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公开(公告)号：CN103021450B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201110285030.8
申请日：2011-09-22
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/402
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，尤其涉及一种紧凑式电荷转移刷新电路及其操作方法。本发明的紧凑式电荷转移刷新电路，包括大小为M*N的阵列，按列方向分成t个M×(N/t)子阵列，每个子阵列编号1～n，每个子阵列的灵敏放大器的虚电源端VHn相连，而子阵列间的虚电源端VHn通过电荷转移开关Tn相连，M、N、n、t为自然数，每个子阵列的所有灵敏放大器虚电源端相连，记作VHn，而子阵列间的虚电源端VHn通过电荷转移开关Tn相连。本发明既节省了刷新功耗，又显著降低了刷新时间，且控制电路简单，无需额外的面积开销。
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公开(公告)号：CN105244043A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201410330469.1
申请日：2014-07-11
CPC classification number: G11C11/161 , G11B5/02 , G11C11/15 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1697 , H01L27/228 , H01L43/02
Abstract: 本发明提供一种磁性存储轨道和磁性存储器，包括多个堆叠的存储轨道单元，相邻两个存储轨道单元之间设置有过渡层，且该过渡层由在绝缘材料上淀积的半导体材料构成，包括选通电路和读写装置。由于磁性存储轨道包括多个堆叠的存储轨道单元，从而磁性存储轨道的轨道长度由多个存储轨道单元的轨道长度构成，因此，当增大磁性存储轨道的轨道长度时，可通过增加存储轨道单元实现，避免增加存储轨道单元的轨道长度，从而解决了在提高磁性存储轨道存储能力时，由于磁性存储轨道的轨道长度增长导致工艺难度增大的技术问题。
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公开(公告)号：CN105225689A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201410306848.7
申请日：2014-06-30
CPC classification number: G11C11/161
Abstract: 本发明实施例提供一种磁性存储器及其制造方法，涉及计算机领域，以解决现有技术中在一定的空间范围内只能存在一条磁性存储轨道的问题，提高了数据的存储密度。磁性存储器包括：至少一个绝缘层和至少两个磁性存储层，相邻两个磁性存储层之间设置有绝缘层；其中，磁性存储层内形成有至少一条第一U型磁性存储轨道和至少一条第二U型磁性存储轨道，至少一条第一U型磁性存储轨道和至少一条第二U型磁性存储轨道之间形成有电性绝缘层。本发明提供的磁性存储器用于数据的存储。
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公开(公告)号：CN103579280B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201210285495.8
申请日：2012-08-10
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供一种电阻型存储器，属于电阻型存储器（Resistive Memory）技术领域。该电阻型存储器包括下电极、存储功能层以及上电极，其中，所述下电极被设置为嵌置于介质层中的碗状结构，并且碗状结构的下电极包括碗沿部分电极，所述碗沿部分电极被氧化形成所述存储功能层。该电阻型存储器具有功耗小、存储功能层中的金属元素不易扩散至介质层中、制备过程简单的优点。
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公开(公告)号：CN104882161A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201410072234.7
申请日：2014-02-28
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C13/0097 , G11C2013/0066 , G11C2013/0073 , G11C2013/0092 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供一种电阻型随机读取存储器及其写操作方法，属于电阻型随机读取存储器(ReRAM)技术领域。该电阻型随机读取存储器，其包括至少用于生成电压逐渐下降的电信号作为置位操作信号的写操作信号生成模块；该写操作方法的置位操作中，将电压逐渐下降的电信号作为置位操作信号偏置于所述电阻型随机读取存储器中的被选中的存储单元。该置位操作方法可以提高ReRAM的耐久性(Endurance)、数据保持能力(Data Retention)和高阻值/低阻值窗口等方面的存储性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104575582A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310496705.2
申请日：2013-10-21
IPC: G11C11/02
CPC classification number: G11C19/0841 , G11C11/15 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C19/0808
Abstract: 本发明实施例公开了一种存储单元、存储器及存储单元控制方法，用于提高存储密度、降低功耗和制造成本。其中，一种存储单元包括：梳型磁性轨道，第一驱动电路，第二驱动电路，第一驱动端口和第二驱动端口；梳型磁性轨道包括第一存储区域，第二存储区域和梳柄，第一存储区域和第二存储区域包括两个以上存储条；通过对第一端口、第二端口、第一驱动端口和第二驱动端口的输入电压的控制以及第一驱动电路的驱动，第一存储区域中的一个存储条产生电流脉冲，并驱动磁畴移动；通过对第一端口、第二端口、第一驱动端口和第二驱动端口的输入电压的控制以及第二驱动电路的驱动，第二存储区域中的一个存储条产生电流脉冲，并驱动磁畴移动。
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公开(公告)号：CN102682827B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201110060556.6
申请日：2011-03-14
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C7/06 , G11C11/4063
Abstract: 本发明属于DRAM技术领域，具体为一种DRAM的读出放大器的控制电路及包括其的DRAM。本发明的读出放大器的控制电路包括控制信号生成电路，与所述DRAM（动态随机存取存储器）的存储单元相应的冗余单元，以及冗余字线驱动模块；其中，所述冗余单元的位线延迟与所述存储单元的位线延迟相匹配。本发明的DRAM包括存储阵列、所述存储阵列中的存储单元的读通路；所述存储阵列中还包括冗余单元，所述DRAM还包括所述读出放大器的控制电路。该DRAM的读操作速度大为提高。
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公开(公告)号：CN101740717B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN200910145691.3
申请日：2009-05-15
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于金属氧化物不挥发存储器技术领域，涉及一种CuxO基电阻型存储器及其制备方法，该CuxO基电阻型存储器包括上电极、铜下电极、以及设置在上电极和铜下电极之间的CuxO基存储介质，所述CuxO基存储介质是通过对覆盖在铜下电极上的CuSi化合物缓冲层氧化处理形成，其中，1＜x≤2。该发明提供的电阻型存储器能避免存储介质之下产生空洞，从而保证器件的良率以及可靠性，同时具有相对低功耗的特点。
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公开(公告)号：CN103579280A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210285495.8
申请日：2012-08-10
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供一种电阻型存储器，属于电阻型存储器（Resistive Memory）技术领域。该电阻型存储器包括下电极、存储功能层以及上电极，其中，所述下电极被设置为嵌置于介质层中的碗状结构，并且碗状结构的下电极包括碗沿部分电极，所述碗沿部分电极被氧化形成所述存储功能层。该电阻型存储器具有功耗小、存储功能层中的金属元素不易扩散至介质层中、制备过程简单的优点。
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公开(公告)号：CN102169722B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201010113790.6
申请日：2010-02-25
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: Y02D10/14
Abstract: 本发明属于不挥发存储器技术领域，具体为一种降低初始化或置位操作功耗的电阻随机存储器及其操作方法。该电阻随机存储器通过增加反馈电阻和比较器，实时反馈电阻随机存储器中存储电阻在初始化操作或者位置操作时电阻状态的变化，可以省去初始化操作或者位置操作成功后不必要的初始化电压或者位置电压偏置时间，因此能大大降低该电阻随机存储器的功耗。同时，该电阻随机存储器的初始化操作方法或者位置操作方法不需要其后的读验证操作步骤，从而可将电阻随机存储器的读写通路分开优化设计。
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