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公开(公告)号：CN111400880A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010156415.3
申请日：2020-03-09
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于LTspice模型的阈值型三值忆阻器实现方法。本发明的理论依据是三值忆阻器的数学模型，基于此设计了一种阈值型三值忆阻器的LTspice模型，并对其特性进行了仿真，仿真结果验证了电路逻辑功能的正确性。该模型符合忆阻器的定义并且具有明显的三值特性和阈值特性，能够稳定的表现出三种不同的忆阻值，且如果激励电压没有达到阈值电压，变量x将保持不变，忆阻值也保持不变。本发明根据LTspice模型，结合电路分析，得出了模型对应的电路结构，由两个受控电流源和一个电容组成，结构清晰简单，易于实现。
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公开(公告)号：CN109039575A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810782266.4
申请日：2018-07-17
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H04L9/00
CPC classification number: H04L9/001
Abstract: 本发明公开了一种指数混沌系统的电路模型。本发明包括集成运算放大器U1，集成运算放大器U2，乘法器U3和乘法器U4，变量x、‑y经过乘法器U4得到‑xy，‑xy经过二极管D1与集成运算放大器U2得到e100xy，变量x、z经过乘法器U3得到xz，再经过集成运算放大器U1和集成运算放大器U2最终得到指数混沌系统的数理关系。本发明运用改进型模块化设计的方法来对模拟电子电路进行设计，从基本的电路状态方程来分析，找出混沌系统的非线性方程所对应的模拟电路的基本组成单元，将这些模拟电路的基本组成单元按照混沌系统的状态方程进行相应的连接，将混沌系统的数学模型简单高效地转化为电路模型。
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公开(公告)号：CN112818617B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202011638894.9
申请日：2020-12-31
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/327
Abstract: 本发明公开了一种基于三值忆阻器的数字或门实现方法。本发明设计了一个正向‑正向三值或门电路，一个反向‑正向三值或门电路，一个正向‑反向三值或门电路，一个反向‑反向三值或门电路，或门电路中的三值忆阻器为压控阈值型三值忆阻器。本发明结构清晰简单，易于实现。该门电路模型在多值数值逻辑运算，忆阻交叉阵列等诸多应用领域研究具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113054994A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110325802.X
申请日：2021-03-26
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03K19/20 , H03K19/094
Abstract: 本发明公开了一种基于三值忆阻器交叉阵列的数字与非门实现方法。本发明采用3×2结构的三值忆阻器交叉阵列，其中两个作为输入忆阻器，一个作为输出忆阻器。三值与非门的逻辑状态用忆阻器的阻值表示，本发明设计的基于三值忆阻器交叉阵列的三值数字逻辑与非门电路，结构清晰简单、易于实现。该与非门的交叉阵列实现对多值数字逻辑运算与存储一体化等诸多领域中的应用研究具有重要意义。
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公开(公告)号：CN112803943A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011641816.4
申请日：2020-12-31
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于三值忆阻器的数字与门实现方法。本发明设计了正向‑正向三值与门电路，反向‑正向三值与门电路，正向‑反向三值与门电路和反向‑反向三值与门电路，与门电路中的三值忆阻器为压控阈值型三值忆阻器。本发明结构清晰简单、易于实现。该与门电路模型对多值数字逻辑运算等诸多领域中的应用研究具有重要意义。
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公开(公告)号：CN111339674B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202010156608.9
申请日：2020-03-09
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/20 , G06F30/327 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种基于LTspice模型的阈值型二值忆阻器实现方法。本发明根据阈值型二值忆阻器的数学模型，设计了一种基于LTspice软件的阈值型二值忆阻器的模型，并结合电路分析，得出了模型对应的电路结构，由两个受控电流源和一个电容组成。在LTspice软件中对模型的特性进行了仿真，得到了理想的结果。结果表明，该模型符合忆阻器的定义，并具有明显的阈值特性与二值特性，即只有在激励电压超过阈值电压时，电阻值才会改变，并能够维持住两种稳定的忆阻值，以此来表征逻辑状态0和1，且不存在中间状态，符合设计思想。这对于进一步地研究忆阻器在数字逻辑电路方面的应用具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN114117810A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111452705.3
申请日：2021-12-01
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种通用多值忆阻器的建模方法。本发明首先考虑到忆阻器的理论判定条件，其v‑i特性曲线必须经过原点，v‑i特性曲线的斜率表示忆阻器的忆阻值倒数，其次，为了满足模型所需的n个状态，设计了n个稳定的阻值用于对应该模型的n个状态，并设定了状态变量x用于控制忆阻器阻值状态的切换。最后，为了在相应的阈值电压区间内得到不同的状态变量x，以控制模型切换为相应的阻值状态，设计了若干组关于x的分段函数。本发明所建立的忆阻器模型构造思路简单，建立原理明确，并且可以通过修改参数来满足实际的应用需求。
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公开(公告)号：CN112818617A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011638894.9
申请日：2020-12-31
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/327
Abstract: 本发明公开了一种基于三值忆阻器的数字或门实现方法。本发明设计了一个正向‑正向三值或门电路，一个反向‑正向三值或门电路，一个正向‑反向三值或门电路，一个反向‑反向三值或门电路，或门电路中的三值忆阻器为压控阈值型三值忆阻器。本发明结构清晰简单，易于实现。该门电路模型在多值数值逻辑运算，忆阻交叉阵列等诸多应用领域研究具有重要意义。
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