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公开(公告)号：CN1297474C
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN01810504.1
申请日：2001-06-01
Applicant: 俄克拉何马大学董事会
CPC classification number: B01J8/388 , B01J8/0055 , B01J8/006 , B01J38/12 , B01J38/60 , B01J38/64 , B01J2208/00292 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/17 , C01B2202/02 , D01F9/127 , D01F9/1271 , D01F9/1272 , D01F9/1278 , Y02P20/584 , Y10S977/742 , Y10S977/75 , Y10S977/775 , Y10S977/842 , Y10S977/843 , Y10S977/845
Abstract: 一种催化生产碳纳米管的方法和装置。在连续阶段将催化剂粒子暴露于不同的工艺条件，其中催化剂粒子直到达到优选的工艺条件才与反应(催化)气体接触，由此控制生成的碳纳米管的数量和形状。该方法还考虑能再循环和重新使用气体和催化剂微粒材料的方法和装置，因此最大化成本效率，减少浪费，减少对额外原料的需要，并且以更低成本生成更大量的碳纳米管，特别是SWNT。
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公开(公告)号：CN1373736A
公开(公告)日：2002-10-09
申请号：CN99814267.0
申请日：1999-11-03
Applicant: 威廉马歇莱思大学
CPC classification number: B01J4/002 , B01J3/04 , B01J3/042 , B01J19/121 , B01J19/26 , B01J2219/0875 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/02 , C01B2202/36 , D01F9/1278 , Y10S977/75 , Y10S977/751 , Y10S977/843 , Y10S977/845 , Y10S977/951 , Y10T428/30
Abstract: 本发明揭示这样一种方法,向混合区中供给经预热(如预热至约1000℃)的高压(如30个大气压)CO和保持在催化剂前体分解温度以下的CO中的催化剂前体气体(如Fe(CO)5)。在该混合区中,催化剂前体被迅速加热至能产生如下结果的温度:(1)前体分解,(2)形成适当尺寸的活性催化剂金属原子簇,和(3)在催化剂簇上有利地生长SWNT。较好是使用催化剂簇成核中介,使得催化剂前体气体迅速反应形成许多小的活性催化剂粒子,而非几个大而没有活性的粒子。该成核中介可包含比主催化剂更迅速成簇的辅助金属前体,或者由提供精确地照向需要成簇区域的额外能量输入(如来自脉冲激光器或CW激光器)。在这些条件下,SWNT成核并按Boudouard反应生长。如此形成的SWNT可直接回收,或者经过保持在高温(如1000℃)的生长及退火区,在该区毫微管会继续生长并聚结成绳。
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公开(公告)号：CN105102372A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201480018406.0
申请日：2014-03-26
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所
CPC classification number: C01B31/0266 , B01D15/08 , B01J20/205 , B01J20/24 , B01J20/261 , B01J20/262 , B01J20/28047 , B01J20/285 , B01J20/29 , B01J20/291 , B01J2220/603 , B01J2220/80 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/172 , C01B32/174 , C01B2202/20 , Y10S977/742 , Y10S977/845
Abstract: 本发明的目的是提供将单一的(n，m)、并且具有光学活性的CNT精度良好地分离的方法和由此获得的光学活性的碳纳米管，将填充了凝胶的柱多个串联地连接，使过剩量的碳纳米管分散液通过，使具有特定的光学活性的碳纳米管吸附于各个柱，分别通过溶出液将它们溶出，从而将具有光学活性和特定结构的碳纳米管以高精度分离。
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公开(公告)号：CN102064102B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201010245267.9
申请日：2005-06-07
Applicant: 桑迪士克公司
CPC classification number: G03F7/0757 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , G11C13/00 , H01L21/02137 , H01L21/02282 , H01L21/02304 , H01L21/28273 , H01L21/3124 , Y10S977/755 , Y10S977/845 , Y10S977/855 , Y10S977/936 , Y10S977/938
Abstract: 提供了形成纳米结构阵列或对纳米结构阵列形成图案的方法。所述方法涉及在包含纳米结构缔合基团的涂层上形成阵列，用光刻胶形成图案，和/或用器件促进形成阵列。还提供了用来形成纳米结构阵列的相关器件，以及包含纳米结构阵列的器件(例如存储器)。
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公开(公告)号：CN103325662A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201210075759.7
申请日：2012-03-21
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: C01B31/0253 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/172 , C01B2202/02 , C01B2202/22 , Y10S977/845
