公开(公告)号：CN101204708A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200710160337.9

申请日：2007-12-19

Applicant: 大日本网目版制造株式会社

Inventor： 桥诘彰夫

IPC: B08B9/08 ,  B08B3/08 ,  B08B3/10 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/6708

Abstract: 本发明提供一种回收杯清洗方法和基板处理装置，该回收杯清洗方法是对回收杯进行清洗的方法，回收杯具有对回收空间划分的内壁，为回收引入至该回收空间的药液而将该药液引向给定的药液回收路径，其中，该回收空间引入有在基板处理中使用过的药液，该方法包括：清洗液清洗步骤，采用清洗液对所述回收空间的内壁进行清洗；药液清洗步骤，在该清洗液清洗步骤之后，采用与应经由所述回收空间回收的所述药液相同种类的清洗用药液，对所述回收空间的内壁进行清洗；废弃步骤，将在所述清洗液清洗步骤中引入至所述回收空间的清洗液、和在所述药液清洗步骤中引入至所述回收空间的清洗用药液引向与所述药液回收路径不同的废液路径而废弃。

公开(公告)号：CN100367453C

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200510120439.9

申请日：2005-11-10

Applicant: 大日本网目版制造株式会社

Inventor： 桥诘彰夫

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67051

Abstract: 本发明提供一种能够有效降低因含水的液体的处理引起的基板的带电量的基板处理方法。该方法包含：水供给工序，在通过基板保持旋转机构将基板保持为大致水平并使其以第一旋转速度旋转的状态下，向上述基板供给含水的液体；除电工序，在该水供给工序之后，在通过上述基板保持旋转机构将上述基板保持为大致水平并使其以比上述第一旋转速度低的第二旋转速度旋转、或者停止基板的旋转的状态下，在上述基板的表面保持规定的液体的液膜，并且以规定时间进行对该液膜不进行液体的供给的浸泡处理，从而对上述基板进行除电。

公开(公告)号：CN101086631A

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200710108846.7

申请日：2007-06-05

Applicant: 大日本网目版制造株式会社

Inventor： 桥诘彰夫

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/00 ,  H01L21/3105

CPC classification number: B08B3/08 ,  G03F7/422 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/6708

Abstract: 本发明涉及一种基板处理方法以及基板处理装置，该基板处理方法用于从基板表面剥离并除去不再使用的抗蚀剂。在该基板处理方法中，向在基板保持装置上保持的基板的表面中央部供给抗蚀剂剥离液。另外，向在基板保持装置上保持的基板的表面周边部供给有机溶剂液体。

公开(公告)号：CN1975585B

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200610163667.9

申请日：2006-12-01

Applicant: 大日本网目版制造株式会社

Inventor： 桥诘彰夫

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/00 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/6708 ,  B05B7/066 ,  G03F7/423 ,  G03F7/427

Abstract: 本发明提供一种能够不给基板带来损伤而很好地剥离(除去)离子注入时作为掩模所使用的抗蚀膜的基板处理方法以及基板处理装置。在本发明的基板处理方法中，对基板的表面供给由有机溶剂和气体混合而得到的混合流体。然后，对基板的表面供给用于从该基板的表面剥离抗蚀膜的抗蚀膜剥离液。该基板处理装置具有：SPM喷嘴，其用于向被旋转卡盘保持的晶片的表面供给作为抗蚀膜剥离液的SPM；二流体喷嘴，其用于对被旋转卡盘保持的晶片的表面供给由有机溶剂和氮气混合而得到的混合流体。通过从二流体喷嘴向晶片的表面供给混合流体，从而在抗蚀膜表面的固化层被破坏之后，从SPM喷嘴向晶片的表面供给高温的SPM，来将抗蚀膜从晶片的表面剥离。

公开(公告)号：CN100587607C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200710108846.7

申请日：2007-06-05

Applicant: 大日本网目版制造株式会社

Inventor： 桥诘彰夫

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/00 ,  H01L21/3105

CPC classification number: B08B3/08 ,  G03F7/422 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/6708

Abstract: 本发明涉及一种基板处理方法以及基板处理装置，该基板处理方法用于从基板表面剥离并除去不再使用的抗蚀剂。在该基板处理方法中，向在基板保持装置上保持的基板的表面中央部供给抗蚀剂剥离液。另外，向在基板保持装置上保持的基板的表面周边部供给有机溶剂液体。

公开(公告)号：CN1949086A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200610142366.8

申请日：2006-10-11

Applicant: 大日本网目版制造株式会社

Inventor： 桥诘彰夫

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/6708

Abstract: 本发明涉及一种基板处理方法以及基板处理装置，在本发明的基板处理方法中，对基板的表面供给由气体和加热过的处理液生成的液滴的喷流。然后，对基板的表面供给用于将抗蚀膜从该基板的表面剥离的抗蚀膜剥离液。

公开(公告)号：CN1949086B

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200610142366.8

申请日：2006-10-11

Applicant: 大日本网目版制造株式会社

Inventor： 桥诘彰夫

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/6708

Abstract: 本发明涉及一种基板处理方法以及基板处理装置，在本发明的基板处理方法中，对基板的表面供给由气体和加热过的处理液生成的液滴的喷流。然后，对基板的表面供给用于将抗蚀膜从该基板的表面剥离的抗蚀膜剥离液。

公开(公告)号：CN1773670A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200510120439.9

申请日：2005-11-10

Applicant: 大日本网目版制造株式会社

Inventor： 桥诘彰夫

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67051

Abstract: 本发明提供一种能够有效降低因含水的液体的处理引起的基板的带电量的基板处理方法。该方法包含：水供给工序，在通过基板保持旋转机构将基板保持为大致水平并使其以第一旋转速度旋转的状态下，向上述基板供给含水的液体；除电工序，在该水供给工序之后，在通过上述基板保持旋转机构将上述基板保持为大致水平并使其以比上述第一旋转速度低的第二旋转速度旋转、或者停止基板的旋转的状态下，在上述基板的表面保持规定的液体的液膜，并且以规定时间进行对该液膜不进行液体的供给的浸泡处理，从而对上述基板进行除电。

公开(公告)号：CN1975585A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610163667.9

申请日：2006-12-01

Applicant: 大日本网目版制造株式会社

Inventor： 桥诘彰夫

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/00 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/6708 ,  B05B7/066 ,  G03F7/423 ,  G03F7/427

Abstract: 本发明提供一种能够不给基板带来损伤而很好地剥离(除去)离子注入时作为掩模所使用的抗蚀膜的基板处理方法以及基板处理装置。在本发明的基板处理方法中，对基板的表面供给由有机溶剂和气体混合而得到的混合流体。然后，对基板的表面供给用于从该基板的表面剥离抗蚀膜的抗蚀膜剥离液。该基板处理装置具有：SPM喷嘴，其用于向被旋转卡盘保持的晶片的表面供给作为抗蚀膜剥离液的SPM；二流体喷嘴，其用于对被旋转卡盘保持的晶片的表面供给由有机溶剂和氮气混合而得到的混合流体。通过从二流体喷嘴向晶片的表面供给混合流体，从而在抗蚀膜表面的固化层被破坏之后，从SPM喷嘴向晶片的表面供给高温的SPM，来将抗蚀膜从晶片的表面剥离。