基板处理装置
    191.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101276148B

    公开(公告)日:2011-06-01

    申请号:CN200810091385.1

    申请日:2005-09-29

    Abstract: 本发明提供一种基板处理装置及其方法,能够使狭缝喷嘴状态最佳化,抑制涂覆不均。在狭缝喷嘴(41)中,将第一突出部(410)的第一突出面(410a)配置在比第二突出部(411)的第二突出面(411a)仅低高度差D的位置。进行让狭缝喷嘴(41)沿与正式涂覆处理中的狭缝喷嘴(41)的扫描方向((+X)方向)的相反方向((-X)方向)扫描的同时,向作为预备涂覆构件的辊(71)涂覆抗蚀液的预备涂覆处理。进行使通过预备涂覆处理被正常化的狭缝喷嘴(41)沿(+X)方向扫描的同时向基板(90)涂覆抗蚀液的正式涂覆处理。

    基板用遮蔽胶带
    193.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101104780B

    公开(公告)日:2011-01-19

    申请号:CN200710085028.X

    申请日:2007-02-28

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种遮蔽胶带,其在将含有流动性材料的涂布液涂布在基板上形成薄膜时,能够防止遮蔽胶带周围的薄膜(涂膜)的涂布形状的不期望的扩展导致薄膜(涂膜)的不期望的厚度增大。本发明的基板用遮蔽胶带(10)的特征在于,具有基材(1)和在该基材(1)的一个面上形成的粘合层(3),基材(1)的另一个面A上的水的接触角小于65°,且粘合层(3)的侧面B上的水的接触角小于100°。通过该遮蔽胶带(10),在形成水分散性导电材料等流动性材料的薄膜(涂膜)时,能够抑制粘合层(3)的侧部上的弯月形表面的形成,以及抑制从基材(1)的另一个面A的流动性材料的脱落,从而能够以均匀的膜厚形成薄膜。

    基板处理方法以及基板处理装置

    公开(公告)号:CN1975585B

    公开(公告)日:2011-01-12

    申请号:CN200610163667.9

    申请日:2006-12-01

    Inventor: 桥诘彰夫

    CPC classification number: H01L21/6708 B05B7/066 G03F7/423 G03F7/427

    Abstract: 本发明提供一种能够不给基板带来损伤而很好地剥离(除去)离子注入时作为掩模所使用的抗蚀膜的基板处理方法以及基板处理装置。在本发明的基板处理方法中,对基板的表面供给由有机溶剂和气体混合而得到的混合流体。然后,对基板的表面供给用于从该基板的表面剥离抗蚀膜的抗蚀膜剥离液。该基板处理装置具有:SPM喷嘴,其用于向被旋转卡盘保持的晶片的表面供给作为抗蚀膜剥离液的SPM;二流体喷嘴,其用于对被旋转卡盘保持的晶片的表面供给由有机溶剂和氮气混合而得到的混合流体。通过从二流体喷嘴向晶片的表面供给混合流体,从而在抗蚀膜表面的固化层被破坏之后,从SPM喷嘴向晶片的表面供给高温的SPM,来将抗蚀膜从晶片的表面剥离。

    基板处理装置
    195.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101271833B

    公开(公告)日:2010-12-01

    申请号:CN200810083372.X

    申请日:2008-03-13

    Inventor: 林豊秀

    Abstract: 一种基板处理装置,用处理液对基板进行处理,其包括:处理槽,用于贮存处理液;保持机构,在保持基板的状态下位于所述处理槽内的处理位置;第一处理液供给装置,用于将第一处理液供给至所述处理槽内;第二处理液供给装置,用于将表面张力比第一处理液小且沸点比第一处理液高的第二处理液供给至所述处理槽内;温度调节装置,用于将所述处理槽中的第二处理液的温度调节在第一处理液的沸点以上且第二处理液的沸点以下的温度范围;控制装置,对所述第二处理液供给装置进行控制,从而使从所述第一处理液供给装置供给并贮存于所述处理槽内的第一处理液置换为第二处理液,同时,对所述温度调节装置进行控制,由此将第二处理液维持在所述温度范围内。

