公开(公告)号：CN102054527B

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201010503565.3

申请日：2005-06-07

Applicant: 桑迪士克公司

Inventor： J·A·怀特佛德 ,  R·部鲁尔 ,  M·布勒堤 ,  陈建 ,  K·C·克鲁登 ,  段镶锋 ,  W·P·弗里曼 ,  D·希尔德 ,  F·利昂 ,  刘超 ,  A·麦瑟 ,  K·S·闵 ,  J·W·帕斯 ,  E·西尔

IPC: G11C13/00 ,  C09D1/00 ,  B82B1/00 ,  B82Y10/00

CPC classification number: C09C1/3081 ,  B82Y30/00 ,  C01P2004/16 ,  C01P2004/45 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/10 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/60 ,  C09C3/006 ,  C09C3/063 ,  C09C3/12 ,  H01G4/14 ,  Y10S977/773 ,  Y10T428/2982 ,  Y10T428/2989 ,  Y10T428/2991 ,  Y10T428/2993 ,  Y10T428/2995 ,  Y10T428/2996 ,  Y10T428/2998

Abstract: 提供了用来制备离散的涂覆纳米结构的配体组合物，以及涂覆纳米结构本身和包含它们的器件。还提供了在纳米结构上形成后沉积壳和对纳米结构进行可逆改性的方法。本发明的配体和涂覆的纳米结构特别适用于密堆积的纳米结构组合物，这种组合物能改善量子约束和/或减少纳米结构之间的交叉干扰。

公开(公告)号：CN102064102B

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201010245267.9

申请日：2005-06-07

Applicant: 桑迪士克公司

Inventor： D·L·希尔德 ,  K·C·克鲁登 ,  段镶锋 ,  刘超 ,  J·W·帕斯

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/40

CPC classification number: G03F7/0757 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  G11C13/00 ,  H01L21/02137 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3124 ,  Y10S977/755 ,  Y10S977/845 ,  Y10S977/855 ,  Y10S977/936 ,  Y10S977/938

Abstract: 提供了形成纳米结构阵列或对纳米结构阵列形成图案的方法。所述方法涉及在包含纳米结构缔合基团的涂层上形成阵列，用光刻胶形成图案，和/或用器件促进形成阵列。还提供了用来形成纳米结构阵列的相关器件，以及包含纳米结构阵列的器件(例如存储器)。