公开(公告)号：CN113035947A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN201911343001.5

申请日：2019-12-24

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 栾宁 ,  史波 ,  肖婷

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L21/331

Abstract: 本公开涉及一种功率器件、电力电子设备及功率器件的制作方法。功率器件包括:N型半导体衬底；P型阱层，位于N型半导体衬底的前侧；N型发射层，位于P型阱层的前侧；沟槽，穿过N型发射层和P型阱层并延伸至N型半导体衬底的内部；栅结构，填充于沟槽内，包括第一部分和第二部分，第一部分更加靠近沟槽的底壁，第一部分的材料包括绝缘氧化物，第二部分的材料包括掺杂多晶硅；第一介质层，覆于沟槽的侧壁，将第二部分与P型阱层间隔，及将第二部分与N型发射层间隔。

公开(公告)号：CN211428173U

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN202020048306.5

申请日：2020-01-10

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 栾宁 ,  史波 ,  肖婷 ,  葛孝昊 ,  郭依腾

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/739

Abstract: 本实用新型涉及一种IGBT结构，其包括：衬底层，所述衬底层的第一表面上设置有凸型槽以形成导电沟道。本结构通过在衬底层的第一表面上设置有凸型槽以形成导电沟道，使得不用在IGBT结构中挖沟槽结构，简化了IGBT结构。