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公开(公告)号:CN105836726A
公开(公告)日:2016-08-10
申请号:CN201610041198.7
申请日:2016-01-22
Applicant: 波音公司
Inventor: K·D·洪菲尔德
CPC classification number: C01B32/172 , B82Y40/00 , C01B32/16 , C01B32/17 , C01B2202/02 , G01N21/64 , Y10S977/751 , Y10S977/842 , Y10S977/845 , C09K11/65 , C01B2202/20
Abstract: 本发明涉及制造和纯化碳纳米管的方法。在一方面,本文描述了制造半导体单壁碳纳米管的方法。在一些实施中,制造半导体单壁碳纳米管的方法包括提供包含(n,m)纳米管晶种和非(n,m)纳米管晶种的多种半导体纳米管晶种。该方法进一步包括利用具有第一波长的第一激光束和具有第二波长的第二激光束照射多种纳米管晶种,第二波长与第一波长不同。第一波长对应于(n,m)碳纳米管的最大吸收,并且第二波长对应于(n,m)碳纳米管的光致发光发射频率。
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公开(公告)号:CN105431377A
公开(公告)日:2016-03-23
申请号:CN201480037189.X
申请日:2014-06-30
Applicant: 英国电讯有限公司
Inventor: C·怀特 , 简·伊丽莎白·塔特森
CPC classification number: C01B32/168 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B32/172 , H01L29/413 , Y10S977/742 , Y10S977/845 , Y10S977/932
Abstract: 根据本发明的装置包括腔室,分散在非极性溶剂中的碳纳米管可被接收在该腔室中。通过施加外部电场,纳米管沿着该室被推进,并且将穿过向纳米管上施加电荷的充电元件,以及模板(180),使得纳米管被沉积在紧挨着模板设置的基板上。该基板可以相对于模板移动,使得纳米管以预定的选择方式被沉积在基板上。
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公开(公告)号:CN103318868B
公开(公告)日:2015-07-01
申请号:CN201210075757.8
申请日:2012-03-21
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01L21/02606 , B82Y40/00 , C01B32/16 , C01B2202/02 , Y10S977/845 , Y10S977/932
Abstract: 一种半导体性单壁碳纳米管的制备方法,包括以下步骤:提供一基体;提供一单壁碳纳米管薄膜结构,将单壁碳纳米管薄膜结构设置于基体,单壁碳纳米管薄膜结构包括金属性单壁碳纳米管和半导体性单壁碳纳米管;将一高分子材料层设置于单壁碳纳米管薄膜结构上,形成复合结构,高分子材料层包覆每一个金属性单壁碳纳米管和每一个半导体性单壁碳纳米管;利用电子束轰击的方法除去包覆金属性单壁碳纳米管的高分子材料层,使金属性单壁碳纳米管暴露;除去金属性单壁碳纳米管;除去包覆半导体性单壁碳纳米管的高分子材料层,得到半导体性单壁碳纳米管。
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公开(公告)号:CN102791617A
公开(公告)日:2012-11-21
申请号:CN201080062366.1
申请日:2010-12-28
Applicant: 得克萨斯A&M大学体系 , 钟化北美有限责任公司
CPC classification number: C01B31/0273 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/174 , C01B2202/02 , Y10S977/742 , Y10S977/786 , Y10S977/845
Abstract: 本发明涉及用于分散纳米管的方法,所述方法包括形成具有相结合的纳米管和纳米片的纳米复合物溶液;将表面活性剂混合到纳米复合物溶液中;将溶液中的纳米复合物分开,其中纳米管保持悬浮在表面活性剂溶液中;以及分离溶液中的纳米管。在某些实例中,所述方法还包括将溶液中的纳米管官能化。
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公开(公告)号:CN101400597B
公开(公告)日:2012-07-25
申请号:CN200780008320.X
申请日:2007-03-07
Applicant: 卡纳图有限公司
CPC classification number: B05D1/04 , B82B3/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/15 , Y10S977/742 , Y10S977/84 , Y10S977/842 , Y10S977/845
Abstract: 一种用于移动高纵横比分子结构(HARMS)的方法,所述方法包括在含有一个或多个成束的或单个的HARM结构的分散体上施加力,其中所述力使基于一种或多种物理特征及/或性质的成束的和/或单个的HARM结构移动,以用于使成束的和单个的HARM结构基本上相互分离。