Abstract: 一种半导体性单壁碳纳米管的制备方法，包括以下步骤：提供一基体，该基体具有一第一表面；提供一单壁碳纳米管薄膜结构，将该单壁碳纳米管薄膜结构设置于所述基体的第一表面，所述单壁碳纳米管薄膜结构包括多个金属性单壁碳纳米管和半导体性单壁碳纳米管；将一高分子材料层设置于所述单壁碳纳米管薄膜结构上，形成一复合结构，所述高分子材料层包覆单壁碳纳米管中的每一个金属性单壁碳纳米管和每一个半导体性单壁碳纳米管；将所述复合结构放置于一电磁波环境中，除去包覆金属性单壁碳纳米管的高分子材料层，使金属性单壁碳纳米管暴露；除去所述金属性单壁碳纳米管；除去包覆半导体性单壁碳纳米管的高分子材料层，得到半导体性单壁碳纳米管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103318868A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201210075757.8
申请日：2012-03-21
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01L21/02606 , B82Y40/00 , C01B32/16 , C01B2202/02 , Y10S977/845 , Y10S977/932
Abstract: 一种半导体性单壁碳纳米管的制备方法，包括以下步骤：提供一基体；提供一单壁碳纳米管薄膜结构，将单壁碳纳米管薄膜结构设置于基体，单壁碳纳米管薄膜结构包括金属性单壁碳纳米管和半导体性单壁碳纳米管；将一高分子材料层设置于单壁碳纳米管薄膜结构上，形成复合结构，高分子材料层包覆每一个金属性单壁碳纳米管和每一个半导体性单壁碳纳米管；利用电子束轰击的方法除去包覆金属性单壁碳纳米管的高分子材料层，使金属性单壁碳纳米管暴露；除去金属性单壁碳纳米管；除去包覆半导体性单壁碳纳米管的高分子材料层，得到半导体性单壁碳纳米管。
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公开(公告)号：CN101400598B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200780008330.3
申请日：2007-03-07
Applicant: 卡纳图有限公司
CPC classification number: B05D1/04 , B82B3/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/15 , Y10S977/742 , Y10S977/84 , Y10S977/842 , Y10S977/845
Abstract: 一种用于沉积高纵横比分子结构(HARMS)的方法，所述方法包括在含有一个或多个HARM结构的气溶胶上施加力，所述力使基于一种或多种物理特征和/或性质的一个或多个HARM结构朝向一个或多个预定位置移动，用来依靠所施加的力将一个或多个HARM结构沉积在模板中。
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公开(公告)号：CN102064102A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010245267.9
申请日：2005-06-07
Applicant: 奈米系统股份有限公司
CPC classification number: G03F7/0757 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , G11C13/00 , H01L21/02137 , H01L21/02282 , H01L21/02304 , H01L21/28273 , H01L21/3124 , Y10S977/755 , Y10S977/845 , Y10S977/855 , Y10S977/936 , Y10S977/938
Abstract: 提供了形成纳米结构阵列或对纳米结构阵列形成图案的方法。所述方法涉及在包含纳米结构缔合基团的涂层上形成阵列，用光刻胶形成图案，和/或用器件促进形成阵列。还提供了用来形成纳米结构阵列的相关器件，以及包含纳米结构阵列的器件(例如存储器)。
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公开(公告)号：CN1922106B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200580005073.9
申请日：2005-02-10
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构
Inventor： 村越敬
IPC: C01B31/02 , B82B3/00 , G01N27/00 , G01N30/88 , G01N37/00 , G01P15/00 , H01M4/88 , H01M4/96 , G01N13/14
CPC classification number: H01M4/96 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/172 , C01B2202/02 , C01B2202/30 , C01B2202/36 , G01N2030/8859 , G01P15/08 , G01P15/0802 , H01M4/8605 , H01M4/9083 , Y10S977/745 , Y10S977/748 , Y10S977/751 , Y10S977/845 , Y10S977/848
Abstract: 通过利用碳纳米管特有的结构敏感的性质以高度敏感的方式分离、浓缩或纯化具有期望性质(直径、手性矢量等)的均一性碳纳米管的方法和设备。本发明提供分离、浓缩或纯化样品中含有的具有期望性质的碳纳米管的方法，包括以下步骤：(a)用光照射含碳纳米管的样品；和(b)选择具有期望性质的碳纳米管。在优选实施方案中，步骤(a)的光照射可以在金属存在下进行以致使特定碳纳米管选择性诱导光催化反应，导致金属沉积。此外，在优选实施方案中，可以在步骤(b)中施加给定磁场，以实现沉积金属的碳纳米管的累积或浓缩。
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公开(公告)号：CN100569637C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200710178428.5
申请日：2007-11-30
Applicant: 北京大学
CPC classification number: B82B3/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/172 , C01B32/18 , C01B2202/02 , C01B2202/22 , Y10S977/734 , Y10S977/845
Abstract: 本发明公开了去除单壁碳纳米管中金属性单壁碳纳米管制备半导体性单壁碳纳米管的方法，是将所述单壁碳纳米管置于一定强度的光下照射，即去除金属性单壁碳纳米管，得到所述半导体性单壁碳纳米管，其中，照射到碳纳米管样品表面、波长范围在180nm～11μm内的光的总强度为30mW/cm2～300mW/cm2。相对于已有的方法，本发明方法具有操作步骤简单易控且环保、去除金属性单壁碳纳米管的效果好、适用性广、成本低廉、并能保持碳管原貌等诸多优点，具有非常强的实用性和广阔的应用前景。
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