公开(公告)号：CN114742007B

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202210138180.4

申请日：2022-02-15

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 刘艳 ,  黄昌洋 ,  程知群 ,  王涛 ,  陈思敏

IPC: G06F30/373 ,  G06F111/10

Abstract: 本发明涉及一种GaN HEMT功率器件I‑V模型的建立方法，以MET模型与Angelov模型为基础，从模型本身的各参数意义出发，分别改进和建立GaN HEMT的直流I‑V正向导通特性模型与反向导通特性模型，并使得模型中每个参数都具有其意义；模型各参数可以采用1stOpt和matlab与测量的I‑V数据直接拟合提取，而无需在特定电压处提取参数的初始值，使得最终得到的GaN HEMT直流I‑V模型更为精确。

公开(公告)号：CN115101586A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210773421.2

申请日：2022-07-03

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 刘艳 ,  王涛 ,  程知群 ,  陈思敏

IPC: H01L29/207 ,  H01L29/08 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开了一种凹槽栅增强型GaN基HFETs器件，包括衬底和设置在衬底上方的GaN层，所述GaN层上方设置有源极、漏极和T型栅极，所述源极和漏极之间设置有势垒层，所述势垒层包括势垒层本体、源端掺杂区和漏端掺杂区，所述源端掺杂区和漏端掺杂区通过欧姆接触工艺分别与源极和漏极相连接，所述源端掺杂区和漏端掺杂区掺杂具有大原子半径的金属原子，所述势垒层与GaN层之间设有AlN插层，所述势垒层上表面设置有钝化层。采用上述技术方案，通过在势垒层掺杂具有大原子半径的金属原子能够改变欧姆接触附近势垒层的应变，进而改变与势垒层应变相关的极化库仑场散射的大小，实现栅源通道电阻的调节，从而提高GaN基HFETs的性能。

公开(公告)号：CN114742007A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202210138180.4

申请日：2022-02-15

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 刘艳 ,  黄昌洋 ,  程知群 ,  王涛 ,  陈思敏

IPC: G06F30/373 ,  G06F111/10

Abstract: 本发明涉及一种GaN HEMT功率器件I‑V模型的建立方法，以MET模型与Angelov模型为基础，从模型本身的各参数意义出发，分别改进和建立GaN HEMT的直流I‑V正向导通特性模型与反向导通特性模型，并使得模型中每个参数都具有其意义；模型各参数可以采用1stOpt和matlab与测量的I‑V数据直接拟合提取，而无需在特定电压处提取参数的初始值，使得最终得到的GaN HEMT直流I‑V模型更为精确。

公开(公告)号：CN114741836A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202210137378.0

申请日：2022-02-15

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 刘艳 ,  黄昌洋 ,  程知群 ,  王涛 ,  陈思敏

IPC: G06F30/20 ,  G06F17/11

Abstract: 本发明涉及一种基于全局敏感参数的GaN HEMT直流I‑V温度模型建立方法，首先选定一个GaN HEMT直流I‑V常温模型，通过非线性拟合确定每个温度下的拟合参数，然后计算每个参数的全局敏感参数并选择相对敏感的参数，然后建立敏感参数与温度之间的关系，最后替换GaN HEMT直流I‑V常温模型中的常量，以建立GaN HEMT直流I‑V温度模型。通过该方法，可以准确的判断在温度模型中哪些参数受温度影响较大，通过使用多项式构建这些参数与温度之间的关系，然后代入直流I‑V常温模型，由此建立高精度的GaN HEMT直流I‑V温度模型。

公开(公告)号：CN115117157A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210778328.0

申请日：2022-07-04

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 刘艳 ,  陈思敏 ,  程知群 ,  王涛

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种GaN基HFETs器件，包括由下往上依次叠加的SiC衬底、AlN成核层、GaN沟道层，所述GaN沟道层上方呈对称结构设置有源极和漏极，所述源极和漏极之间设有AlN插层、势垒层和栅极，所述势垒层的上方中部设有栅下介质，所述栅极固定在栅下介质的上表面，所述栅下介质包括若干栅下介质块多层复合而成，任意相邻的两块所述栅下介质块的介电常数均不相同，所述栅下介质的两侧过原子层沉积形成有Al2O3钝化层。采用上述技术方案，通过在栅极下方设置多种不同介电常数的栅下介质，从而进一步调节GaN基HFETs器件电学特性，新方向的调节方式，结合现有的调控方法，能够有效改善GaN基HFETs器件的输运特性，使得GaN基HFETs器件能够在大功率及电力电子等领域中的应用。