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公开(公告)号:CN101432228B
公开(公告)日:2012-03-28
申请号:CN200580033153.5
申请日:2005-09-30
Applicant: 英特尔公司
IPC: C01B31/02
CPC classification number: B07C5/344 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/172 , G01N2030/0035 , Y10S977/845
Abstract: 描述了一种方法,包括拣选流体流中的多个碳纳米管(CNT)以得到多个CNT的目标子集。拣选包括沿着基本静态的光束的电场分量的强度增强的方向,吸引流体流中的多个CNT的至少一部分。电场分量的频率低于该部分中的多个CNT的一个或多个谐振频率。
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公开(公告)号:CN101489927A
公开(公告)日:2009-07-22
申请号:CN200780027452.7
申请日:2007-07-23
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor: A·阿弗扎利-阿达卡尼 , C·R·卡根 , R·特罗姆波
IPC: C01B31/02
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/152 , C01B32/174 , C01B2202/28 , C01B2202/36 , Y10S977/84 , Y10S977/842 , Y10S977/845 , Y10S977/847 , Y10S977/877 , Y10S977/895 , Y10S977/896
Abstract: 本发明提供了通过与分子夹的非共价π-π相互作用按照直径分离碳纳米管或富勒烯的方法。分子夹通过多并苯与各种亲二烯体的狄尔斯-阿德耳反应制备。碳纳米管与分子夹的π-π复合物也用于碳纳米管和富勒烯在衬底上的选择性定位。
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公开(公告)号:CN101400598A
公开(公告)日:2009-04-01
申请号:CN200780008330.3
申请日:2007-03-07
Applicant: 卡纳图有限公司
CPC classification number: B05D1/04 , B82B3/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/15 , Y10S977/742 , Y10S977/84 , Y10S977/842 , Y10S977/845
Abstract: 一种用于沉积高纵横比分子结构(HARMS)的方法,所述方法包括在含有一个或多个HARM结构的气溶胶上施加力,所述力使基于一种或多种物理特征和/或性质的一个或多个HARM结构朝向一个或多个预定位置移动,用来依靠所施加的力将一个或多个HARM结构沉积在模板中。
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公开(公告)号:CN101171372A
公开(公告)日:2008-04-30
申请号:CN200680015296.8
申请日:2006-03-06
Applicant: 西北大学
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/172 , C01B2202/02 , C01B2202/34 , C01B2202/36 , Y10S977/75 , Y10S977/845 , Y10T428/2918 , Y10T436/25375
Abstract: 本发明涉及一种通过手性和/或直径分离单壁碳纳米管(SWNT)的方法,这通过将SWNT和表面活性组分的组合物在密度梯度介质中进行离心来实现。
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公开(公告)号:CN1927705A
公开(公告)日:2007-03-14
申请号:CN200510037242.9
申请日:2005-09-09
Applicant: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 , 鸿海精密工业股份有限公司
IPC: C01B31/02
CPC classification number: D01F9/12 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/168 , C01B2202/34 , C03C17/22 , C03C2218/355 , Y10S977/742 , Y10S977/745 , Y10S977/845 , Y10S977/847
Abstract: 本发明涉及一种加工碳纳米管的方法,其包括以下步骤:提供一碳纳米管阵列;于碳纳米管阵列上形成至少一保护膜片段,该保护膜片段具有至少两条相互平行的直线对边,该平行直线对边与碳纳米管轴向方向垂直;使碳纳米管阵列上未设置保护膜片段的部位断裂;修饰处理碳纳米管的断裂部位,从而得到长度与保护膜片段的两平行直线对边的间距相同的碳纳米管片段。
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