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公开(公告)号：CN112768910B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202011593189.1
申请日：2020-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于石墨烯‑金属结构的可重构太赫兹天线及调频方法。本发明天线采用一种新型的混合石墨烯‑金属结构辐射面以改进传统的纯金属天线，所述混合石墨烯‑金属结构辐射面包括石墨烯调谐部分以及金属辐射体。本发明天线可以通过改变天线辐射面的石墨烯调谐部分的电场偏置进行动态重构，且具有较低的反射系数。此外，由于本发明天线的辐射贴片保留了传统的金属材料，又极大的平衡了传统金属天线的辐射性能。提出的混合石墨烯‑金属可重构天线有望使渐变平面缝隙天线在更高频段使用，并使石墨烯为太赫兹天线的设计和应用带来更多的可能性和扩展空间。
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公开(公告)号：CN111932786B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202010727964.1
申请日：2020-07-23
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本说明书一个或多个实施例公开了一种用于伞的共享服务平台及系统。该用于伞的共享服务平台，所述共享服务平台包括网点服务平台，所述网点服务平台包括柜体和设置于所述柜体内的处理单元，所述柜体设置有多个带门体的储物格，所述储物格存放伞，所述处理单元获取所述伞的伞信息，所述伞信息至少包括所述伞的标识和所述伞所在的储物格的编号，当所述处理单元接收到用户发送的借伞请求时根据所述用户的地理位置和所述伞信息为所述用户打开对应所述伞所在的储物格的门体，满足人们的用伞需求，提高伞的利用率减少资源的浪费。
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公开(公告)号：CN115117157A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210778328.0
申请日：2022-07-04
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/778 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种GaN基HFETs器件，包括由下往上依次叠加的SiC衬底、AlN成核层、GaN沟道层，所述GaN沟道层上方呈对称结构设置有源极和漏极，所述源极和漏极之间设有AlN插层、势垒层和栅极，所述势垒层的上方中部设有栅下介质，所述栅极固定在栅下介质的上表面，所述栅下介质包括若干栅下介质块多层复合而成，任意相邻的两块所述栅下介质块的介电常数均不相同，所述栅下介质的两侧过原子层沉积形成有Al2O3钝化层。采用上述技术方案，通过在栅极下方设置多种不同介电常数的栅下介质，从而进一步调节GaN基HFETs器件电学特性，新方向的调节方式，结合现有的调控方法，能够有效改善GaN基HFETs器件的输运特性，使得GaN基HFETs器件能够在大功率及电力电子等领域中的应用。
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公开(公告)号：CN114499201A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111648573.1
申请日：2021-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于金刚石场效应管的开关电源，包括电源部分、开关部分、控制部分、储能部分、滤波部分、负载和反馈部分，其中，电源部分为开关部分和控制部分供电；开关部分包括金刚石场效应管；控制部分输出超高频PWM波信号给开关部分，以控制金刚石场效应管的开断；储能部分包括电感，其输入连接开关部分的输出；滤波部分包括电容，其输入连接滤波部分的输出，其输出连接负载；反馈部分连接滤波部分的输出，采集输出电压和输出电流反馈给控制部分。本发明采用金刚石制作的场效应管，具有开关频率高、禁带宽度大、导通电阻低和热导率高等优点。
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公开(公告)号：CN114309580A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111654775.7
申请日：2021-12-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种球形金纳米棒自组装超级粒子的制备方法，在包覆完介孔二氧化硅层后，对样品进行亲油性的表面修饰，表面修饰之后金纳米棒可以溶于油性溶剂，诸如环己烷，氯仿，将金纳米棒分散于油性溶剂之后使用SDS，葡聚糖，水，环己烷配置水包油乳液，使用超声的方法将溶液乳化，此时油性物质在溶液中被乳化成一个个微米级别的小液滴，最后将溶液蒸发，使易挥发的油性溶液蒸干，金纳米棒在油性液滴蒸发的过程中逐渐变得紧密，最后收缩成球形，自组装成超级粒子。本发明操作方法简单，重复性高，对合成环境的稳定性以及精确度要求低，产率高。
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公开(公告)号：CN114268314A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111645485.6
申请日：2021-12-30
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03K19/20
Abstract: 本发明涉及一种基于三值忆阻器的3线‑1线编码器实现方法。本发明设计的3线‑1线三值编码器电路，一共需要四个忆阻器分别是三个输入忆阻器Min1、Min2、Min3和一个输出忆阻器Mout；三个电压源分别是V、Vset1和Vset2；两个电压控制型开关S1和S2。本发明结构清晰简单，易于实现。该电路模型可用于多值数字逻辑运算等诸多领域中的应用研究，具有重要意义。
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公开(公告)号：CN108763622B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201810314305.8
申请日：2018-04-10
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/367 , H03F1/42 , H03F3/189 , H03F3/20
Abstract: 本发明公开了一种谐波控制网络及采用其的F类功率放大器的设计方法。传统F类功率放大器的工作带宽较窄。本发明一种谐波控制网络，包括第一微带线、第二微带线、第三微带线、第四微带线、第五微带线和第六微带线。第一微带线的一端与晶体管的输出端相连，另一端与第二微带线的一端相连。第二微带线的另一端与第三微带线及第五微带线的一端相连。第五微带线的另一端悬空。第三微带线的另一端与第四微带线的一端相连；第四微带线的另一端与第六微带线的一端相连。第六微带线的另一端悬空。本发明通过增加锥形调谐微带线，使得F类功率放大器在保持高效率的同时，拓展了带宽。
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公开(公告)号：CN114117810A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111452705.3
申请日：2021-12-01
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种通用多值忆阻器的建模方法。本发明首先考虑到忆阻器的理论判定条件，其v‑i特性曲线必须经过原点，v‑i特性曲线的斜率表示忆阻器的忆阻值倒数，其次，为了满足模型所需的n个状态，设计了n个稳定的阻值用于对应该模型的n个状态，并设定了状态变量x用于控制忆阻器阻值状态的切换。最后，为了在相应的阈值电压区间内得到不同的状态变量x，以控制模型切换为相应的阻值状态，设计了若干组关于x的分段函数。本发明所建立的忆阻器模型构造思路简单，建立原理明确，并且可以通过修改参数来满足实际的应用需求。
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公开(公告)号：CN114042931A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111400807.0
申请日：2021-11-19
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了CTAC及NaOL为双表面活性剂合成金纳米棒的方法，包括以下步骤：(1)制备种子溶液；(2)制备生长溶液；(3)生成金纳米棒。本发明以CTAC及NaOL作为双表面活性剂，以间苯三酚作为还原剂，成本低，反应条件简单，反应过程稳定可控，合成的金纳米棒的纯度与产率高。
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公开(公告)号：CN108718188B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201810360746.1
申请日：2018-04-20
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种宽带高效率Doherty功率放大器及其设计方法。现有Doherty功率放大器的相对带宽通常被限制在50％以下，且性能在频带的边缘处明显劣化。本发明一种宽带高效率Doherty功率放大器，包括功分器、载波功率放大电路、峰值功率放大电路、后匹配网络和输出电阻。载波功率放大电路包括载波输入匹配网络、载波功率放大器、载波输出基波匹配网络和载波功放补偿线。峰值功率放大电路包括峰值输入匹配网络、峰值功率放大器、峰值输出基波匹配网络和峰值功放补偿线。后匹配网络包括第一微带线、第二微带线、第三微带线、第四微带线、第五微带线和第六微带线。本发明消除了高阶匹配网络所带来的带宽限制。
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