    曝光装置
    197.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101289024B

    公开(公告)日:2010-08-11

    申请号:CN200810091206.4

    申请日:2008-04-21

    CPC classification number: G03B27/42

    Abstract: 本发明目的在于提供一种曝光装置,特别是提供一种CTP装置,其即使因离散配置的一部分激光二极管的损坏等原因而发生不发光的状态,也能够继续使用该CTP装置。在一部分通道处于不发光状态的情况下,通过如下方式形成被曝光区域:生成各通道曝光数据,以便还在设置在基准区间前后的插补区间中移动曝光头,同时使用处于发光状态的特定的通道进行曝光,上述基准区间是在正常时移动曝光头的区间,上述特定的通道是根据不发光状态的存在位置而确定的;通过移动单元在基准区间及插补区间内移动曝光头的同时,曝光控制单元根据各通道曝光数据从上述特定的通道射出曝光用光。

    基板处理装置以及基板处理方法

    公开(公告)号:CN1814357B

    公开(公告)日:2010-06-16

    申请号:CN200510128972.X

    申请日:2005-12-02

    Inventor: 山本悟史

    Abstract: 本发明提供一种基板处理装置,其能够在确保充分的清洗功能的同时正确地搬运基板,而且基板清洗机构的制作容易。在搬运辊所支承的基板(B)的主面上,使清洗刷部(221、222)的毛束(50)的前端(50H)成为从该毛束(50)延伸的方向沿基板(B)的主面而向一个方向弯曲的状态,而使该前端(50H)与基板(B)的主面滑动接触。在该姿势下,前端(50H)与基板(B)的表面滑动接触的同时,该清洗刷部(221)沿与基板搬运方向垂直并与基板表面平行的方向往复移动,从而清洗搬运中的基板表面。

    基板处理装置
    199.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101378001B

    公开(公告)日:2010-06-09

    申请号:CN200810124894.X

    申请日:2008-06-25

    Abstract: 本发明提供一种基板处理装置,能更可靠地防止处理液(雾滴)侵入相邻的处理室。该基板处理装置具有对基板(S)实施药液处理的湿式处理部(2)和对基板(S)实施作为前处理的干式清洗等处理的前处理部(1)。各处理部(1、2)的处理室(10、20)经由开口部(11a)而连通,该开口部(11a)可通过设置在前处理部(1)一侧的闸门装置(14)和设置在湿式处理部(2)一侧的闸门装置(24)进行开闭。此外,在前处理部(1)的处理室(10)内配备有在开口部(11a)处于打开状态时对开口部(11a)向湿式处理部(2)一侧喷出空气的空气喷嘴(19a、19b)。

    基板处理方法以及基板处理装置

    公开(公告)号:CN101075553B

    公开(公告)日:2010-06-09

    申请号:CN200710104103.2

    申请日:2007-05-16

    CPC classification number: B08B3/024 H01L21/67051

    Abstract: 本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置,在从喷出喷嘴向基板的表面喷出清洗液并使喷出喷嘴扫描而使基板旋转干燥时,能够抑制在基板周边部的液体飞溅,并能够防止由液体飞溅产生的液滴再次附着在基板上。由旋转卡盘(10)将基板(W)保持为水平姿势,而通过旋转马达(14)使基板(W)围绕铅垂轴旋转,并且,从纯水喷出喷嘴(20)的喷出口向基板的表面喷出清洗液的同时,使纯水喷出喷嘴的喷出口从与基板中心相对的位置扫描到与基板周边相对的位置,此时,在喷出喷嘴的喷出口从与基板中心相对的位置移动到与基板周边相对的位置的过程中,使基板的转速降低。

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