端结构包括：位于N型衬底之上的P区和P+区，位于N型衬底的上表面的凹型沟槽，位于沟槽的底部及N型衬底表面的氧化层，位于氧化层之上的多晶硅栅极，位于多晶硅栅极及未被所述多晶硅栅极覆盖的氧化层表面之上的绝缘层，位于绝缘层之上的金属场板，位于金属场板及未被金属场板覆盖的绝缘层之上的钝化层，位于N型衬底之下的金属层。本实用新型的终端结构改进注入区域结构、多晶刻蚀结构及金属刻蚀结构，设置了平电场沟槽结构，使芯片的表面电场分布更加均匀，提升了芯片的耐压性能，增强了芯片的可靠性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN211828777U
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202020128041.X
申请日：2020-01-19
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L21/335 , H01L29/16
Abstract: 本实用新型涉及半导体技术领域，公开一种碳化硅功率二极管，包括：碳化硅衬底；形成于碳化硅衬底一侧的N型碳化硅外延层，N型碳化硅外延层表面具有有源区以及围绕有源区的场限环终端区；有源区包括多个间隔设置的N型区以及位于相邻两个N型区之间的P+区；N型区的掺杂浓度高于N型碳化硅外延层的掺杂浓度；场限环终端区包括多个间隔设置的P+区；形成于至少一个N型区的第一肖特基接触金属；形成于N型碳化硅外延层的阳极金属层，阳极金属层包括阳极金属和第二肖特基接触金属，第一肖特基接触金属与N型区形成的接触势垒低于第二肖特基接触金属与N型区形成的接触势垒，用于降低碳化硅功率二极管的正向导通压降。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN211828735U
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202020277550.9
申请日：2020-03-09
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/14 , H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 本实用新型涉及一种陶瓷基板结构及智能功率模块及其制备方法，用于解决陶瓷基板塑封时出现溢胶的技术问题。本实用新型的装置，包括陶瓷基板；以及固定部，其设置在陶瓷基板上，用于将引线框架的插入部固定。本实用新型通过在陶瓷基板的内部设置用于固定引脚框架的插入部的固定部，因此陶瓷基板与引脚框架的连接处位于陶瓷基板的内部，从而保证陶瓷基板与引脚框架平行，能够避免因刷锡膏厚度不均匀造成的陶瓷基板倾斜，导致在塑封时出现溢胶的现象并避免由于陶瓷基板与引脚框架贴合的过于紧密而造成翘曲甚至开裂的现象。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN211629084U
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202020536884.3
申请日：2020-04-13
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/49 , H01L25/07
Abstract: 本实用新型涉及一种功率模块，该功率模块包括壳体及设在壳体内的复合基板、第一芯片、第二芯片、第一键合线和第二键合线。其中，复合基板包括绝缘板体及设在绝缘板体上的转接焊盘和芯片焊盘，芯片焊盘用于承载第二芯片，且转接焊盘设在芯片焊盘与第一芯片之间，第一键合线用于连接转接焊盘和第一芯片，第二键合线用于连接第二芯片和转接焊盘，使得第一芯片能通过第一键合线、转接焊盘和第二键合线来连接第二芯片。本实用新型的功率模块解决了如何降低键合线长度的问题，并降低了键合线在封装过程中产生短路或断路的风险，由此可以提高功率模块的良品率。
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公开(公告)号：CN211428173U
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202020048306.5
申请日：2020-01-10
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/10 , H01L29/739
Abstract: 本实用新型涉及一种IGBT结构，其包括：衬底层，所述衬底层的第一表面上设置有凸型槽以形成导电沟道。本结构通过在衬底层的第一表面上设置有凸型槽以形成导电沟道，使得不用在IGBT结构中挖沟槽结构，简化了IGBT结构。
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公开(公告)号：CN211428158U
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202020121147.7
申请日：2020-01-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/495
Abstract: 本实用新型提供了一种功率器件引脚框架以及功率器件，该引脚框架包括用于安装芯片的基岛，基岛下端部两侧分别对应有第一引脚结构与第二引脚结构，第一引脚结构与第二引脚结构均包括由上至下依次连接的连接段、调节段与引脚段，调节段两端分别与连接段、引脚段枢转连接。该引脚框架通过设计可以调节的两个引脚结构，实现了引脚间距的灵活调节，进而可以适应具有不同引脚插孔孔距的电路板，增强了引脚框架的实用性。本实用新型提供的功率器件包括了上述功率器件引脚框架，因此也具有上述有益效果。
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公开(公告)号：CN211428141U
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202020267141.0
申请日：2020-03-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/15 , H01L23/373 , H01L23/367
Abstract: 本实用新型提出了一种分立器件，它包括依次设置的散热器、覆铜陶瓷板和芯片，所述覆铜陶瓷板的至少一部分设置在所述散热器的内部，所述芯片设置在所述覆铜陶瓷板上。本实用新型通过利用覆铜陶瓷板代替铜框架，利用覆铜陶瓷板产品本身导热系数好，自带绝缘的特性，使覆铜陶瓷板至少部分设置在散热器的内部，该分立器件与一般铜框架产品相比，芯片到散热器之间仅有覆铜陶瓷板，因而拥有更好的散热系数以及应用端的操作更加便利，有效减少了因操作失误导致的产品的失效。通过将覆铜陶瓷板直接集成在散热器内部，增大了覆铜陶瓷板与散热器的接触面积更大，散热性能也更大提升。
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公开(公告)号：CN211295147U
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202020049106.1
申请日：2020-01-09
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L33/64 , H01L33/62 , H01L23/373 , H01L23/498
Abstract: 本申请涉及半导体的技术领域，具体涉及一种基板、功率模块以及封装结构，该基板包括：陶瓷本体、第一覆铜层和第二覆铜层，所述陶瓷本体安装于所述第一覆铜层和第二覆铜层之间，且所述陶瓷本体靠近第一覆铜层的壁面上开设有安装槽，所述安装槽内安装有石墨烯片，本实施例通过在陶瓷本体内嵌石墨烯片的方式，从而利用陶瓷材料以及石墨烯片材料的高导热性能有效提高基板的散热能力，保证模块工作时产生的热量可以及时被排出，有效降低模块的热阻，提升模块的工作效率。
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