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公开(公告)号：CN108962898A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810470033.0
申请日：2018-05-16
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 山口直
IPC: H01L27/11507 , H01L27/1159
CPC classification number: H01L29/40111 , H01L21/02181 , H01L21/02189 , H01L21/02197 , H01L21/02345 , H01L21/02356 , H01L21/3105 , H01L27/11507 , H01L27/11568 , H01L27/1159 , H01L28/40 , H01L29/516 , H01L29/6684 , H01L29/78391
Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法。为了使主要由Hf和Zr中的至少一种以及O组成的金属氧化物膜显示出铁电特性。在经由绝缘膜在半导体衬底上沉积氧化铪膜之后，半导体衬底被暴露给微波以选择性地加热氧化铪膜。这使得可以在氧化铪膜的晶体中形成更多数量的正交晶体。因此，如此得到的氧化铪膜可以显示出铁电特性，而不需向其中添加诸如Si的杂质。这意味着具有反向尺寸效应的氧化铪膜可用作铁电存储单元的铁电膜，并且有助于小型化的铁电存储单元的制造。
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公开(公告)号：CN108807669A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201711120482.4
申请日：2017-11-14
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L49/02
CPC classification number: H01G4/33 , H01G2/06 , H01G4/012 , H01G4/224 , H01G4/252 , H01G4/38 , H05K1/144 , H05K1/181 , H05K2201/042 , H05K2201/10015 , H05K2201/10522 , H05K2201/10545 , H05K2201/10734 , H01L49/02 , H01L28/40
Abstract: 本发明提供一种电容器和具有该电容器的板，所述电容器包括：支撑构件，被包括在主体中；多个柱状体，设置在所述支撑构件的上部中且分别具有比上部宽的下部；以及电容器层，设置在各柱状体的侧表面和上表面上，且包括介电层、第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极与介于所述第一电极和所述第二电极之间的所述介电层交替地设置。相邻的柱状体的下端部彼此接触。
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公开(公告)号：CN108700788A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780014750.6
申请日：2017-01-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1343
CPC classification number: H01L29/4908 , G02F1/136213 , G02F1/1368 , H01L21/02148 , H01L21/02159 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02183 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02192 , H01L21/02194 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/1259 , H01L27/3258 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L28/40 , H01L28/60 , H01L2227/323
Abstract: 本公开内容的实施方式大体上提供形成具有高电容和低泄漏的电容器的方法以及用于薄膜晶体管(TFT)应用的良好的界面控制。在一个实施方式中，一种薄膜晶体管结构包括形成在薄膜晶体管器件中的电容器。电容器进一步包括设置在基板上的公共电极、形成在公共电极上的介电层和形成在介电层上的像素电极。界面保护层形成在公共电极与介电层之间，或介电层与像素电极之间。由高k材料制成的栅极绝缘层也可用于薄膜晶体管结构。
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公开(公告)号：CN108389893A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810145227.3
申请日：2012-09-21
CPC classification number: H01L29/66 , B82Y10/00 , G11B23/282 , H01L23/293 , H01L27/016 , H01L28/10 , H01L28/20 , H01L28/40 , H01L29/0669 , H01L29/66007 , H01L29/7787 , H01L29/78603 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L29/812 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L31/08 , H01L2924/0002 , H01Q1/2283 , H01Q7/00 , Y10S257/922 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了瞬态器件，包括在施加至少一个内部和/或外部刺激时电学地和/或物理地转变的有源部件和无源部件。提供了瞬态电子器件的材料、建模工具、制造方法、器件设计以及系统级实施例。
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公开(公告)号：CN108257866A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810050680.6
申请日：2018-01-18
Applicant: 睿力集成电路有限公司
Inventor： 不公告发明人
IPC: H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L49/02
CPC classification number: H01L21/31116 , H01L21/32136 , H01L28/40 , H01L28/60
Abstract: 本发明提供了一种对覆盖台阶的膜层的刻蚀方法、半导体器件及其形成方法。通过引入轰击气体，从而可增强具选择比刻蚀气体混合物对待刻蚀膜层的垂向刻蚀强度，并减弱具选择比刻蚀气体混合物对待刻蚀膜层的侧向刻蚀强度，从而可有效改善待刻蚀膜层被侧向侵蚀的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108091640A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711090049.0
