-
公开(公告)号：CN104882161B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201410072234.7
申请日：2014-02-28
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C13/0097 , G11C2013/0066 , G11C2013/0073 , G11C2013/0092 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供一种电阻型随机读取存储器及其写操作方法，属于电阻型随机读取存储器(ReRAM)技术领域。该电阻型随机读取存储器，其包括至少用于生成电压逐渐下降的电信号作为置位操作信号的写操作信号生成模块；该写操作方法的置位操作中，将电压逐渐下降的电信号作为置位操作信号偏置于所述电阻型随机读取存储器中的被选中的存储单元。该置位操作方法可以提高ReRAM的耐久性(Endurance)、数据保持能力(Data Retention)和高阻值/低阻值窗口等方面的存储性能。
-
公开(公告)号：CN104882161A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201410072234.7
申请日：2014-02-28
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C13/0097 , G11C2013/0066 , G11C2013/0073 , G11C2013/0092 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供一种电阻型随机读取存储器及其写操作方法，属于电阻型随机读取存储器(ReRAM)技术领域。该电阻型随机读取存储器，其包括至少用于生成电压逐渐下降的电信号作为置位操作信号的写操作信号生成模块；该写操作方法的置位操作中，将电压逐渐下降的电信号作为置位操作信号偏置于所述电阻型随机读取存储器中的被选中的存储单元。该置位操作方法可以提高ReRAM的耐久性(Endurance)、数据保持能力(Data Retention)和高阻值/低阻值窗口等方面的存储性能。
-
Search Results
2
records
(took 0.013 seconds)