申请日：2017-11-08
Applicant: 德州仪器公司
IPC: H01L23/64
CPC classification number: H01L28/40 , H01L21/02211 , H01L21/02214 , H01L21/02216 , H01L21/02263 , H01L21/02274 , H01L21/31116
Abstract: 本申请案涉及一种集成电容器及其形成方法。位于衬底(210)上的半导体表面上的集成电容器(300)包含：蚀刻电容器电介质层(232)以提供具有倾斜电介质侧壁部分的至少一个经界定电介质特征，所述电容器电介质层(232)包含在所述半导体表面上方且与所述半导体表面电隔离的底板(240b)上的至少一个硅化合物材料层。沉积电介质层以至少部分地填充所述倾斜电介质侧壁部分中的凹坑以使所述倾斜电介质侧壁部分的表面平滑化。蚀刻所述电介质层，且接着在所述电介质特征的顶部上形成顶板(240a)。
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公开(公告)号：CN104798219B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201380060433.X
申请日：2013-11-21
Applicant: 高通股份有限公司
IPC: H01L49/02 , H01L23/522 , H01L27/06
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L23/5223 , H01L23/5228 , H01L28/20 , H01L28/40 , H01L28/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于制造金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器的方法包括将第一中部制程(MOL)导电层沉积在半导体基板的浅沟槽隔离(STI)区上。该第一MOL导电层提供了该MIM电容器的第一极板(330)、以及去往半导体器件的源极和漏极区(104、106)的第一组局部互连(120‑1…4)。该方法还包括将绝缘体层(340)沉积在该第一MOL导电层上以作为该MIM电容器的介电层。该方法进一步包括将第二MOL导电层(350)沉积在该绝缘体层上以作为该MIM电容器的第二极板。
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公开(公告)号：CN104472023B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201280068702.2
申请日：2012-09-21
CPC classification number: H01L29/66 , B82Y10/00 , G11B23/282 , H01L23/293 , H01L27/016 , H01L28/10 , H01L28/20 , H01L28/40 , H01L29/0669 , H01L29/66007 , H01L29/7787 , H01L29/78603 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L29/812 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L31/08 , H01L2924/0002 , H01Q1/2283 , H01Q7/00 , Y10S257/922 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了瞬态器件，包括在施加至少一个内部和/或外部刺激时电学地和/或物理地转变的有源部件和无源部件。提供了瞬态电子器件的材料、建模工具、制造方法、器件设计以及系统级实施例。
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公开(公告)号：CN103905010B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201310729345.6
申请日：2013-12-26
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03H5/00
CPC classification number: H03H7/1741 , H01L23/5223 , H01L23/5227 , H01L27/016 , H01L28/10 , H01L28/40 , H01L2924/0002 , H03F3/191 , H03F3/24 , H03F3/45475 , H03F2200/111 , H03F2200/165 , H03F2200/451 , H03F2203/45576 , H03H7/0115 , H03H7/0153 , H03H7/0161 , H03H7/1791 , H03H2001/0064 , H03H2001/0078 , H03H2007/013 , H03H2210/012 , H03H2210/025 , H03H2210/026 , H03H2210/036 , H04B1/0475 , H04B2001/0408 , H04L27/36 , H04L27/364 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体装置以及滤波器电路的调整方法。提供了一种滤波器电路，其可以在宽频带上传递输入的高频信号的期望信号分量并可以衰减所述期望信号的整数倍的谐波分量。所述滤波器电路可以是陷波滤波器。所述陷波滤波器设置有串联耦接在发送高频信号的信号线和电源线之间的第一电感器和第二电感器，耦接在所述电源线与所述第一电感器和所述第二电感器的节点之间的第一可变电容器，以及耦接在所述信号线和所述电源线之间的第二可变电容器。所述期望信号分量的频率通过所述第一可变电容器和所述第二可变电容器的电容值来调整，所述三次谐波分量的频率通过所述第一可变电容器的电容值来调整。
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公开(公告)号：CN105556635B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201480042676.5
申请日：2014-08-01
Applicant: 卡文迪什动力有限公司
Inventor： 理查德·L·奈普 , 查尔斯·G·史密斯 , 罗伯托·加迪 , 罗伯托·彼得勒斯·范·卡普恩
CPC classification number: H01G5/40 , H01G5/16 , H01G5/18 , H01G5/38 , H01H59/0009 , H01L28/20 , H01L28/40
Abstract: 本发明一般性地涉及利用一个或更多个MIM电容器的MEMS DVC。MIM电容器可以被布置在MEMS器件和RF垫之间或者MIM电容器可以被集成到MEMS器件本身中。MIM电容器确保实现MEMS DVC的低电阻。
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